Technologie-Peripheriegeräte
IT Industrie
SK Hynix veröffentlicht 24 GB mobiles DRAM: Smartphone-Leistung verbessert sich erneut
SK Hynix veröffentlicht 24 GB mobiles DRAM: Smartphone-Leistung verbessert sich erneut
SK Hynix kündigte am 11. August einen neuesten Durchbruch an und brachte offiziell ein 24-GB-Paketprodukt mit Hochleistungs-DRAM (Speicher) LPDDR5X1 (Low Power Double Data Rate 5 eXtended) auf den Markt, das für mobile Geräte wie Smartphones geeignet ist. Es heißt, dass dieses Produkt den mobilen Geräten eine höhere Leistung verleihen wird. Nach Angaben des Herausgebers hat SK Hynix im November letzten Jahres erfolgreich LPDDR5X produziert und durch weitere technologische Entwicklung ein Mobiltelefon mit einer Kapazität von 24 GB auf den Markt gebracht Verpackung und Lieferung haben begonnen. Dieser Schritt eröffnet Smartphone-Herstellern neue Möglichkeiten, insbesondere im Hinblick auf Multitasking und die Ausführung großer Anwendungen
Laut Branchenquellen wurde das mit Spannung erwartete OnePlus Ace 2 Pro schnell mit der Reach-Kooperation verpartnert. Kürzlich gaben Li Jie, Präsident von OnePlus China, und CTO von SK Hynix Greater China gemeinsam bekannt, dass dieses Mobiltelefon das weltweit erste Mobiltelefon sein wird, das mit 24 GB Speicher ausgestattet ist. Diese Massenproduktion stellt einen großen technologischen Durchbruch dar und bietet Benutzern ein besseres Multitasking- und Hochleistungserlebnis
Die Fortschritte, die SK Hynix in nur wenigen Monaten gemacht hat, sind beeindruckend. Im Januar dieses Jahres gaben sie die erfolgreiche Entwicklung von LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5) bekannt
Turbo), einer der schnellsten verfügbaren mobilen DRAMs, der 13 % schneller läuft als bestehende Produkte. Darüber hinaus plant SK Hynix, in der zweiten Hälfte dieses Jahres mit der Massenproduktion von 10-Nanometer-Feinprozessprodukten der vierten Generation (1a) zu beginnen und wird „HKMG (High-K
„Me
tal Gate)“-Prozess zur weiteren Erhöhung der Speichergeschwindigkeit bei gleichzeitiger Reduzierung des Stromverbrauchs. SK hynix‘ kontinuierliche Innovation im Bereich des mobilen DRAM hat der Leistungsverbesserung mobiler Geräte wie Smartphones neue Dynamik verliehen. Mit der Technologie Mit weiter Wir können uns darauf freuen, in naher Zukunft weitere auffällige Entwicklungen zu erleben
Das obige ist der detaillierte Inhalt vonSK Hynix veröffentlicht 24 GB mobiles DRAM: Smartphone-Leistung verbessert sich erneut. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!
Heiße KI -Werkzeuge
Undresser.AI Undress
KI-gestützte App zum Erstellen realistischer Aktfotos
AI Clothes Remover
Online-KI-Tool zum Entfernen von Kleidung aus Fotos.
Undress AI Tool
Ausziehbilder kostenlos
Clothoff.io
KI-Kleiderentferner
AI Hentai Generator
Erstellen Sie kostenlos Ai Hentai.
Heißer Artikel
Heiße Werkzeuge
Notepad++7.3.1
Einfach zu bedienender und kostenloser Code-Editor
SublimeText3 chinesische Version
Chinesische Version, sehr einfach zu bedienen
Senden Sie Studio 13.0.1
Leistungsstarke integrierte PHP-Entwicklungsumgebung
Dreamweaver CS6
Visuelle Webentwicklungstools
SublimeText3 Mac-Version
Codebearbeitungssoftware auf Gottesniveau (SublimeText3)
Heiße Themen
1378
52
Wie viele GB entspricht 1 t Speicher?
Feb 22, 2023 pm 04:55 PM
1 t Speicher entspricht 1024 GB. 1t Speicher bezieht sich auf die Speicherkapazität von „1 TB“, und 1 TB entspricht 1024 GB. Dies ist jedoch nur ein theoretischer Wert, der auf Computerprinzipien basiert. Im Allgemeinen wird der vom System angezeigte verfügbare Speicherplatz geringer sein, da die Definition der Festplatte durch den Computer vom Algorithmus der Festplattenkapazität abweicht Die Festplattenkapazität und die im Betriebssystem angezeigte Zahl können variieren.
Wie viele MB sind 1 g Speicher?
Mar 16, 2023 pm 04:19 PM
1g Speicher ist 1024 MB. g steht für „GB“, was auf Chinesisch „Gigabyte“ bedeutet, und MB bezieht sich auf „Megabyte“. GB und MB werden üblicherweise zur Angabe der Speicherkapazität von Computerfestplatten, Speichern und anderen Speichermedien mit größerer Kapazität verwendet Die Umrechnungsrate zwischen GB und MB beträgt ungefähr 1000 (1024), also „1 GB = 1024 MB“.
