


GlobalFoundries erhält 35 Millionen US-Dollar an US-Finanzmitteln, um die Herstellung von Galliumnitrid-Chips der nächsten Generation zu beschleunigen
Laut Nachrichten dieser Website vom 19. Oktober war GlobalFoundries (GlobalFoundries) zunächst unabhängig von der Fertigungsabteilung von AMD Semiconductor. Es ist derzeit die viertgrößte professionelle Wafergießerei in Dresden, Deutschland. Es gibt viele Fabriken in Austin und New York State (im Bau) in den Vereinigten Staaten.
GF gibt nun eine Pressemitteilung heraus, in der es bekannt gibt, dass es vom US-Verteidigungsministerium 35 Millionen US-Dollar (Anmerkung von dieser Website: derzeit etwa 256 Millionen RMB) erhalten hat, um die Herstellung von Siliziumnitriden in seinem Werk in Essex, Vermont, zu beschleunigen (GaN auf Si)-Chip.

Die Finanzierung basiert auf einer mehrjährigen Zusammenarbeit mit der US-Regierung, einschließlich einer Unterstützung in Höhe von 40 Millionen US-Dollar von 2020 bis 2022, so GF. Die Finanzierung soll das Unternehmen der Massenproduktion von Galliumnitrid auf Silizium auf 200-mm-Wafern, dem neuesten Stand der GaN-Technologie, näher bringen.
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Es ist nicht sicher, wer den 1-nm-Chip hergestellt hat. Aus Forschungs- und Entwicklungsperspektive wurde der 1-nm-Chip gemeinsam von Taiwan, China und den Vereinigten Staaten entwickelt. Aus Sicht der Massenproduktion ist diese Technologie noch nicht vollständig ausgereift. Der Hauptverantwortliche für diese Forschung ist Dr. Zhu Jiadi vom MIT, ein chinesischer Wissenschaftler. Dr. Zhu Jiadi sagte, dass sich die Forschung noch in einem frühen Stadium befinde und noch weit von der Massenproduktion entfernt sei.

Neuigkeiten von dieser Website am 28. November. Laut der offiziellen Website von Changxin Memory hat Changxin Memory den neuesten LPDDR5DRAM-Speicherchip auf den Markt gebracht. Es ist die erste inländische Marke, die unabhängig entwickelte und produzierte LPDDR5-Produkte auf den Markt bringt Markt und hat auch dafür gesorgt, dass das Produktlayout von Changxin Storage auf dem Markt für mobile Endgeräte vielfältiger ist. Auf dieser Website wurde festgestellt, dass die Produkte der LPDDR5-Serie von Changxin Memory 12 GB LPDDR5-Partikel, 12 GBLPDDR5-Chips im POP-Gehäuse und 6 GBLPDDR5-Chips im DSC-Gehäuse umfassen. Der 12GBLPDDR5-Chip wurde auf Modellen gängiger inländischer Mobiltelefonhersteller wie Xiaomi und Transsion verifiziert. LPDDR5 ist ein von Changxin Memory eingeführtes Produkt für den Markt für mobile Geräte der mittleren bis oberen Preisklasse.

Diese Website berichtete am 13. November, dass laut Taiwan Economic Daily die Nachfrage nach fortschrittlichen CoWoS-Paketen von TSMC explodieren wird. Neben NVIDIA, das seine Auftragsausweitung im Oktober bestätigt hat, sind auch Schwergewichtskunden wie Apple, AMD, Broadcom und Marvell dabei haben in letzter Zeit auch Aufträge deutlich verfolgt. Berichten zufolge arbeitet TSMC intensiv daran, den Ausbau der Produktionskapazität für fortschrittliche Verpackungen von CoWoS zu beschleunigen, um den Anforderungen der oben genannten fünf Großkunden gerecht zu werden. Die monatliche Produktionskapazität wird im nächsten Jahr voraussichtlich um etwa 20 % vom ursprünglichen Ziel auf 35.000 Stück steigen. Analysten sagten, dass die fünf Hauptkunden von TSMC große Bestellungen aufgegeben haben, was zeigt, dass Anwendungen der künstlichen Intelligenz weit verbreitet sind und große Hersteller daran interessiert sind Die Nachfrage nach Chips für künstliche Intelligenz ist erheblich gestiegen. Die aktuelle CoWoS-Verpackungstechnologie ist hauptsächlich in drei Typen unterteilt: CoWos-S

Laut Nachrichten dieser Website vom 24. August stellten die meisten Technologiehersteller auf der Gamescom einige neue oder kommende neue Produkte vor. Beispielsweise zeigte ASRock seine aktualisierte „Halbgeneration“-Version des Z790-Motherboards. Diese neuen Motherboards verwenden den RTL8125-BG-Chip wird anstelle des RTL8126-CG verwendet, der im Prototyp auf der Computex-Messe im Juni verwendet wurde. Laut den niederländischen Medien Tweakers gaben mehrere an der Gamescom teilnehmende Motherboard-Hersteller bekannt, dass der kabelgebundene 5-GbE-Netzwerkkartenchip RTL8126-CG von Realtek zwar günstiger ist, aber aufgrund von Stabilitätsproblemen nicht auf Motherboards installiert wird, die Realtek angeblich behebt Das ist ein Problem, aber sie werden es nicht beheben können, bevor die neuen Motherboards im Herbst auf den Markt kommen

