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Der HBM4-Speicher befindet sich in der Entwicklung und wird eine breitere 2048-Bit-Schnittstelle verwenden
Der HBM4-Speicher befindet sich in der Entwicklung und wird eine breitere 2048-Bit-Schnittstelle verwenden
Offizielle Nachrichten von Samsung zeigen, dass HBM-Speicher für Hochleistungsrechnen (HPC) neue Fortschritte gemacht hat. Das 9,8-Gbit/s-HBM3E-Produkt hat mit der Bemusterung an Kunden begonnen, während der HBM4-Speicher voraussichtlich im Jahr 2025 auf den Markt kommen wird. TSMC gab an, dass sich die Schnittstellenbitbreite des HBM4-Speichers in Zukunft auf 2048 Bit verdoppeln wird Das Erreichen dieses Ziels wird auch die Verbindungsdichte des HBM-Speichers der nächsten Generation verdoppeln, ohne die Taktraten weiter zu erhöhen.
Der Plan sieht vor, dass HBM4 dadurch große Durchbrüche auf mehreren technischen Ebenen erzielen kann.
In Bezug auf das DRAM-Stacking erfordert eine 2048-Bit-Speicherschnittstelle eine deutliche Erhöhung der Anzahl der Silizium-Durchkontaktierungen. Gleichzeitig muss die externe Chip-Schnittstelle den Bump-Pitch auf weniger als 55 Mikrometer reduzieren und die Anzahl der Mikro-Bumps deutlich erhöhen (Hinweis von dieser Website: HBM3 verfügt derzeit über etwa 3982 Mikro-Bumps).
Darüber hinaus wird HBM4 den 16-Hi-Stacking-Modus übernehmen, der 16 Speicherchips in einem Modul stapelt, was die technische Komplexität erhöht (obwohl HBM3 aus technischer Sicht auch 16-Hi-Stacking unterstützt, aber so Bisher hat noch kein Hersteller diesen Ansatz tatsächlich übernommen.)
All diese neuen Kennzahlen erfordern wiederum eine engere Zusammenarbeit zwischen Chipherstellern, Speicherherstellern und Chipverpackungsunternehmen, um sicherzustellen, dass alles reibungslos läuft.
Auf der TSMC OIP 2023-Konferenz in Amsterdam sagte Dan Kochpatcharin, Leiter Design Infrastructure Management bei TSMC: „Denn anstatt die Geschwindigkeit zu verdoppeln, haben sie die [Schnittstellen-]Pins [mit HBM4] verdoppelt. Deshalb arbeiten wir hart daran.“ Stellen Sie sicher, dass wir mit allen drei Partnern zusammenarbeiten, um ihr HBM4 [über unsere fortschrittliche Verpackung verfügbar] zu qualifizieren, und stellen Sie sicher, dass der RDL oder der Mediator oder irgendetwas dazwischen das Layout und die Geschwindigkeit von HBM4 unterstützen kann Kooperation mit Samsung, SK Hynix und Micron.“
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Samsung bringt PM1753 SSD für Rechenzentren auf den Markt: 14,8 GB/s sequentielles Lesen, 3,4 Millionen zufälliges Lesen IOPS
Aug 08, 2024 pm 04:40 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 8. August stellte Samsung auf dem Flash Memory Summit (FMS) 2024 eine Vielzahl neuer SSD-Produkte vor – PM1753, BM1743, PM9D3a, PM9E1 – und testete auch die neunte Generation QLCV-NAND, TLCV-NAND und CMM-D-DRAM-, CMM-HTM-, CMM-HPM- und CMM-BCXL-Technologien wurden eingeführt. BM1743 verwendet QLC-Flash-Speicher mit einer Kapazität von bis zu 128 TB, einer kontinuierlichen Lesegeschwindigkeit von 7,5 GB/s, einer Schreibgeschwindigkeit von 3,5 GB/s, einer zufälligen Lesegeschwindigkeit von 1,6 Millionen IOPS und einer Schreibgeschwindigkeit von 45.000 IOPS 2,5-Zoll-Formfaktor und eine U.2-Schnittstelle, und im Leerlauf wird der Stromverbrauch auf 4 W reduziert, und zwar nur nach nachfolgenden OTA-Updates
Mit der branchenweit höchsten Übertragungsrate von 3,6 GB/s kündigt Micron die Massenproduktion von 276-Layer-TLC-NAND-Flash-Speichern der neunten Generation an
Jul 31, 2024 am 08:05 AM
