Samsung Electronics plant, im nächsten Jahr die Dual-Layer-Stack-V-NAND-Flash-Speichertechnologie mit mehr als 300 Schichten auf den Markt zu bringen

Den neuesten Berichten zufolge plant Samsung Electronics, im nächsten Jahr V-NAND-Flash-Speicherprodukte der 9. Generation auf den Markt zu bringen. Dieses neue Produkt wird eine Dual-Layer-Stack-Architektur mit mehr als 300 Schichten übernehmen und einen Durchbruch auf dem Gebiet der Speichertechnologie bringen . Berichten zufolge plant SK Hynix, im ersten Halbjahr 2025 mit der Massenproduktion von 321-Layer-NAND-Flash-Speichern mit einer dreischichtigen Stack-Architektur zu beginnen. Allerdings hat Samsung bereits im Jahr 2020 erfolgreich den V-NAND-Flash-Speicherchip der 7. Generation produziert

Diese innovative Initiative soll die Speicherdichte deutlich erhöhen und so dazu beitragen, die Herstellungskosten von Solid-State-Laufwerken zu senken und den Verbrauchern ein Angebot zu machen mit einer kostengünstigeren Speicherlösung. Die Dual-Layer-Stack-Architekturtechnologie von Samsung ist ein neuer Stack, der auf dem bestehenden 3D-NAND-Stack aufbaut. Diese Methode kann nicht nur die Produktion steigern, sondern auch Ressourcen effizienter nutzen. Nach dem Verständnis des Herausgebers übernimmt SK hynix eine Dreischichtige Stapelarchitektur, die sich von der Konkurrenz unterscheidet. Diese Architektur erstellt drei verschiedene Schichtensätze auf einer 3D-NAND-Schicht. Dies kann zwar die Produktion steigern, erhöht aber auch den Einsatz von Produktionsschritten und Rohstoffen

Brancheninsider verrieten der Seoul Economic Daily, dass Samsung die 9. Generation von 3D auf den Markt bringt Nach NAND wird erwartet, dass in den Produkten der 10. Generation eine dreischichtige Stapelarchitektur eingeführt wird, die voraussichtlich 430 Schichten erreichen wird. Diese Technologiewahl gewährleistet nicht nur einen höheren Durchsatz, sondern wird auch dem Rohstoff- und Kostendruck gerecht, der bei mehr als 400 Schichten auftreten kann.

Auf dem „2022 Samsung Technology Day“ im Jahr 2022 schlug Samsung ehrgeizige langfristige Ziele vor und plante die Einführung von 3D Die Anzahl der NAND-Schichten wurde auf 1.000 erhöht. Dieses Ziel zeigt Samsungs anhaltendes Streben nach der Entwicklung zukünftiger Speichertechnologie.

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