Die neuesten Nachrichten zeigen, dass laut Berichten des Science and Technology Innovation Board Daily und von Blue Whale Finance Quellen aus der Industriekette enthüllten, dass NVIDIA die neueste Version von KI-Chips entwickelt hat, die für den chinesischen Markt geeignet sind, darunter HGXH20, L20PCle und L2PCle. Bisher hat sich NVIDIA nicht dazu geäußert, dass diese drei Chips alle auf Verbesserungen von NVIDIA H100 basieren und dass inländische Hersteller diese voraussichtlich schon am 16. November bekannt geben werden Tage. Nach Prüfung öffentlicher Informationen erfuhren wir, dass NVIDIAH100TensorCoreGPU die neue Hopper-Architektur übernimmt, die auf dem TSMC N4-Prozess basiert und 80 Milliarden Transistoren integriert. Im Vergleich zum Produkt der vorherigen Generation kann es Multi-Experten (MoE) bereitstellen.

Laut Nachrichten vom 7. April hat Xiaomi kürzlich ein kleines 120-W-Galliumnitrid-Ladegerät zum Preis von 199 Yuan auf den Markt gebracht. Das Set enthält ein 1,5 Meter langes Dual-USB-C6A-Schnellladedatenkabel. Was das ID-Design angeht, hat das Ladegerät ein rundes Design mit einer Größe von 34*34*53 mm und einer USB-C-Schnittstelle auf der Oberseite. Im Vergleich zum regulären 120-W-Galliumnitrid-Ladegerät ist die Größe um 42 % kleiner bequemer zu transportieren. In Bezug auf die Kompatibilität unterstützt es neben der Kompatibilität mit PS3.0/2.0 und QC3.0/2.0 auch das integrierte Schnellladeprotokoll UFCS1.0, das eine leistungsstarke Schnellladung für andere Nicht-Xiaomi-Mobiltelefone ermöglicht Lösen Sie das Problem der Inkompatibilität zwischen gegenseitigem Schnellladen. Es wird berichtet, dass das Ladegerät den Ausgangsstrom intelligent erkennen und Kopfhörer, Tablets, Uhren, Laptops und andere Geräte aufladen kann.

Laut Nachrichten dieser Website vom 5. Juli veröffentlichte GlobalFoundries am 1. Juli dieses Jahres eine Pressemitteilung, in der die Übernahme der Power-Galliumnitrid (GaN)-Technologie und des Portfolios an geistigem Eigentum von Tagore Technology angekündigt wurde, in der Hoffnung, seinen Marktanteil in den Bereichen Automobile und Internet auszubauen Anwendungsbereiche für Rechenzentren mit künstlicher Intelligenz, um höhere Effizienz und bessere Leistung zu erforschen. Da sich Technologien wie generative künstliche Intelligenz (GenerativeAI) in der digitalen Welt weiterentwickeln, ist Galliumnitrid (GaN) zu einer Schlüssellösung für nachhaltiges und effizientes Energiemanagement, insbesondere in Rechenzentren, geworden. Auf dieser Website wurde die offizielle Ankündigung zitiert, dass sich das Ingenieurteam von Tagore Technology im Rahmen dieser Übernahme mit GF zusammenschließen wird, um die Galliumnitrid-Technologie weiterzuentwickeln. G

Laut Nachrichten dieser Website vom 5. September gaben Shin-Etsu Chemical Industries, Japans größtes Halbleiterwafer-Unternehmen, und OKI Company, das sich mit Geldautomaten und Kommunikationsgeräten beschäftigt, kürzlich bekannt, dass sie eine kostengünstige Herstellungsmethode für Leistungshalbleiter entwickelt haben Materialien mit Galliumnitrid (GaN)-Technologie. Berichten zufolge können mit dieser Technologie die Herstellungskosten auf weniger als ein Zehntel der herkömmlichen Herstellungsmethoden gesenkt werden. Wenn es in Massenproduktion hergestellt werden kann, wird es dazu beitragen, Geräte wie Schnellladegeräte bekannter zu machen. Diese Website erfuhr aus der offiziellen Pressemitteilung, dass die von Shin-Etsu Chemical Industry und OKI entwickelte neue Technologie Gas der Galliumreihe auf ein einzigartiges QST-Substrat sprühen kann, um Kristalle zu züchten. Die Kristallverdickungstechnologie von Shin-Etsu Chemical Industry wird mit der Klebetechnologie von OKI kombiniert, um nur den Kristall vom Substrat zu entfernen. Der Kristall wird auf anderen Substraten platziert und als Wafer für Leistungshalbleiter verwendet. ▲Bildquelle OKI Shin-Etsu Chemical