Quellen sagen, dass die Ausbeute des fünfschichtig gestapelten 3D-DRAM-Speichers von SK Hynix 56,1 % erreicht hat
Jun 24, 2024 pm 01:52 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 24. Juni berichteten die koreanischen Medien BusinessKorea, dass Brancheninsider enthüllten, dass SK Hynix das neueste Forschungspapier zur 3D-DRAM-Technologie auf dem VLSI 2024 Summit veröffentlicht habe, der vom 16. bis 20. Juni in Hawaii, USA, stattfand. In diesem Artikel berichtet SK Hynix, dass die Ausbeute seines fünfschichtig gestapelten 3D-DRAM-Speichers 56,1 % erreicht hat und das 3D-DRAM im Experiment ähnliche Eigenschaften wie aktuelle 2D-DRAMs aufweist. Berichten zufolge stapelt 3D-DRAM die Zellen im Gegensatz zu herkömmlichem DRAM, bei dem die Speicherzellen horizontal angeordnet sind, vertikal, um eine höhere Dichte auf demselben Raum zu erreichen. Allerdings SK Hynix
Quellen zufolge werden Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 gestapelten mobilen Speicher kommerzialisieren
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September berichteten die koreanischen Medien etnews gestern (Ortszeit), dass die „HBM-ähnlichen“ mobilen Speicherprodukte mit Stapelstruktur von Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 kommerzialisiert werden. Quellen zufolge betrachten die beiden koreanischen Speichergiganten gestapelten mobilen Speicher als wichtige zukünftige Einnahmequelle und planen, den „HBM-ähnlichen Speicher“ auf Smartphones, Tablets und Laptops auszudehnen, um End-Side-KI mit Strom zu versorgen. Früheren Berichten auf dieser Website zufolge heißt das Produkt von Samsung Electronics LPWide I/O-Speicher und SK Hynix nennt diese Technologie VFO. Die beiden Unternehmen haben ungefähr den gleichen technischen Weg gewählt, nämlich die Kombination von Fan-Out-Verpackungen und vertikalen Kanälen. Der LPWide I/O-Speicher von Samsung Electronics hat eine Bitbreite von 512
1 g entspricht der Speicherkapazität in MB
Feb 03, 2023 pm 03:55 PM
1 g entspricht 1024 MB Speicherkapazität. Der vollständige Name von g ist „GB“, was auf Chinesisch „Gigabyte“ bedeutet. Es ist eine dezimale Maßeinheit für Informationen und wird häufig zur Angabe der Speicherkapazität von Computerfestplatten, Speichern und anderen Speichermedien mit größerer Kapazität verwendet. Die Umrechnungsrate zwischen GB und MB beträgt ungefähr 1000 (1024), also „1 GB = 1024 MB“.
Hynix ist der erste, der UFS 4.1-Flash-Speicher demonstriert: basierend auf V9 TLC NAND-Partikeln
Aug 09, 2024 pm 03:33 PM
Laut Nachrichten vom 9. August stellte SK Hynix auf dem FMS2024-Gipfel seine neuesten Speicherprodukte vor, darunter den universellen Flash-Speicher UFS4.1, dessen Spezifikationen noch nicht offiziell veröffentlicht wurden. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste UFS-Spezifikation im August 2022 UFS4.0. Die theoretische Schnittstellengeschwindigkeit beträgt bis zu 46,4 Gbit/s. Es wird erwartet, dass UFS4.1 die Übertragung weiter verbessern wird Rate. 1. Hynix demonstrierte Allzweck-Flash-Speicherprodukte mit 512 GB und 1 TBUFS4.1, basierend auf 321-Layer-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher. SK Hynix zeigte auch 3,2 Gbit/s V92TbQLC- und 3,6 Gbit/s V9H1TbTLC-Partikel. Hynix präsentiert V7-basiert
SK Hynix übernimmt die Führung bei der Demonstration des universellen Flash-Speichers UFS 4.1, der auf V9 TLC NAND-Partikeln basiert
Aug 09, 2024 am 10:42 AM
Laut Nachrichten dieser Website vom 9. August und einer Pressemitteilung von SK Hynix gestern Ortszeit stellte das Unternehmen auf dem FMS2024-Gipfel eine Reihe neuer Speicherprodukte vor, darunter USF4.1-Universal-Flash-Speicher, der noch nicht offiziell veröffentlicht wurde Spezifikationen. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste derzeit angekündigte UFS-Spezifikation UFS4.0 im August 2022. UFS4.0 spezifiziert eine theoretische Schnittstellengeschwindigkeit von bis zu 46,4 Gbit/s für jedes Gerät, und USF4.1 soll die Übertragungsrate weiter verbessern. ▲JEDECUFS-Spezifikationsseite SK Hynix demonstrierte zwei UFS4.1-Allzweck-Flash-Speicher mit Kapazitäten von 512 GB bzw. 1 TB, beide basierend auf dem 321-Layer-Stapel-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher.
Berichten zufolge haben SK Hynix und Samsung Electronics die Produktion von HBM-Speichern in diesem Jahr erheblich ausgeweitet, die aktuelle Ausbeute beträgt jedoch nur 65 %
Mar 05, 2024 pm 04:00 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 4. März berichteten die koreanischen Medien DealSite, dass SK Hynix und Samsung Electronics die Produktion von HBM-Speichern in diesem Jahr deutlich ausweiten werden. HBM-Speicher weisen jedoch Probleme wie eine geringe Ausbeute auf, was es schwierig macht, mit der Nachfrage im Zusammenhang mit dem KI-Markt Schritt zu halten. HBM-Speicher sind ein heißes Gut auf dem KI-Halbleitermarkt und verwenden Wafer-Level-Packaging (WLP): Mehrschichtige DRAM-Speicherwafer werden über Siliziumlöcher mit dem Basiswafer verbunden dass der gesamte HBM-Stapel verschrottet wird. ▲HBM-Speicherstrukturdiagramm. Bildquelle: SK Hynix nimmt als Beispiel ein 8-schichtiges gestapeltes Produkt. Wenn die Ausbeute jedes Stapels 90 % beträgt, beträgt die Ausbeute des gesamten HBM-Stacks nur 43 % und mehr als die Hälfte des DRAM wird verworfen . Und wenn HBM den 12. Stock erreicht,
