Die Speicherspezifikationen DDR5 MRDIMM und LPDDR6 CAMM stehen zur Markteinführung bereit, JEDEC veröffentlicht wichtige technische Details

Diese Seite berichtete am 23. Juli, dass der Mikroelektronik-Standardsetzer JEDEC Solid State Technology Association am 22. Ortszeit bekannt gab, dass die technischen Spezifikationen für DDR5 MRDIMM- und LPDDR6 CAMM-Speicher bald offiziell eingeführt werden, und stellte die wichtigsten Details dieser beiden Speicher vor.

Das „MR“ in DDR5 MRDIMM steht für Multiplexed Rank, was bedeutet, dass der Speicher zwei oder mehr Ranks unterstützt und mehrere Datensignale auf einem einzigen Kanal kombinieren und übertragen kann. Die Bandbreite kann effektiv erhöht werden, ohne dass zusätzliche physische Verbindungen erforderlich sind.

JEDEC hat mehrere Generationen von DDR5-MRDIMM-Speichern geplant, mit dem Ziel, die Bandbreite schließlich auf 12,8 Gbit/s zu erhöhen und damit die aktuellen 6,4 Gbit/s des DDR5-RDIMM-Speichers zu verdoppeln.

In der Vision von JEDEC wird DDR5 MRDIMM die gleichen Pin-, SPD-, PMIC- usw. Designs wie bestehende DDR5-DIMMs verwenden, mit der RDIMM-Plattform kompatibel sein und das bestehende LRDIMM-Ökosystem für Design und Tests nutzen.

Darüber hinaus hat JEDEC auch den Tall MRDIMM-Formfaktor geplant. Wie der Name schon sagt, wird das Design über einen höheren Formfaktor verfügen, der die Anzahl der unterstützten DRAM-Pakete verdoppelt und so die Speicherkapazität weiter erhöht.

▲Micron MRDIMM-Speicherprodukte, die Tall-Version ist auf der linken Seite

Was LPDDR6 CAMM betrifft, sagte JEDEC, dass es voraussichtlich eine maximale Geschwindigkeit von mehr als 14,4 GT/s erreichen wird, und erwähnt auch 24-Bit-breites Sub -Kanal, 48-Bit-Wide-Kanal und unterstützt „Connector-Array“ (Hinweis von dieser Site: Der Originaltext ist Connector-Array).

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