Heim Technologie-Peripheriegeräte IT Industrie Es wird erwartet, dass der Schnellladekopf zum „Kohlpreis' wird. Die neue Technologie des japanischen Unternehmens wird die Kosten für Galliumnitrid-Halbleitermaterialien um 90 % senken

Es wird erwartet, dass der Schnellladekopf zum „Kohlpreis' wird. Die neue Technologie des japanischen Unternehmens wird die Kosten für Galliumnitrid-Halbleitermaterialien um 90 % senken

Sep 09, 2023 pm 02:37 PM
gan Galliumnitrid Schnellladekopf

Laut Nachrichten dieser Website vom 5. September gaben Shin-Etsu Chemical Industries, Japans größtes Halbleiterwafer-Unternehmen, und OKI Company, das sich mit Geldautomaten und Kommunikationsgeräten beschäftigt, kürzlich bekannt, dass sie eine kostengünstige Stromproduktion entwickelt haben Halbleiter mit Galliumnitrid (GaN) Materialtechnologie .

Berichten zufolge kann diese Technologie die Herstellungskosten auf weniger als ein Zehntel der herkömmlichen Herstellungsmethoden senken. Wenn es in Massenproduktion hergestellt werden kann, wird es dazu beitragen, Geräte wie Schnellladegeräte bekannter zu machen.

Diese Website hat aus der offiziellen Pressemitteilung erfahren, dass Die von Shin-Etsu Chemical Industry und OKI entwickelte neue Technologie Gas der Galliumreihe auf ein einzigartiges QST-Substrat sprühen kann, um Kristalle zu züchten. Die verdickte Kristalltechnologie von Shin-Etsu Chemical Industry wird mit der Bonding-Technologie von OKI kombiniert, um nur den Kristall vom Substrat abzuheben. Der Kristall wird auf anderen Substraten platziert und als Wafer für Leistungshalbleiter verwendet.

快充头有望“白菜价”,日企新技术将氮化镓半导体材料成本降 90%
▲ Bildquelle OKI

Shin-Etsu Chemical Industry gab an, dass die Methode zur Züchtung von GaN-Kristallen auf GaN-Substraten nicht nur zeitaufwändig in der Herstellung sei, sondern auch eine schlechte Ausbeute und hohe Kosten mit sich bringe. Mit der neuen Herstellungsmethode können Kristalle effizient hergestellt und die Kosten um 90 % gesenkt werden. Im Vergleich zur Methode, GaN-Kristalle auf einem Siliziumsubstrat zu züchten, ist keine Isolierschicht zwischen Substrat und Kristall erforderlich. In Verbindung mit der Verdickung des Kristallfilms kann der 20-fache Strom durchgelassen werden.

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Shin-Etsu Chemical Industry gab bekannt, dass mit dieser Technologie 6-Zoll-Wafer hergestellt werden können, und hofft, diese im Jahr 2025 auf 8 Zoll zu erhöhen. In Zukunft werden auch Geschäftsmodelle wie der Verkauf von Technologie an Halbleiter in Betracht gezogen Hersteller.

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199 Yuan! Xiaomi 120-W-Galliumnitrid-Little-Pudding-Ladegerät-Set veröffentlicht: Unterstützt UFCS Fusion-Schnellladung 199 Yuan! Xiaomi 120-W-Galliumnitrid-Little-Pudding-Ladegerät-Set veröffentlicht: Unterstützt UFCS Fusion-Schnellladung Apr 07, 2024 am 11:46 AM

Laut Nachrichten vom 7. April hat Xiaomi kürzlich ein kleines 120-W-Galliumnitrid-Ladegerät zum Preis von 199 Yuan auf den Markt gebracht. Das Set enthält ein 1,5 Meter langes Dual-USB-C6A-Schnellladedatenkabel. Was das ID-Design angeht, hat das Ladegerät ein rundes Design mit einer Größe von 34*34*53 mm und einer USB-C-Schnittstelle auf der Oberseite. Im Vergleich zum regulären 120-W-Galliumnitrid-Ladegerät ist die Größe um 42 % kleiner bequemer zu transportieren. In Bezug auf die Kompatibilität unterstützt es neben der Kompatibilität mit PS3.0/2.0 und QC3.0/2.0 auch das integrierte Schnellladeprotokoll UFCS1.0, das eine leistungsstarke Schnellladung für andere Nicht-Xiaomi-Mobiltelefone ermöglicht Lösen Sie das Problem der Inkompatibilität zwischen gegenseitigem Schnellladen. Es wird berichtet, dass das Ladegerät den Ausgangsstrom intelligent erkennen und Kopfhörer, Tablets, Uhren, Laptops und andere Geräte aufladen kann.

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Laut Nachrichten dieser Website vom 5. Juli veröffentlichte GlobalFoundries am 1. Juli dieses Jahres eine Pressemitteilung, in der die Übernahme der Power-Galliumnitrid (GaN)-Technologie und des Portfolios an geistigem Eigentum von Tagore Technology angekündigt wurde, in der Hoffnung, seinen Marktanteil in den Bereichen Automobile und Internet auszubauen Anwendungsbereiche für Rechenzentren mit künstlicher Intelligenz, um höhere Effizienz und bessere Leistung zu erforschen. Da sich Technologien wie generative künstliche Intelligenz (GenerativeAI) in der digitalen Welt weiterentwickeln, ist Galliumnitrid (GaN) zu einer Schlüssellösung für nachhaltiges und effizientes Energiemanagement, insbesondere in Rechenzentren, geworden. Auf dieser Website wurde die offizielle Ankündigung zitiert, dass sich das Ingenieurteam von Tagore Technology im Rahmen dieser Übernahme mit GF zusammenschließen wird, um die Galliumnitrid-Technologie weiterzuentwickeln. G

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