Arten von Solid-State-Laufwerken
Klassifizierung:
Solid-State-Drive-Speichermedien werden in zwei Typen unterteilt: Der eine besteht darin, Flash-Speicher (FLASH-Chip) als Speichermedium zu verwenden Speichermedium. Die andere besteht darin, DRAM als Speichermedium zu verwenden.
Flash-basiert:
Flash-basierte Solid-State-Laufwerke verwenden FLASH
Chips als Speichermedium, was allgemein auch als SSD bekannt ist. Sein Aussehen kann in einer Vielzahl von Formen erfolgen, z. B. als Laptop-Festplatte, Mikro-Festplatte, Speicherkarte, USB-Flash-Laufwerk usw. Der größte Vorteil dieser Art von SSD-Solid-State-Laufwerk besteht darin, dass es bewegt werden kann und der Datenschutz nicht durch das Netzteil gesteuert wird. Es kann an verschiedene Umgebungen angepasst werden und ist für einzelne Benutzer geeignet.
Im Allgemeinen beträgt die Anzahl der Lösch- und Schreibvorgänge etwa 3000 Mal. Bei der häufig verwendeten 64G-Festplatte beträgt die Gesamtmenge der Daten, die gelöscht werden können, unter dem ausgewogenen Schreibmechanismus von SSD 64G 5,25 Jahre.
Wenn Sie nur ein normaler Benutzer sind und die Daten, die Sie täglich schreiben, weit weniger als 10 G betragen, verwenden Sie einfach 10 G als Berechnungsgrundlage. Sie können es 52,5 Jahre lang ohne Unterbrechung verwenden, und wenn Sie eine 128 G-SSD verwenden Sie können es 104 Jahre lang ohne Unterbrechung nutzen! Was ist dieses Konzept? Wie eine gewöhnliche Festplatte kann sie theoretisch unbegrenzt lesen und schreiben.
DRAM-basierter Typ:
DRAM-basierte Solid-State-Laufwerke verwenden DRAM als Speichermedium und haben einen engen Anwendungsbereich. Es imitiert das Design einer herkömmlichen Festplatte, kann mit den Dateisystem-Tools der meisten Betriebssysteme Volumes eingerichtet und verwaltet werden und bietet PCI- und FC-Schnittstellen nach Industriestandard für die Verbindung mit Hosts oder Servern.
Anwendungsmethoden können in zwei Typen unterteilt werden: SSD-Festplatte und SSD-Festplatten-Array. Es handelt sich um einen Hochleistungsspeicher mit langer Lebensdauer. Der einzige Nachteil besteht darin, dass er zum Schutz der Datensicherheit eine unabhängige Stromversorgung benötigt. DRAM-Solid-State-Laufwerke sind relativ seltene Geräte.
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Laut Nachrichten dieser Website vom 8. August stellte Samsung auf dem Flash Memory Summit (FMS) 2024 eine Vielzahl neuer SSD-Produkte vor – PM1753, BM1743, PM9D3a, PM9E1 – und testete auch die neunte Generation QLCV-NAND, TLCV-NAND und CMM-D-DRAM-, CMM-HTM-, CMM-HPM- und CMM-BCXL-Technologien wurden eingeführt. BM1743 verwendet QLC-Flash-Speicher mit einer Kapazität von bis zu 128 TB, einer kontinuierlichen Lesegeschwindigkeit von 7,5 GB/s, einer Schreibgeschwindigkeit von 3,5 GB/s, einer zufälligen Lesegeschwindigkeit von 1,6 Millionen IOPS und einer Schreibgeschwindigkeit von 45.000 IOPS 2,5-Zoll-Formfaktor und eine U.2-Schnittstelle, und im Leerlauf wird der Stromverbrauch auf 4 W reduziert, und zwar nur nach nachfolgenden OTA-Updates

Diese Website berichtete am 22. Juli, dass ICEDOCK am 19. dieses Monats die Extraktionsbox für M.2-Solid-State-Laufwerke ExpressSlotMB204MP-B mit vier Schächten auf den Markt gebracht hat. Die Extraktionsbox hat die Form einer PCIeAIC-Zusatzkarte, erfordert eine PCIe6Pin-Hilfsstromversorgung, hat eine dreidimensionale Abmessung von 204,5 x 21,59 x 126,9 (mm), unterstützt das PCIe5.0-Protokoll und kann 16 GB/s PCIe5 bereitstellen ,0×4 Full-Speed-Bandbreite für jedes Solid-State-Laufwerk. Die Esidak ExpressSlotMB204MP-B SSD-Extraktionsbox ist mit M.22230/2242/2260/2280 SSDs kompatibel. Allerdings darf die Dicke jeder Seite dieser SSDs 1,5 mm nicht überschreiten.

