TSMC plant, bis 2025 drei 2-nm-Prozessanlagen zu erweitern und wird voraussichtlich mit der Massenproduktion beginnen

Laut Taiwans „Economic Daily“-Bericht gab TSMC bekannt, dass das Werk in Kaohsiung in die Produktionsplanung aufgenommen und die fortschrittliche 2-nm-Prozesstechnologie eingeführt wird, um der Marktnachfrage nach fortschrittlichen Prozessen gerecht zu werden.

TSMC bestätigte auf der Konferenz im April, dass die Das Werk in Kaohsiung wird 28 nm verwenden. Die Produktionslinie wurde an eine fortschrittlichere Prozesstechnologie angepasst, aber auf welches Verfahren umgestellt wurde, wurde zu diesem Zeitpunkt nicht erwähnt. Die aktuellen 2-Nanometer-Produktionsstandorte von TSMC sind für Zhuke und Zhongke geplant. Wenn Kaohsiung in Zukunft einbezogen wird, wird das Unternehmen über drei 2-Nanometer-Produktionsstandorte verfügen.

Darüber hinaus plant

TSMC laut taiwanesischer „Central News Agency“ die Massenproduktion seines 2-Nanometer-Prozesses im Jahr 2025 unter Verwendung einer Nanoblatt-Transistorstruktur. Gleichzeitig hat TSMC eine Backside-Rail-Lösung mit 2 Nanometern entwickelt, die für Hochleistungs-Computing-Anwendungen geeignet ist. Sie soll in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 auf den Markt kommen und im Jahr 2026 in Serie produziert werden.

▲ Bildquelle Offizielle Website von TSMC

Laut früheren Berichten auf dieser Website gab TSMC gestern außerdem bekannt, dass es gemeinsam mit der Robert Bosch GmbH, der Infineon Technologies AG und NXP Semiconductors NV) gemeinsam in den europäischen Halbleiter investieren wird Manufacturing Company (ESMC) in Dresden, Deutschland, mit einer geschätzten Gesamtinvestitionssumme von über 10 Milliarden Euro zur Bereitstellung fortschrittlicher Halbleiterfertigungsdienstleistungen.

TSMC wird die Fabrik in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 bauen und Ende 2027 mit der Produktion beginnen. Betreiber der Anlage ist TSMC, das einen Anteil von 70 % hält, während Bosch, Infineon und NXP jeweils 10 % halten. Es wird erwartet, dass nach der Fertigstellung 40.000 300-mm-Wafer (12 Zoll) pro Monat produziert werden, wobei die 28/22-nm-Planar-CMOS- und 16/12-nm-FinFET-Prozesstechnologie von TSMC zum Einsatz kommt. Der Artikel auf dieser Website enthält externe Sprunglinks, die darauf abzielen, weitere Informationen bereitzustellen Sparen Sie Auswahlzeit, aber die Ergebnisse dienen nur als Referenz. Bitte überprüfen Sie die Aussage dieser Website auf spezifische Inhalte

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