Was bedeutet ein Batterieschaden?

HIT-Batterie ist eine Solarzelle; HIT ist die Abkürzung für „Heterojunction with intrinsic Thinlayer“, d. h. eine Siliziumsolarzelle mit HIT-Struktur und einer Leerlaufspannung von „729 mV“. undotierte hydrierte nichtionische Solarzellen auf einem kristallinen Siliziumwafer. Ein dünner Film aus kristallinem Silizium und ein dünner Film aus hydriertem amorphem Silizium, dotiert mit der entgegengesetzten Dotierungsart zum kristallinen Silizium.

Die Betriebsumgebung dieses Tutorials: Windows 10-System, DELL G3-Computer.

Was bedeutet Hit-Batterie?

HIT (Heterojunction with intrinsic Thinlayer)

HIT, der chinesische Name ist Solarzelle, Der ausländische Name ist Heterojunction with intrinsic Thinlayer, also eine Silizium-Solarzelle mit HIT-Struktur, Leerlaufspannung 729 mV.

Siliziumsolarzellen mit HIT-Struktur Bei der sogenannten HIT-Struktur werden eine Schicht aus nichtdotiertem (intrinsischem) hydriertem amorphem Siliziumfilm und eine Schicht aus dotiertem hydriertem amorphem Siliziumfilm mit dem entgegengesetzten Dotierungstyp zum kristallinen Silizium abgeschieden Beim kristallinen Siliziumwafer wird nach dieser Prozessmaßnahme die Leistung des PN-Übergangs verbessert. Dadurch erreicht der Umwandlungswirkungsgrad 23 %, die Leerlaufspannung erreicht 729 mV und der gesamte Prozess kann unter 200 °C durchgeführt werden.

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HIT-Batterie, allgemein bekannt als Heterojunction-Batterie, chinesischer Name für kristalline Silizium-Heterojunction-Solarzelle, dieser Technologieprozess besteht darin, einen amorphen Silizium-Dünnfilm auf kristallinem Silizium abzuscheiden, der den Kern verbindet Die Wettbewerbsfähigkeit von kristallinen Siliziumzellen und Dünnschichtzellen ist einer der beliebtesten Trends bei siliziumbasierten Solarzellen mit hoher Umwandlungseffizienz.

Im Vergleich zur herkömmlichen kristallinen Siliziumtechnologie wurden die Vorder- und Rückseite des kristallinen Siliziumsubstrats von Silizium-Heterojunction-Solarzellen angesichts des Aufbaus amorpher Siliziumdünnschichten einer hervorragenden Passivierungsbehandlung unterzogen, so dass die Oberflächenpassivierungsbehandlung immer beliebter wird. Klangvoll und perfekt.

Vorteile von Heterojunction-HIT-Zellen

1. Breites Anwendungsspektrum: HIT-Batterien werden häufig in Solarpaneelen, öffentlichen Verkehrsmitteln, Kommunikationsgeräten, Energieinstallationsprojekten, der nationalen Verteidigungstechnik oder in verschiedenen Wirtschaftsbereichen wie der Seeschifffahrt und der heimischen Luftfahrt eingesetzt.

2. Hohes Potenzial zur Effizienzsteigerung: Der in HIT-Zellen verwendete Siliziumwafer vom N-Typ weist eine hohe Lebensdauer der Minoritätsträger auf, und die entsprechende Struktur der Passivierungsbehandlung mit amorphem Silizium kann auch eine geringere Oberflächenrekombinationsrate erreichen, sodass die Silizium-Heterojunction-Solarzellen offen sind Die Schaltkreisspannung ist viel höher als bei herkömmlichen monokristallinen Silizium-Solarzellen und ihr Wirkungsgradpotenzial ist bis zu 2 % höher als bei aktuellen PERC-Zellen, die Siliziumwafer vom P-Typ verwenden

3. Kostengünstiger, einfacher und unkomplizierter Produktionsprozess: HIT-Zellen vereinen die Vorteile der Niedertemperatur-Herstellung von Dünnschichtsolarzellen und vermeiden herkömmliche Hochtemperaturprozesse. Der HIT-Prozess ist relativ einfach und alle Produktionsprozesse können in nur vier Teilen umgesetzt werden

4. Hohe Stabilität und hohe Effizienz: HIT-Zellen weisen eine gute Lichtstabilität auf. Der Staebler-Wronski-Effekt tritt im amorphen Siliziumfilm im Heteroübergang nicht auf, was bedeutet, dass die Zellumwandlungseffizienz aufgrund der Lichteinwirkung nicht nachlässt.

5. Doppelseitiger Akku: Der HIT-Akku ist ein sehr guter doppelseitiger Akku. Es gibt grundsätzlich keinen Farbunterschied zwischen Vorder- und Rückseite, und die bifaziale Rate (bezogen auf das Verhältnis der Effizienz auf der Rückseite der Batterie zur Effizienz auf der Vorderseite) kann erreicht werden mehr als 90 %, was extrem hoch ist. Mit 98 % ist die zentrale Wettbewerbsfähigkeit der Backside-Stromerzeugung offensichtlich.

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