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Der NAND-Markt wird in diesem Jahr voraussichtlich um 43 % zurückgehen und 34,6 Milliarden US-Dollar erreichen
Der NAND-Markt wird in diesem Jahr voraussichtlich um 43 % zurückgehen und 34,6 Milliarden US-Dollar erreichen
Nachrichten von dieser Website vom 16. August, laut dem neuesten Prognosebericht der Marktforschungsagentur WebFeet Research: Die Größe des NAND-Marktes im Jahr 2023 wird 34,6 Milliarden US-Dollar (Anmerkung dieser Website: derzeit etwa 252,58 Milliarden Yuan) pro Jahr betragen - Rückgang um 43 % gegenüber dem Vorjahr.
Obwohl die Auswirkungen der Welle der künstlichen Intelligenz auf den Flash-Speichermarkt ungewiss sind, ist absehbar, dass die Nachfrage nach Servern, Laptops und Smartphones zurückgeht
Trotz der Stabilisierung der globalen Makrowirtschaft ist die Institutionelle Analysten gehen davon aus, dass verschiedene negative Risikofaktoren bis zum Ende dieses Jahres bestehen bleiben werden Starke Unterstützung durch Regierungen. Der starke Rückgang der NAND-Verkäufe hat jedoch viele Flash-Speicher-Hersteller in Schwierigkeiten gebracht.
Diese Website soll mehr Informationen liefern und Auswahlzeit sparen, die Ergebnisse dienen jedoch nur als Referenz
Das obige ist der detaillierte Inhalt vonDer NAND-Markt wird in diesem Jahr voraussichtlich um 43 % zurückgehen und 34,6 Milliarden US-Dollar erreichen. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!
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Fix: Rufus-Fehler beim Formatieren unter Windows 11
Apr 28, 2023 pm 05:28 PM
Rufus ist ein hervorragendes Tool zum Erstellen bootfähiger Installationsmedien und viele Leute verwenden es, um eine Neuinstallation von Windows auf ihrem PC durchzuführen. Viele Benutzer haben jedoch Rufus-Fehler unter Windows 11 gemeldet. Diese Fehler hindern Sie daran, Installationsmedien zu erstellen und somit Windows 11 oder ein anderes Betriebssystem zu installieren. Glücklicherweise ist die Behebung dieser Probleme relativ einfach. Im heutigen Tutorial zeigen wir Ihnen die besten Methoden, mit denen Sie dieses Problem beheben können. Warum erhalte ich beim Formatieren in Rufus unter Windows 11 einen unbestimmten Fehler? Dafür gibt es viele Gründe und in den meisten Fällen ist es lediglich ein Softwarefehler, der das Problem verursacht. Du kannst bestehen
Befehle zur Installation von BalenaEtcher unter Windows 11
Apr 19, 2023 pm 05:46 PM
Schritte zur Installation von BalenaEtcher unter Windows 11 Hier zeigen wir die schnelle Möglichkeit, BalenaEthcer unter Windows 11 zu installieren, ohne die offizielle Website zu besuchen. 1. Öffnen Sie ein Befehlsterminal (als Administrator), klicken Sie mit der rechten Maustaste auf die Schaltfläche „Start“ und wählen Sie „Terminal (Admin)“. Dadurch wird ein Windows-Terminal mit Administratorrechten geöffnet, um Software zu installieren und andere wichtige Aufgaben als Superuser auszuführen. 2. Installieren Sie BalenaEtcher unter Windows 11. Führen Sie nun auf Ihrem Windows-Terminal einfach den Standard-Windows-Paketmanager aus
Mit der branchenweit höchsten Übertragungsrate von 3,6 GB/s kündigt Micron die Massenproduktion von 276-Layer-TLC-NAND-Flash-Speichern der neunten Generation an
Jul 31, 2024 am 08:05 AM
Laut Nachrichten dieser Website vom 30. Juli gab Micron heute (Ortszeit) bekannt, dass sein 3DTLC NAND-Flash-Speicher der neunten Generation (Hinweis zur Website: 276 Schichten) in Massenproduktion hergestellt und ausgeliefert wird. Micron gab an, dass sein G9NAND die branchenweit höchste I/O-Übertragungsrate von 3,6 GB/s (d. h. 3600 MT/s Flash-Speicherschnittstellenrate) aufweist, was 50 % höher ist als die bestehenden Konkurrenzprodukte von 2400 MT/s und diese besser erfüllen kann Anforderungen datenintensiver Workloads. Gleichzeitig ist Microns G9NAND hinsichtlich der Schreibbandbreite bzw. Lesebandbreite 99 % bzw. 88 % höher als andere Lösungen auf dem Markt. Dieser Vorteil auf NAND-Partikelebene bringt Leistung und Energieeffizienz für Solid-State-Laufwerke und eingebettete Speicher Lösungen. Darüber hinaus ist Micron 276, wie frühere Generationen von Micron NAND-Flash-Speichern, erhältlich
Samsungs Massenproduktionsprozess für V-NAND-Metallverdrahtungen der 9. Generation nutzt erstmals Molybdäntechnologie
