


Infineon erwirbt GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar und festigt damit seine Führungsposition im Bereich Galliumnitrid
Laut Nachrichten dieser Website vom 25. Oktober gab Infineon Technologies den Abschluss der Übernahme von Gallium Nitride Systems (GaN Systems) am 24. Oktober 2023 bekannt und behauptete, „das führende Galliumnitrid-Unternehmen zu werden“.
Infineon sagte, dass das Unternehmen mit Hauptsitz in Ottawa, Kanada, ein umfangreiches Portfolio an Galliumnitrid (GaN)-Stromumwandlungslösungen und führender Anwendungstechnologie zu Infineon bringt. Alle erforderlichen behördlichen Genehmigungen wurden eingeholt und mit dem Abschluss ist GaN Systems offiziell ein integraler Bestandteil von Infineon geworden.
Umgeschrieben: Infineon verfügt derzeit über 450 Experten für Galliumnitrid-Technologie und mehr als 350 Patentfamilien für Galliumnitrid-Technologie. Infineon sagte, dass die komplementären Vorteile des Unternehmens und von GaN Systems in Bezug auf geistige Eigentumsrechte, tiefes Anwendungsverständnis und ausgereifte Kundenprojektplanung äußerst günstige Bedingungen für Infineon geschaffen haben, um verschiedene schnell wachsende Anwendungsanforderungen zu erfüllen
2023 Am 2. März Infineon und GaN Systems gaben gemeinsam bekannt, dass die beiden Parteien eine endgültige Vereinbarung unterzeichnet haben. Gemäß dieser Vereinbarung hat Infineon 830 Millionen US-Dollar (Anmerkung auf dieser Website: derzeit etwa 6,067 Milliarden Yuan) für die Übernahme von GaN Systems ausgegeben. Die „All-Cash“-Akquisition wurde unter Ausnutzung vorhandener Liquidität durchgeführt.
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Laut Nachrichten vom 7. April hat Xiaomi kürzlich ein kleines 120-W-Galliumnitrid-Ladegerät zum Preis von 199 Yuan auf den Markt gebracht. Das Set enthält ein 1,5 Meter langes Dual-USB-C6A-Schnellladedatenkabel. Was das ID-Design angeht, hat das Ladegerät ein rundes Design mit einer Größe von 34*34*53 mm und einer USB-C-Schnittstelle auf der Oberseite. Im Vergleich zum regulären 120-W-Galliumnitrid-Ladegerät ist die Größe um 42 % kleiner bequemer zu transportieren. In Bezug auf die Kompatibilität unterstützt es neben der Kompatibilität mit PS3.0/2.0 und QC3.0/2.0 auch das integrierte Schnellladeprotokoll UFCS1.0, das eine leistungsstarke Schnellladung für andere Nicht-Xiaomi-Mobiltelefone ermöglicht Lösen Sie das Problem der Inkompatibilität zwischen gegenseitigem Schnellladen. Es wird berichtet, dass das Ladegerät den Ausgangsstrom intelligent erkennen und Kopfhörer, Tablets, Uhren, Laptops und andere Geräte aufladen kann.

Laut Nachrichten dieser Website vom 5. Juli veröffentlichte GlobalFoundries am 1. Juli dieses Jahres eine Pressemitteilung, in der die Übernahme der Power-Galliumnitrid (GaN)-Technologie und des Portfolios an geistigem Eigentum von Tagore Technology angekündigt wurde, in der Hoffnung, seinen Marktanteil in den Bereichen Automobile und Internet auszubauen Anwendungsbereiche für Rechenzentren mit künstlicher Intelligenz, um höhere Effizienz und bessere Leistung zu erforschen. Da sich Technologien wie generative künstliche Intelligenz (GenerativeAI) in der digitalen Welt weiterentwickeln, ist Galliumnitrid (GaN) zu einer Schlüssellösung für nachhaltiges und effizientes Energiemanagement, insbesondere in Rechenzentren, geworden. Auf dieser Website wurde die offizielle Ankündigung zitiert, dass sich das Ingenieurteam von Tagore Technology im Rahmen dieser Übernahme mit GF zusammenschließen wird, um die Galliumnitrid-Technologie weiterzuentwickeln. G

Laut Nachrichten dieser Website vom 5. September gaben Shin-Etsu Chemical Industries, Japans größtes Halbleiterwafer-Unternehmen, und OKI Company, das sich mit Geldautomaten und Kommunikationsgeräten beschäftigt, kürzlich bekannt, dass sie eine kostengünstige Herstellungsmethode für Leistungshalbleiter entwickelt haben Materialien mit Galliumnitrid (GaN)-Technologie. Berichten zufolge können mit dieser Technologie die Herstellungskosten auf weniger als ein Zehntel der herkömmlichen Herstellungsmethoden gesenkt werden. Wenn es in Massenproduktion hergestellt werden kann, wird es dazu beitragen, Geräte wie Schnellladegeräte bekannter zu machen. Diese Website erfuhr aus der offiziellen Pressemitteilung, dass die von Shin-Etsu Chemical Industry und OKI entwickelte neue Technologie Gas der Galliumreihe auf ein einzigartiges QST-Substrat sprühen kann, um Kristalle zu züchten. Die Kristallverdickungstechnologie von Shin-Etsu Chemical Industry wird mit der Klebetechnologie von OKI kombiniert, um nur den Kristall vom Substrat zu entfernen. Der Kristall wird auf anderen Substraten platziert und als Wafer für Leistungshalbleiter verwendet. ▲Bildquelle OKI Shin-Etsu Chemical

