Ist Dram ein Memory Stick?

dram ist ein Memory Stick. DRAM bedeutet auf Chinesisch „Dynamic Random Access Memory“. Eines seiner Hauptmerkmale besteht darin, dass Daten verloren gehen, wenn die Stromversorgung unterbrochen wird. Dies wird normalerweise als Speicher bezeichnet. DRAM hat eine sehr hohe Dichte, eine hohe Kapazität pro Volumeneinheit und daher niedrige Kosten; DRAM hat auch die Nachteile einer langsamen Zugriffsgeschwindigkeit und eines hohen Stromverbrauchs.

Die Betriebsumgebung dieses Tutorials: Windows 7-System, Dell G3-Computer.

dram ist ein Memory Stick.

Übersicht über Memory Stick

　Memory Stick ist ein Kanal, der die CPU und andere Geräte verbindet und eine Rolle bei der Pufferung und dem Datenaustausch spielt. Wenn die CPU arbeitet, muss sie Daten von externen Speichern wie der Festplatte lesen. Da das „Lager“ der Festplatte jedoch zu groß und weit von der CPU entfernt ist, verringert sich die Geschwindigkeit des Transports von „Rohmaterial“-Daten ist relativ langsam, was dazu führt, dass die Produktionseffizienz stark reduziert wird. Um dieses Problem zu lösen, haben die Leute ein „kleines Lagerhaus“ gebaut – einen Speicher zwischen der CPU und dem externen Speicher.

Die Rolle des Memory Sticks

　Speicher ist die Hauptkomponente im Computer, die im Verhältnis zum externen Speicher steht. Die von uns üblicherweise verwendeten Programme, wie z. B. das Windows 7-System, Schreibsoftware, Spielesoftware usw., werden in der Regel auf externen Speicher wie z. B. Festplatten installiert, ihre Funktionen können jedoch nicht allein von diesem genutzt werden. Sie müssen in den Speicher übertragen werden Mit seiner Funktion geben wir normalerweise einen Text ein oder spielen ein Spiel, das tatsächlich im Speicher ausgeführt wird. Normalerweise speichern wir große Datenmengen, die wir dauerhaft speichern möchten, im externen Speicher und legen einige temporäre oder kleine Datenmengen und Programme im Speicher ab.

Speichersticks werden in zwei Typen unterteilt: DRAM und ROM. Eines seiner Hauptmerkmale ist, dass Daten nach einem Stromausfall verloren gehen Letzteres wird auch als Nur-Lese-Speicher bezeichnet. Wenn wir den Computer einschalten, starten wir zuerst das BIOS-Programm, das im ROM auf der Hauptplatine gespeichert ist, und dann ruft es Windows auf der Festplatte auf Eines der Hauptmerkmale des ROM ist, dass die Daten nach einem Stromausfall nicht verloren gehen. Je nach Anzahl der Pins auf dem Memory Stick können wir den Memory Stick in 30 Zeilen, 72 Zeilen, 168 Zeilen usw. unterteilen. 30-zeilige und 72-zeilige Speichermodule werden auch Single-Rank-Speichermodule (SIMM) genannt (SIMM ist eine Speicherstruktur mit Goldfingern auf beiden Seiten, die das gleiche Signal liefern). 168-zeilige Speichermodule werden auch Dual-Rank-Speichermodule genannt Speichermodule DIMM. Derzeit sind 30-zeilige Speichermodule nicht mehr erhältlich; in den letzten Jahren waren es 72-zeilige Speichermodule mit Kapazitäten im Allgemeinen von 4 MB, 8 MB, 16 MB und 32 MB; Auf dem Markt gibt es 168-Zeilen-Speicher. 168-Zeilen-Speichersticks haben im Allgemeinen Kapazitäten von 16 MB, 32 MB, 64 MB, 128 MB usw. Ein normaler Computer reicht aus, wenn man einfach einen anschließt. Allerdings sind nur Motherboards auf Basis von VX, TX- und BX-Chipsätze unterstützen 168 Speicherzeilen.

Je nach Arbeitsmodus des Speichers kann der Speicher in FPA EDO DRAM und SDRAM (synchrones dynamisches RAM) unterteilt werden.

FPM (FAST PAGE MODE) RAM

Fast Page Mode Random Access Memory: Dies ist der Speicher, der üblicherweise in früheren Computersystemen verwendet wurde. Er überträgt Daten alle drei Taktzyklen.