Laut Nachrichten dieser Website vom 30. Juli gab Micron heute (Ortszeit) bekannt, dass sein 3DTLC NAND-Flash-Speicher der neunten Generation (Hinweis zur Website: 276 Schichten) in Massenproduktion hergestellt und ausgeliefert wird. Micron gab an, dass sein G9NAND die branchenweit höchste I/O-Übertragungsrate von 3,6 GB/s (d. h. 3600 MT/s Flash-Speicherschnittstellenrate) aufweist, was 50 % höher ist als die bestehenden Konkurrenzprodukte von 2400 MT/s und diese besser erfüllen kann Anforderungen datenintensiver Workloads. Gleichzeitig ist Microns G9NAND hinsichtlich der Schreibbandbreite bzw. Lesebandbreite 99 % bzw. 88 % höher als andere Lösungen auf dem Markt. Dieser Vorteil auf NAND-Partikelebene bringt Leistung und Energieeffizienz für Solid-State-Laufwerke und eingebettete Speicher Lösungen. Darüber hinaus ist Micron 276, wie frühere Generationen von Micron NAND-Flash-Speichern, erhältlich
Samsung Galaxy S25 Ultra-Handy durchgesickert: 6,86 Zoll, horizontales Bildschirm-zu-Körper-Verhältnis 94,1 %
Aug 17, 2024 pm 01:49 PM
Laut einer Nachricht vom 17. August hat die Quelle @ibinguniverse heute auf Weibo gepostet, dass die genaue Größe des Apple iPhone 16 Pro Max 6,88 Zoll und die genaue Größe des Galaxy S25 Ultra 6,86 Zoll beträgt. Beide können als 6,9 Zoll angesehen werden . Quellen zufolge hat das Samsung Galaxy S25 Ultra ein schmaleres Gehäuse und einen breiteren Bildschirm als das S24 Ultra, mit einem horizontalen Bildschirm-zu-Körper-Verhältnis von 94,1 %, während das horizontale Bildschirm-zu-Körper-Verhältnis des S24 Ultra 91,5 % beträgt. Fenye überprüfte das entsprechende Weibo der Quelle. Er kommentierte auch die neu belichteten Fotos des iPhone 16 Pro Max und glaubte, dass es falsch sei, sich an einer Mikrokurve zu orientieren. Das Telefon sei tatsächlich ein gerader Bildschirm + 2,5D-Glas.
Quellen zufolge werden Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 gestapelten mobilen Speicher kommerzialisieren
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September berichteten die koreanischen Medien etnews gestern (Ortszeit), dass die „HBM-ähnlichen“ mobilen Speicherprodukte mit Stapelstruktur von Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 kommerzialisiert werden. Quellen zufolge betrachten die beiden koreanischen Speichergiganten gestapelten mobilen Speicher als wichtige zukünftige Einnahmequelle und planen, den „HBM-ähnlichen Speicher“ auf Smartphones, Tablets und Laptops auszudehnen, um End-Side-KI mit Strom zu versorgen. Früheren Berichten auf dieser Website zufolge heißt das Produkt von Samsung Electronics LPWide I/O-Speicher und SK Hynix nennt diese Technologie VFO. Die beiden Unternehmen haben ungefähr den gleichen technischen Weg gewählt, nämlich die Kombination von Fan-Out-Verpackungen und vertikalen Kanälen. Der LPWide I/O-Speicher von Samsung Electronics hat eine Bitbreite von 512
Samsungs 10.000 Yuan teures faltbares Telefon W25 enthüllte: 5-Megapixel-Unterbildschirm-Frontkamera und dünneres Gehäuse
Aug 23, 2024 pm 12:43 PM
Laut Nachrichten vom 23. August steht Samsung kurz vor der Markteinführung eines neuen Falthandys W25, das voraussichtlich Ende September vorgestellt wird. Es wird entsprechende Verbesserungen bei der Frontkamera unter dem Bildschirm und der Gehäusedicke mit sich bringen. Berichten zufolge wird das Samsung W25 mit dem Codenamen Q6A mit einer 5-Megapixel-Unterbildschirmkamera ausgestattet sein, was eine Verbesserung gegenüber der 4-Megapixel-Kamera der Galaxy Z Fold-Serie darstellt. Darüber hinaus werden die Frontkamera mit externem Bildschirm und die Ultraweitwinkelkamera des W25 voraussichtlich 10 bzw. 12 Millionen Pixel groß sein. Vom Design her ist das W25 im zusammengeklappten Zustand etwa 10 mm dick und damit etwa 2 mm dünner als das Standard-Galaxy Z Fold 6. In Bezug auf den Bildschirm verfügt das W25 über einen externen Bildschirm von 6,5 Zoll und einen internen Bildschirm von 8 Zoll, während das Galaxy Z Fold6 über einen externen Bildschirm von 6,3 Zoll und einen internen Bildschirm von 8 Zoll verfügt.