Laut Nachrichten dieser Website vom 11. März hat die Quelle Yuki Yasuo-YuuKi_AnS kürzlich eine Reihe von Bildern eines Microsoft Z1000-Solid-State-Drive-Beispiels auf der X-Plattform geteilt. Aus den Etiketteninformationen haben wir erfahren, dass es sich bei diesem Z1000 um ein Engineering Sample (Engineering Sample) mit einer Kapazität von 960 GB handelt. Es wurde am 18. Mai 2020 hergestellt. Es wird mit 3,3 V Gleichstrom betrieben und hat einen Nennstromverbrauch von 15 W. Quellen zufolge unterstützt es das NVMe1.2-Protokoll. ▲Microsoft Z1000 SSD-Vorderfoto (mit Etikett) ▲Microsoft Z1000 SSD-Vorderfoto (ohne Etikett) ▲Microsoft Z1000 SSD-Rückfoto ▲Microsoft Z1000 SSD-Rückfoto – Nahaufnahme der Hauptsteuerung Yuuki Yasuho-YuuKi_An

Laut Nachrichten dieser Website vom 7. August stellte Phison auf dem FMS2024 Summit seine Pascari-Produktlinie für Solid-State-Laufwerke der Enterprise-Klasse umfassend vor. Diese Produktlinie umfasst fünf Hauptkategorien und ist auf verschiedene Unternehmens- und Rechenzentrumsanwendungen ausgerichtet. Hier finden Sie eine kurze Einführung auf dieser Website: X-Serie – Beste Leistung Die SSDs der Enterprise-Klasse der X-Serie von Phison sind „für extreme Schreibanforderungen konzipiert“. Zusätzlich zur ersten X200-Familie brachte Phison auch zwei PCIe 4.0-Produkte auf den Markt, X100P und X100E bzw. 1DWPD und 3DWPD, mit maximalen Kapazitäten von 32 TB Note 1. Sowohl X100P als auch

Laut Nachrichten dieser Website vom 20. März nahm SK Hynix kürzlich an der NVIDIA GTC2024-Konferenz teil und stellte die erste Gen5NVMe-Solid-State-Drive-Serie für den Verbrauchermarkt vor – PlatinumP51M.22280NVMeSSD. PlatinumP51 ähnelt GoldP31 und PlatinumP41. Es verwendet eine selbst entwickelte SSD-Mastersteuerung, das Haupthighlight ist jedoch die Verwendung von PCIeGen5 und 238-Layer-TLCNAND-Flash-Speicher. Hinweis von dieser Website: Hynix erwarb 2012 den Hersteller von SSD-Hauptsteuerungen LAMD und gab ihm damit die Möglichkeit, seine eigene Hauptsteuerung zu entwickeln. SK Hynix sagte am Stand, dass Platinum P51 mit 500 GB, 1 TB und 2 auf den Markt kommen wird

Laut Nachrichten dieser Website hat Western Digital am 14. März das Solid-State-Laufwerk PCSN5000SNVMe auf den Markt gebracht. Dieses Produkt ist mit BICS6 (162-Layer) QLC-Flash-Speicher ausgestattet und ist ein Produkt für OEM-Hersteller. ▲Fotos des Western Digital PCSN5000S-Solid-State-Laufwerks: Das PCSN5000S verwendet die PCIeGen4x4-Schnittstelle und das NVMe2.0-Protokoll und ist mit der neuesten selbstentwickelten Hauptsteuerung von Western Digital ausgestattet. Es verfügt über optionale M.22280/2230-Spezifikationen und drei Kapazitätsversionen 512 GB/1 TB/2 TB. Unterstützt die dynamische SLC-Caching-Technologie nCache4.0. In Bezug auf die Parameter beträgt die maximale sequentielle Lesegeschwindigkeit der drei Kapazitäten von PCSN5000S 6000 MB/s und die maximale sequentielle Schreibrate beträgt 4

Laut Nachrichten dieser Website vom 18. Juni stellte Samsung Semiconductor kürzlich in seinem Technologieblog sein Solid-State-Laufwerk BM1743 der nächsten Generation für Rechenzentren vor, das mit dem neuesten QLC-Flash-Speicher (v7) ausgestattet ist. ▲Samsung QLC Solid-State-Laufwerk für Rechenzentren BM1743 Laut TrendForce im April hatten im Bereich der QLC-Solid-State-Laufwerke für Rechenzentren nur Samsung und Solidigm, eine Tochtergesellschaft von SK Hynix, die Unternehmenskundenüberprüfung bestanden diese Zeit. Im Vergleich zum v5QLCV-NAND der vorherigen Generation (Hinweis auf dieser Website: Samsung v6V-NAND verfügt nicht über QLC-Produkte) hat der Samsung v7QLCV-NAND-Flash-Speicher die Anzahl der Stapelschichten fast verdoppelt und auch die Speicherdichte wurde erheblich verbessert. Gleichzeitig ist die Glätte von v7QLCV-NAND gewährleistet

Laut Nachrichten dieser Website vom 7. August stellte Phison auf dem FMS2024 Summit erstmals die neue PCIe4.0-Mastersteuerung PS5029-E29T für Endverbraucher vor und brachte das mit QLC-Flash-Speicher ausgestattete Solid-State-Laufwerk der Enterprise-Klasse PascariD200V auf den Markt . Phison gab an, dass der PS5029-E29T ein PCIe4.0×4-SSD-Master-Controller ist, der für die neueste NAND-Flash-Speichertechnologie optimiert ist, „mit dem Ziel, neue SSD-Energieeffizienz- und Leistungsstandards zu etablieren“. Der E29T verfügt über ein DRAM-loses Design, das auf dem 12-nm-Prozess von TSMC basiert, mit einem ARM Cortex R5-CPU-Kern ausgestattet ist, über 4 Flash-Speicherkanäle verfügt, 16CE unterstützt, mit einer Flash-Speicherschnittstellenrate von 3600 MT/s kompatibel ist und eine maximale Kapazität von 8 TB hat. Leistung