Samsung bringt HBM3E DRAM der nächsten Generation auf den Markt, Shinebolt ist führend bei der Innovation von KI-Rechenzentren

Neuigkeiten: Am 21. Oktober hatte Samsung einen großen Auftritt beim heutigen Storage Technology Day und stellte eine Reihe neuer Produkte vor, darunter das HBM3E der nächsten Generation DRAM mit dem Namen „Shinebolt“ ist darauf ausgelegt, die Anwendungsanforderungen von KI-Rechenzentren der nächsten Generation zu erfüllen.

Nach Angaben des Herausgebers sagte Samsung, dass der „Shinebolt“ HBM3E DRAM eine Geschwindigkeit von bis zu 9,8 Gbit/s pro Pin hat, was erstaunliche 1,2 bringen wird Mit einer Übertragungsrate von Tbit/s dürfte diese bahnbrechende Technologie die Gesamtbetriebskosten (TCO) von Rechenzentren senken und die Effizienz von KI-Modelltrainings- und Inferenzaufgaben deutlich verbessern.

Um eine stärkere Schichtstapelung zu erreichen und die Wärmeableitungsleistung zu verbessern, hat Samsung außerdem die Non-Conductive-Film-Technologie (NCF) optimiert, die die Lücken zwischen den Chipschichten verringert und die Wärmeleitfähigkeit maximiert.

Neben „Shinebolt“ kündigte Samsung auch vor Ort an, dass es 8H und 12H sind HBM3-Produkte befinden sich derzeit in der Massenproduktion und „Shinebolt“-Muster wurden bereits an Kunden ausgeliefert. Als umfassender Lösungsanbieter im Halbleiterbereich plant Samsung, seinen Kunden maßgeschneiderte Dienstleistungen aus einer Hand zu bieten, die HBM der nächsten Generation, fortschrittliche Verpackungstechnologie und Gießereiprodukte organisch kombinieren.

Bei dieser Veranstaltung stellte Samsung auch eine Reihe weiterer neuer Produkte vor, darunter 32 GB DDR5-DRAM mit der höchsten Kapazität der Branche und die ersten 32 Gbit/s der Branche GDDR7. Darüber hinaus führten sie auch PBSSD auf Petabyte-Ebene ein, das die Speicherkapazitäten von Serveranwendungen erheblich verbessert und eine leistungsfähigere Unterstützung für Rechenzentren bietet.

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