php提示 内存位置访问无效
新配置的PHP环境,或者刚做过配置改动,比如新加载的DLL扩展,访问页面,可能会出现"内存位置访问无效"的错误,主要原因是DLL扩展加载失败。
我们就需要找到是哪一个DLL文件加载出现了问题。排查方法是:将php.ini中
display_startup_errors = Off 改为 display_startup_errors = On 。
这时访问php页面,服务器上会弹出php错误的提示对话框,你就可以明确看到是哪一个dll文件加载失败,有时会有多个dll文件加载失败,需要你先分号(;)注释掉php.ini中提示那个dll后继续访问如此反复排查,如我打开
display_startup_errors = On 出现
Warning Cannot load module 'SQLite' because required module 'pdo' is no loaded
解决办法也很简单了,因为加载php_sqlite.dll时未加载到php_pdo.dll文件,所以运行phpinfo()函数时提示内存 位置访问无效。找到php.ini配置文件,然后去掉";extension=php_pdo.dll"前面的分号, extension=php_sqlite.dll
把出问题的dll都用分号(;)注释掉后,php就可以正常运行了,如果上面方法无法解决,可参考下面方法:
打开php目录开始调试……花了一点时间总算找到了根源,如果你也碰到这个问题那么你也来试一下以下我的解决方案:
打开php的安装目录编辑php.ini这个文件,搜索下面的字段
extension=php_exif.dll,找到后在前面加一个;分号,如下:
;extension=php_exif.dll,保存重启iis再访问一下php文件看看能否打开了 是否没有出现内存位置访问无效了
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Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September berichteten die koreanischen Medien etnews gestern (Ortszeit), dass die „HBM-ähnlichen“ mobilen Speicherprodukte mit Stapelstruktur von Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 kommerzialisiert werden. Quellen zufolge betrachten die beiden koreanischen Speichergiganten gestapelten mobilen Speicher als wichtige zukünftige Einnahmequelle und planen, den „HBM-ähnlichen Speicher“ auf Smartphones, Tablets und Laptops auszudehnen, um End-Side-KI mit Strom zu versorgen. Früheren Berichten auf dieser Website zufolge heißt das Produkt von Samsung Electronics LPWide I/O-Speicher und SK Hynix nennt diese Technologie VFO. Die beiden Unternehmen haben ungefähr den gleichen technischen Weg gewählt, nämlich die Kombination von Fan-Out-Verpackungen und vertikalen Kanälen. Der LPWide I/O-Speicher von Samsung Electronics hat eine Bitbreite von 512

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Diese Website berichtete am 21. März, dass Micron nach der Veröffentlichung seines vierteljährlichen Finanzberichts eine Telefonkonferenz abgehalten habe. Sanjay Mehrotra, CEO von Micron, sagte auf der Konferenz, dass HBM im Vergleich zu herkömmlichem Speicher deutlich mehr Wafer verbraucht. Micron sagte, dass der derzeit fortschrittlichste HBM3E-Speicher bei der Produktion derselben Kapazität auf demselben Knoten dreimal mehr Wafer verbraucht als Standard-DDR5, und es wird erwartet, dass HBM4 dieses Verhältnis in Zukunft weiter erhöhen wird, wenn die Leistung verbessert und die Verpackungskomplexität zunimmt . Unter Bezugnahme auf frühere Berichte auf dieser Website ist diese hohe Quote teilweise auf die niedrige Ertragsrate von HBM zurückzuführen. HBM-Speicher ist mit mehrschichtigen DRAM-Speicher-TSV-Verbindungen gestapelt. Ein Problem mit einer Schicht bedeutet, dass die gesamte

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