Laut Nachrichten dieser Website vom 5. August reichte Infineon am 23. Juli Ortszeit eine zusätzliche Klage beim US-Bezirksgericht für den nördlichen Bezirk von Kalifornien ein und beschuldigte Innosec, drei Galliumnitrid (GaN)-Technologien im Besitz von Infineon zu verletzen haben den Patentkonflikt zwischen diesen beiden wichtigen GaN-Unternehmen weiter verschärft. ▲Innosec-Galliumnitrid-Produkte Auf dieser Website wird der Zeitplan für den GaN-Patentstreit zwischen Innosec und Innosec wie folgt gegliedert: Am 14. März 2024 reichte Infineon eine Klage gegen Innosec wegen Verletzung von Infineons US-Patenten im Zusammenhang mit GaN ein und reichte eine erste Klage beim US-Bezirksgericht ein der Northern District of California beantragte am 4. Juni 2024 eine entsprechende Klage gegen Innosec beim Bezirksgericht München in Deutschland;

Laut Nachrichten vom 6. August wurde heute Huaweis superschnelles Ladequellen-Adapter-140-W-Galliumnitrid-GaN-Ladegerät-Set veröffentlicht und ist jetzt auf E-Commerce-Plattformen wie der Huawei Mall erhältlich. Das Set beinhaltet einen Ladekopf und ein 1,8 Meter langes verlängertes USB-C-Schnellladekabel, der Einstiegspreis beträgt 289 Yuan. Der Ladekopf wiegt etwa 190 Gramm, verfügt über nicht klappbare Stifte, verwendet ein Single-Port-USB-C-Design und unterstützt die Protokolle SCP2.0, UFCS1.0, PD3.0, PPS und QC2.0. 1. Superschnelle Ladetechnologie: - Maximale Leistung bis zu 140 W - Kann Huawei P40 Pro in 30 Minuten zu 93 % aufladen - Kann Huawei MatePad Pro in 30 Minuten zu 13,2 % auf 71 % aufladen - Kann Huawei MateBook XPro in 30 Minuten auf 71 % aufladen

Laut Nachrichten dieser Website vom 25. Oktober gab Infineon Technologies den Abschluss der Übernahme der Gallium Nitride Systems Company (GaN Systems) am 24. Oktober 2023 bekannt und behauptete, „das führende Galliumnitrid-Unternehmen zu werden“. Infineon sagte, das Unternehmen mit Hauptsitz in Ottawa, Kanada, bringe ein umfangreiches Portfolio an Galliumnitrid (GaN)-Stromumwandlungslösungen und führenden Anwendungstechnologien zu Infineon. Alle erforderlichen behördlichen Genehmigungen wurden eingeholt und mit dem Abschluss ist GaN Systems offiziell ein integraler Bestandteil von Infineon geworden. Umgeschrieben: Infineon verfügt derzeit über 450 Experten für Galliumnitrid-Technologie und mehr als 350 Patentfamilien für Galliumnitrid-Technologie. Infineon gab an, dass das Unternehmen und GaN Systems über ein tiefes Verständnis für geistige Eigentumsrechte und -anwendungen verfügen.

Infineon Technologies hat seinen Finanzbericht für das vierte Quartal und das gesamte Geschäftsjahr 2023 veröffentlicht, das am 30. September 2023 endet. Laut offiziellen Angaben betrug der Umsatz im Geschäftsjahr 2023 15 % mehr als im Vorjahr; der Gewinn betrug 4,399 % im Vergleich zum Vorjahr; die Gewinnspanne betrug 27 % an Jochen Hanebeck, CEO von Infineon Technologies, Infineon Nach dem Erreichen von Rekordumsätzen und -gewinnen im Geschäftsjahr 2023 sagte Infineon, dass sein Umfeld immer noch vor Herausforderungen stehe. Einerseits bleibt die strukturelle Wachstumsdynamik von Halbleitern in erneuerbaren Energien, Elektrofahrzeugen (insbesondere in China) und Mikrocontrollern für die Automobilindustrie weiterhin stark. Andererseits befindet sich die Nachfrage nach Konsumgütern, Kommunikations-, Computer- und IoT-Anwendungen auf einem vorübergehenden Tief.

Laut Nachrichten dieser Website vom 19. Oktober war GlobalFoundries (GlobalFoundries) zunächst unabhängig von der Fertigungsabteilung von AMD Semiconductor. Es ist derzeit die viertgrößte professionelle Wafergießerei in Dresden, Deutschland, in der es viele Fabriken gibt Austin und New York State (im Bau). GlobalFoundries hat in einer Pressemitteilung bekannt gegeben, dass es vom US-Verteidigungsministerium 35 Millionen US-Dollar (Anmerkung dieser Website: derzeit etwa 256 Millionen Yuan) an Fördermitteln erhalten hat, um die Herstellung von Galliumnitrid auf Silizium (Galliumnitrid auf Silizium) zu beschleunigen sein GaNonSi-Chip. Laut GF basiert die Finanzierung auf einer mehrjährigen Zusammenarbeit mit der US-Regierung, einschließlich einer Unterstützung in Höhe von 40 Millionen US-Dollar von 2020 bis 2022. Die Finanzierung soll es dem Unternehmen ermöglichen
