Der Unterschied zwischen euv und duv: 1. Duv kann grundsätzlich nur 25 nm erreichen, während EUV die Herstellungsanforderungen von Wafern unter 10 nm erfüllen kann 2. DUV nutzt hauptsächlich das Prinzip der Lichtbrechung, während EUV das Prinzip der Reflexion nutzt Licht. Muss vakuumbetrieben sein.
Die Betriebsumgebung dieses Artikels: Windows 7-System, Dell G3-Computer.
Unterschiede zwischen euv und duv:
1. Verschiedene Prozessbereiche
duv: Grundsätzlich kann Intel mit dem Dual-Workbench-Modell nur 10 nm erreichen, aber nicht unter 10 nm.
euv: Es kann die Anforderungen der Waferherstellung unter 10 nm erfüllen und kann weiterhin auf 5 nm und 3 nm erweitert werden.
2. Verschiedene Lichtemissionsprinzipien
duv: Die Lichtquelle ist ein Excimer-Laser und die Wellenlänge der Lichtquelle kann 193 Nanometer erreichen.
euv: Der Laser regt das Plasma zur Emission von EUV-Photonen an und die Wellenlänge der Lichtquelle beträgt 13,5 Nanometer.
3. Verschiedene Lichtwegsysteme
duv: nutzt hauptsächlich das Brechungsprinzip des Lichts. Unter anderem füllt die Immersionslithographiemaschine entionisiertes Wasser zwischen die Projektionslinse und den Wafer, wodurch die 193-nm-Lichtwelle 134 nm entspricht.
euv: Unter Ausnutzung des Prinzips der Lichtreflexion muss der Innenraum im Vakuum betrieben werden.
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Das obige ist der detaillierte Inhalt vonWas ist der Unterschied zwischen EUV und DUV?. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!