ASUS veröffentlicht die NitroPath-DRAM-Speichersteckplatztechnologie, die Frequenz kann auf bis zu 400 MT/s erhöht werden

Diese Seite berichtete am 21. August, dass ASUS mit der Veröffentlichung der ROG- und ROG-Strix-X870(E)-Motherboards auch die NitroPath-DRAM-Technologie eingeführt hat. Diese Technologie bietet eine höhere Speicherleistung für High-End-DDR5-Speicher-Motherboards.

Asus sagt, dass die NitroPath-DRAM-Technologie die Speichergeschwindigkeit durch ihr einzigartiges Layout und Routing erhöht. Dieses hochmoderne Design reduziert Rauschstörungen durch die Verkürzung der goldenen Fingerstifte und die Optimierung der Signalwege innerhalb des Motherboards.

Eine sanftere Signalübertragung mit weniger Rauschen und Reflexionen bedeutet, dass Benutzer mit NitroPath DRAM höhere Speicherfrequenzen auf Motherboards erreichen können, bis zu zusätzlichen 400 MT/s. Darüber hinaus verbessert diese Konstruktion die Systemstabilität auch bei starker Belastung.

Darüber hinaus verbessert NitroPath DRAM auch die Festigkeit des Steckplatzes, wodurch der Speichersteckplatz widerstandsfähiger gegen seitliche Kräfte und Retention sowie widerstandsfähiger gegen Abnutzung durch den Speicherinstallationsprozess wird. Dies ist nützlich für Enthusiasten, die dies benötigen Das Aufrüsten oder Ersetzen von Speichermodulen ist offensichtlich von Nutzen.

Diese Seite hat erfahren, dass ASUS als erstes Unternehmen die NitroPath-DRAM-Technologie auf zwei Motherboards einführt: ROG Crosshair X870E Hero und ROG Strix X870E-E Gaming WiFi.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonASUS veröffentlicht die NitroPath-DRAM-Speichersteckplatztechnologie, die Frequenz kann auf bis zu 400 MT/s erhöht werden. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!