Intel erklärt ausführlich den Intel 3-Prozess: Anwendung von mehr EUV-Lithographie, wodurch die Häufigkeit des gleichen Stromverbrauchs um bis zu 18 % erhöht wird

Diese Seite berichtete am 19. Juni, dass Intel im Rahmen des IEEE VLSI Symposiums 2024 kürzlich die technischen Details des Intel 3-Prozessknotens auf seiner offiziellen Website vorgestellt hat.

Intels neueste Generation der FinFET-Transistortechnologie ist im Vergleich zu Intel 4 zusätzliche Schritte zur Verwendung von EUV. Es wird auch eine Knotenfamilie sein, die lange Zeit Foundry-Dienste bereitstellt, einschließlich grundlegender Intel 3 und drei Variantenknoten.

Unter diesen unterstützt Intel 3-E nativ eine Hochspannung von 1,2 V, was für die Herstellung analoger Module geeignet ist, während der zukünftige Intel 3-PT die Gesamtleistung weiter verbessern und einen feineren TSV mit 9 μm unterstützen wird und Hybridschlüssel kombinieren.

Intel behauptet, dass Intel 3-PT als sein „ultimativer FinFET-Prozess“ noch viele Jahre lang die Mainstream-Wahl sein wird, das von internen und externen Foundry-Kunden zusammen mit Prozessknoten auf Angström-Ebene verwendet wird.

Im Vergleich zu Intel3, das nur 240-nm-Hochleistungsbibliotheken enthält (Hinweis auf dieser Website: HP-Bibliotheken), führt der Intel4-Prozess 210-nm-Hochleistungsbibliotheken (HD) ein, die mehr Möglichkeiten bei der Ausrichtung der Transistorleistung bieten.

Intel gab an, dass sein grundlegender Intel 3-Prozess die Frequenz um bis zu 18 % im Vergleich zum Intel 4-Prozess erhöhen kann, wenn Bibliotheken mit hoher Dichte verwendet werden.

Darüber hinaus behauptet Intel auch, dass die Prozessdichte der Basisversion von Intel 3 ebenfalls um 10 % gestiegen ist

und damit eine Verbesserung auf das „Full Node“-Niveau erreicht wurde.

Was die Metallverdrahtungsschicht auf dem Transistor betrifft, Intel 3 bietet zusätzlich zur 14+2-Schicht von Intel 4

auch zwei neue Optionen, 12+2 und 19+2, die auf niedrige Kosten und Hochleistungsnutzung.

Insbesondere für jede Metallschicht hat Intel auf Schlüsselschichten wie M0 und M1 von Intel 3 den gleichen Abstand wie Intel 4 beibehalten und hauptsächlich den Abstand von M2 und M4 von 45 nm auf 42 nm reduziert.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonIntel erklärt ausführlich den Intel 3-Prozess: Anwendung von mehr EUV-Lithographie, wodurch die Häufigkeit des gleichen Stromverbrauchs um bis zu 18 % erhöht wird. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!