Jul 03, 2024 pm 05:39 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 3. Juli hat Samsung nach Angaben der koreanischen Medien TheElec erstmals versucht, Molybdän (Mo) in der „Metallverkabelung“ (Metalwiring) seines V-NAND der 9. Generation zu verwenden. Hinweis von dieser Website: Die acht Hauptprozesse im Halbleiterherstellungsprozess sind: Waferherstellung, Oxidation, Fotolithographie, Ätzen, Abscheidung, Testen von Metallverdrahtungen, Verpackung, Metallverdrahtungsprozess, bei dem hauptsächlich verschiedene Methoden verwendet werden, um Milliarden elektronischer Komponenten zu verbinden, um verschiedene Halbleiter (CPU, GPU usw.) zu bilden. ) kann man sagen, dass es „Halbleitern Leben einhaucht“. Quellen zufolge hat Samsung fünf Mo-Abscheidungsmaschinen von Lam Research eingeführt und plant, im nächsten Jahr 20 weitere Geräte auf den Markt zu bringen. Neben Samsung Electronics sind auch Unternehmen wie SK Hynix, Micron und Kioxia dabei
Hynix ist der erste, der UFS 4.1-Flash-Speicher demonstriert: basierend auf V9 TLC NAND-Partikeln
Aug 09, 2024 pm 03:33 PM
Laut Nachrichten vom 9. August stellte SK Hynix auf dem FMS2024-Gipfel seine neuesten Speicherprodukte vor, darunter den universellen Flash-Speicher UFS4.1, dessen Spezifikationen noch nicht offiziell veröffentlicht wurden. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste UFS-Spezifikation im August 2022 UFS4.0. Die theoretische Schnittstellengeschwindigkeit beträgt bis zu 46,4 Gbit/s. Es wird erwartet, dass UFS4.1 die Übertragung weiter verbessern wird Rate. 1. Hynix demonstrierte Allzweck-Flash-Speicherprodukte mit 512 GB und 1 TBUFS4.1, basierend auf 321-Layer-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher. SK Hynix zeigte auch 3,2 Gbit/s V92TbQLC- und 3,6 Gbit/s V9H1TbTLC-Partikel. Hynix präsentiert V7-basiert
Die Auswirkungen der KI-Welle sind offensichtlich. TrendForce hat seine Prognose für Preiserhöhungen bei DRAM-Speicher und NAND-Flash-Speicher in diesem Quartal nach oben korrigiert.
May 07, 2024 pm 09:58 PM
Laut einem TrendForce-Umfragebericht hat die KI-Welle erhebliche Auswirkungen auf die Märkte für DRAM-Speicher und NAND-Flash-Speicher. In den Nachrichten dieser Website vom 7. Mai sagte TrendForce heute in seinem neuesten Forschungsbericht, dass die Agentur die Vertragspreiserhöhungen für zwei Arten von Speicherprodukten in diesem Quartal erhöht habe. Konkret schätzte TrendForce ursprünglich, dass der DRAM-Speichervertragspreis im zweiten Quartal 2024 um 3 bis 8 % steigen wird, und schätzt ihn nun auf 13 bis 18 %, bezogen auf NAND-Flash-Speicher, die ursprüngliche Schätzung wird um 13 bis 18 % steigen 18 %, und die neue Schätzung liegt bei 15 %, nur eMMC/UFS weist einen geringeren Anstieg von 10 % auf. ▲Bildquelle TrendForce TrendForce gab an, dass die Agentur ursprünglich damit gerechnet hatte, dies auch weiterhin zu tun
SK Hynix übernimmt die Führung bei der Demonstration des universellen Flash-Speichers UFS 4.1, der auf V9 TLC NAND-Partikeln basiert
Aug 09, 2024 am 10:42 AM
Laut Nachrichten dieser Website vom 9. August und einer Pressemitteilung von SK Hynix gestern Ortszeit stellte das Unternehmen auf dem FMS2024-Gipfel eine Reihe neuer Speicherprodukte vor, darunter USF4.1-Universal-Flash-Speicher, der noch nicht offiziell veröffentlicht wurde Spezifikationen. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste derzeit angekündigte UFS-Spezifikation UFS4.0 im August 2022. UFS4.0 spezifiziert eine theoretische Schnittstellengeschwindigkeit von bis zu 46,4 Gbit/s für jedes Gerät, und USF4.1 soll die Übertragungsrate weiter verbessern. ▲JEDECUFS-Spezifikationsseite SK Hynix demonstrierte zwei UFS4.1-Allzweck-Flash-Speicher mit Kapazitäten von 512 GB bzw. 1 TB, beide basierend auf dem 321-Layer-Stapel-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher.
Der Yangtze Memory QLC-Flash-Speicher X3-6070 hat eine Schreib- und Löschlebensdauer von 4.000 Malen und schließt damit mit TLC-Produkten auf
Mar 28, 2024 pm 03:26 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 28. März erklärte Yangtze Memory laut taiwanesischen Medien DIGITIMES auf dem China Flash Memory Market Summit CFMS2024, dass der Flash-Speicher X3-6070QLC mit Xtacking-Technologie der dritten Generation eine KGV-Ausdauer von 4.000 Mal erreicht habe . Hinweis von dieser Website: Anders als bei der Garantiedauer weisen Original-TLC-Solid-State-Laufwerke der Verbraucherklasse in Tests im Allgemeinen eine Lösch- und Schreiblebensdauer von mindestens 3.000 P/E-Leveln auf. ▲Bildquelle China Flash Memory Market Summit CFMS-Beamter, derselbe unten Huo Zongliang, CTO von Yangtze Memory, sagte, dass die NAND-Flash-Speicherbranche das schwierigste Jahr 2023 hinter sich habe und in diesem Jahr in eine Aufwärtsphase eintreten werde Der Gesamtbedarf an Flash-Speicher wird von 2023 bis 2027 mit einer durchschnittlichen Rate wachsen. Die Rate kann bis zu 21 % betragen, und die durchschnittliche Kapazität eines einzelnen Geräts beträgt 21 %