Samsung wird voraussichtlich frühestens Ende 2024 mit der Installation seiner ersten ASML High-NA EUV-Lithografiemaschine beginnen
Aug 16, 2024 am 11:11 AM
Laut Nachrichten dieser Website vom 16. August berichtete die Seoul Economic Daily gestern (15. August), dass Samsung zwischen dem vierten Quartal 2024 und dem ersten Quartal 2025 seine erste High-NAEUV-Lithographiemaschine von ASML installieren wird. Dies wird voraussichtlich der Fall sein Mitte 2025 in Betrieb genommen werden. Berichten zufolge wird Samsung auf seinem Hwaseong-Campus die erste ASMLTwinscanEXE:5000High-NA-Lithographiemaschine installieren, die hauptsächlich für Forschungs- und Entwicklungszwecke zur Entwicklung von Fertigungstechnologien der nächsten Generation für Logik und DRAM verwendet wird. Samsung plant, ein starkes Ökosystem rund um die High-NAEUV-Technologie aufzubauen: Neben der Anschaffung von High-NAEUV-Lithografiegeräten kooperiert Samsung auch mit dem japanischen Unternehmen Lasertec, um High-NAEUV-Lithografiegeräte speziell für High-NAEUV-Lithografiegeräte zu entwickeln.
Vollständige Codenamen der Xiaomi 15-Serie enthüllt: Dada, Haotian, Xuanyuan
Aug 22, 2024 pm 06:47 PM
Die offizielle Veröffentlichung der Xiaomi Mi 15-Serie wird im Oktober erwartet, und die vollständigen Codenamen der Serie wurden in der MiCode-Codebasis ausländischer Medien veröffentlicht. Unter ihnen trägt das Flaggschiff Xiaomi Mi 15 Ultra den Codenamen „Xuanyuan“ (was „Xuanyuan“ bedeutet). Dieser Name stammt vom Gelben Kaiser in der chinesischen Mythologie, der Adel symbolisiert. Xiaomi 15 trägt den Codenamen „Dada“, während Xiaomi 15Pro den Namen „Haotian“ (was „Haotian“ bedeutet) trägt. Der interne Codename des Xiaomi Mi 15S Pro lautet „dijun“, was auf Kaiser Jun anspielt, den Schöpfergott von „The Classic of Mountains and Seas“. Abdeckungen der Xiaomi 15Ultra-Serie
Ein erster Blick auf das Samsung Galaxy Z Fold6 / Flip6-Handymodell Gemini Nano AI: lokal ausgeführt, noch nicht in Galaxy AI integriert
Aug 10, 2024 pm 01:59 PM
Laut Nachrichten vom 10. August veröffentlichte das Technologiemedium Android Authority am 8. August einen Blogbeitrag, in dem es hieß, dass Samsung Galaxy Z Fold6 und Galaxy Z Flip 6 die ersten Falttelefone seien, die den lokalen Betrieb des Gemini Nano AI-Modells unterstützen. Laut Berichten unter Berufung auf Quellen handelt es sich bei den Modellen Galaxy AI und Gemini Nano AI zum jetzigen Zeitpunkt noch nicht um eine Integration textbasierter Funktionen , Notizhilfe, Textaufzeichnungshilfe oder Browsing-Hilfe) ) weder. Dieser Medientest kann GalaxyAI lokal ausführen, ohne das GeminiNano-Modell herunterzuladen: Samsun
