Samsung Electronics wird beschuldigt, zwei Patente der Harvard University bei der Herstellung von Mikroprozessoren und Speicher verletzt zu haben

Nachrichten von dieser Website vom 7. August, basierend auf Berichten von Bloomberg Law und Reuters, hat die Harvard University am Montag beim US-Bezirksgericht für den östlichen Bezirk von Texas eine Anklageschrift eingereicht und Samsung Electronics beschuldigt, zwei Fälle von Verstößen in den Bereichen verletzt zu haben Patent für Mikroprozessoren und Speicherherstellung. Aus der Anklageschrift erfuhr diese Website, dass Professor Roy G. Gordon vom Department of Chemistry der Harvard University der Erfinder dieser beiden Patente ist und die vollständigen Rechte an den entsprechenden Patenten besitzt.

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▲Samsung-Büroeinrichtungen in den Vereinigten Staaten
Diese beiden Patente betreffen Abscheidungsverfahren für kobalt- und wolframhaltige Filme mit den Titeln „Kobaltnitridschicht für Kupferverbindungen und Verfahren zur Herstellung derselben“ und „Nitridierungsdampfabscheidung“. von Wolfram“, sagte die Harvard University. „Dieser Film ist für kritische Komponenten in vielen Produkten, einschließlich Computern und Mobiltelefonen, von entscheidender Bedeutung.“
Die Harvard University ist der Ansicht, dass Samsung Electronics die Patente der Harvard University im Zusammenhang mit der Herstellung von Kobaltnitridfilmen im Prozess der OEM-Prozessoren Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1 usw. verletzt hat, an denen Samsung S22-Smartphones und andere Produkte beteiligt sind.
Als Samsung LPDDR5X und andere Speicher produzierte, hat es jedes Element von mindestens einem Anspruch im Wolframschicht-Abscheidungspatent der Harvard University ohne Genehmigung umgesetzt. Das Samsung Galaxy Z Flip5-Faltdisplay-Mobiltelefon verwendet das entsprechende LPDDR5X-Speicherprodukt.

In der Anklageschrift verlangt die Harvard University von Samsung Electronics, den Verstoß einzustellen und eine nicht näher bezeichnete finanzielle Entschädigung zu zahlen.

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