计算SGA各池的内存地址的边界
转载请注明出处 :http://blog.csdn.net/guoyjoe/article/details/18508283 有时我们想知道数据在SGA中的哪个池中,可以用下面的方法计算出各池的内存地址边界。 1、LOG BUFFER池内存地址边界 0x00000060222000 LOG BUFFER池内存 0x0000006682B000(0x000000
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有时我们想知道数据在SGA中的哪个池中,可以用下面的方法计算出各池的内存地址边界。
1、LOG BUFFER池内存地址边界
0x00000060222000 > LOG BUFFER池内存
如下计算:
sys@DTRACE> oradebug setmypid
Statement processed.
sys@DTRACE> oradebug ipc
Information written to trace file.
sys@DTRACE> col value for a80
sys@DTRACE> select value from v$diag_info where name='Default Trace File';
VALUE
--------------------------------------------------------------------------------
/export/home/oracle/diag/rdbms/dtrace/dtrace/trace/dtrace_ora_4103.trc
Area #2 `Redo Buffers' containing Subareas 1-1
Total size 0000000006609000 Minimum Subarea size 00000000
Area Subarea Shmid Stable Addr Actual Addr
2 1 196612 0x00000060222000 0x00000060222000
Subarea size Segment size
0000000006609000 0000000006c00000
2、BUFFER CACHE池内存地址的边界
0x0000000078A22000 > BUFFER CACHE池内存地址
如下计算:
sys@DTRACE> select min(ba),max(ba) from x$bh;
MIN(BA) MAX(BA)
---------------- ----------------
0000000078A22000 000000007FBD6000
3、SHARED POOL池内存地址边界
0x93800000> SHARED POOL池内存地址
如下计算:
gyj@DTRACE> alter session set events 'immediate trace name heapdump level 2';
Session altered.
gyj@DTRACE> col value for a80
gyj@DTRACE> select value from v$diag_info where name='Default Trace File';
VALUE
--------------------------------------------------------------------------------
/export/home/oracle/diag/rdbms/dtrace/dtrace/trace/dtrace_ora_4046.trc
more /export/home/oracle/diag/rdbms/dtrace/dtrace/trace/dtrace_ora_4046.trc
******************************************************
HEAP DUMP heap name="sga heap(1,0)" desc=0x600551a0
extent sz=0xfe0 alt=248 het=32767 rec=9 flg=-126 opc=0
parent=(nil) owner=(nil) nex=(nil) xsz=0x400000 heap=(nil)
fl2=0x20, nex=(nil), dsxvers=1, dsxflg=0x0
dsx first ext=0x9a800000
latch set 1 of 7
durations disabled for this heap
reserved granules for root 57 (granule size 4194304)
EXTENT 0 addr=0x93800000
.............................
EXTENT 5 addr=0x9b800000
Chunk 09b800058 sz= 80 perm "perm " alo=80
Chunk 09b8000a8 sz= 48 R-freeable "reserved stoppe"
Chunk 09b8000d8 sz= 212728 R-free " "
Chunk 09b833fd0 sz= 48 R-freeable "reserved stoppe"
Chunk 09b834000 sz= 2763512 perm "perm " alo=2763512
Chunk 09bad6af8 sz= 1209408 perm "perm " alo=1209408
Chunk 09bbfdf38 sz= 64 freeable "KGI Session Sta"
Chunk 09bbfdf78 sz= 40 freeable "listener addres"
Chunk 09bbfdfa0 sz= 128 freeable "dbgefgHtAddSK-1"
Chunk 09bbfe020 sz= 136 freeable "dbgefgHtAddSK-1"
Chunk 09bbfe0a8 sz= 40 freeable "plwppwp:PLW_STR"
Chunk 09bbfe0d0 sz= 160 freeable "joxs heap "
Chunk 09bbfe170 sz= 32 freeable "PRESENTATION EN"
Chunk 09bbfe190 sz= 2072 freeable "PRESENTATION TA"
Chunk 09bbfe9a8 sz= 1168 freeable "character set m"
Chunk 09bbfee38 sz= 4552 freeable "character set m"
Total heap size = 25165296
看转储的DUMP日志一个区的大小是: xsz=0x400000
QQ:252803295
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Dem Bericht zufolge sagte Dae Woo Kim, Geschäftsführer von Samsung Electronics, dass Samsung Electronics auf der Jahrestagung 2024 der Korean Microelectronics and Packaging Society die Verifizierung der 16-schichtigen Hybrid-Bonding-HBM-Speichertechnologie abschließen werde. Es wird berichtet, dass diese Technologie die technische Verifizierung bestanden hat. In dem Bericht heißt es außerdem, dass diese technische Überprüfung den Grundstein für die Entwicklung des Speichermarktes in den nächsten Jahren legen werde. DaeWooKim sagte, dass Samsung Electronics erfolgreich einen 16-schichtigen gestapelten HBM3-Speicher auf Basis der Hybrid-Bonding-Technologie hergestellt hat. Das Speichermuster funktioniert in Zukunft normal für die Massenproduktion von HBM4-Speicher. ▲Bildquelle TheElec, wie unten: Im Vergleich zum bestehenden Bonding-Prozess müssen beim Hybrid-Bonding keine Unebenheiten zwischen den DRAM-Speicherschichten hinzugefügt werden, sondern es werden die oberen und unteren Schichten direkt mit Kupfer verbunden.

Diese Website berichtete am 21. März, dass Micron nach der Veröffentlichung seines vierteljährlichen Finanzberichts eine Telefonkonferenz abgehalten habe. Sanjay Mehrotra, CEO von Micron, sagte auf der Konferenz, dass HBM im Vergleich zu herkömmlichem Speicher deutlich mehr Wafer verbraucht. Micron sagte, dass der derzeit fortschrittlichste HBM3E-Speicher bei der Produktion derselben Kapazität auf demselben Knoten dreimal mehr Wafer verbraucht als Standard-DDR5, und es wird erwartet, dass HBM4 dieses Verhältnis in Zukunft weiter erhöhen wird, wenn die Leistung verbessert und die Verpackungskomplexität zunimmt . Unter Bezugnahme auf frühere Berichte auf dieser Website ist diese hohe Quote teilweise auf die niedrige Ertragsrate von HBM zurückzuführen. HBM-Speicher ist mit mehrschichtigen DRAM-Speicher-TSV-Verbindungen gestapelt. Ein Problem mit einer Schicht bedeutet, dass die gesamte