• EDO (EXTENDED DATA OUT) RAM

Erweiterter Datenausgabe-Random-Access-Speicher: Der EDO-Speicher hebt das Zeitintervall zwischen den beiden Speicherzyklen des Motherboards auf und gibt alle zwei Taktimpulszyklen Daten aus Die Zeit wird erheblich verkürzt und die Speichergeschwindigkeit um 30 % erhöht. EDO hat im Allgemeinen 72 Pins und der EDO-Speicher wurde durch SDRAM ersetzt.

• S(SYSNECRONOUS)DRAM

Synchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher: SDRAM hat 168 Pins, was der Speicher ist, der derzeit von PENTIUM- und höheren Modellen verwendet wird. SDRAM sperrt CPU und RAM über denselben Takt zusammen, sodass CPU und RAM einen Taktzyklus gemeinsam nutzen und synchron mit der gleichen Geschwindigkeit arbeiten können. Die steigende Flanke jedes Taktimpulses beginnt mit der Datenübertragung, was 50 % schneller ist als beim EDO-Speicher. .

• DDR (DOUBLE DATA RAGE) RAM

Ein aktualisiertes SDRAM-Produkt, das die Übertragung von Daten an den steigenden und abfallenden Flanken des Taktimpulses ermöglicht, sodass die Geschwindigkeit des SDRAM verdoppelt werden kann, ohne die Taktfrequenz zu erhöhen .

• RDRAM (RAMBUS DRAM)

Dynamischer Direktzugriffsspeicher vom Speicherbustyp. RDRAM ist ein neuer DRAM-Typ, der von der RAMBUS Company mit Systembandbreite und Chip-zu-Chip-Schnittstellendesign entwickelt wurde. Er kann Daten über einen einfachen Bus in einem sehr hohen Frequenzbereich übertragen. Außerdem werden Niederspannungssignale zur Datenübertragung an beiden Flanken von Hochgeschwindigkeits-Synchronisationstaktimpulsen verwendet. INTEL wird seinen 820-Chipsatz-Produkten Unterstützung für RDRAM hinzufügen.

DRAM (Dynamic Random Access Memory)

DRAM (Dynamic Random Access Memory), die am häufigsten verwendete Art von Computerspeicher. Normalerweise werden zur Darstellung eines Bits ein Transistor und ein Kondensator verwendet. Im Gegensatz zu Firmware-Speichern wie ROM und PROM verlieren die beiden Haupttypen von Direktzugriffsspeichern (dynamisch und statisch) ihre gespeicherten Daten, wenn der Strom ausgeschaltet wird.

DRAM ist ein Halbleiterspeicher. Sein Hauptfunktionsprinzip besteht darin, die im Kondensator gespeicherte Ladungsmenge zu verwenden, um darzustellen, ob ein Binärbit (Bit) 1 oder 0 ist. Da Transistoren in der Realität einen Leckstrom aufweisen, reicht die auf dem Kondensator gespeicherte Ladungsmenge nicht aus, um die Daten korrekt zu ermitteln, was zu einer Datenverfälschung führt. Daher ist regelmäßiges Aufladen eine unvermeidbare Voraussetzung für DRAM. Aufgrund dieser Eigenschaft, die eine regelmäßige Aktualisierung erfordert, wird er als „dynamischer“ Speicher bezeichnet. Relativ gesehen geht der Speicher nicht verloren, auch wenn er nicht aktualisiert wird, solange der statische Speicher (SRAM) Daten speichert.

Im Vergleich zu SRAM liegt der Vorteil von DRAM in seiner einfachen Struktur – jedes Datenbit benötigt zur Verarbeitung nur einen Kondensator und einen Transistor, im Vergleich zu SRAM, das normalerweise sechs Transistoren pro Bit benötigt. Aus diesem Grund weist DRAM eine sehr hohe Dichte, eine hohe Kapazität pro Volumeneinheit und damit niedrige Kosten auf. Doch im Gegenteil, DRAM hat auch die Nachteile einer langsamen Zugriffsgeschwindigkeit und eines hohen Stromverbrauchs.

Wie die meisten Arbeitsspeicher (RAM) handelt es sich um ein flüchtiges Speichergerät, da die im DRAM gespeicherten Daten bald nach dem Ausschalten der Stromversorgung verschwinden.

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