Es wird berichtet, dass SK Hynix im nächsten Jahr eine 2,5D-Fanout-Verpackungslösung auf den Markt bringen wird, was einen großen Durchbruch in der Videospeichertechnologie darstellt

Neuigkeiten von dieser Website vom 28. November, laut koreanischen Medien Business Korea, SK Hynix plant, im nächsten Jahr eine „2,5D-Fan-out“-integrierte Speicherchip-Gehäuselösung auf den Markt zu bringen, um eine End-to-End-Verbindung zwischen zwei Chips zu erreichen.

Die Verpackungslösung besteht darin, zwei DRAM-Chips horizontal nebeneinander zu platzieren und sie zu einem Chip zu kombinieren. Der Vorteil dieser Lösung besteht darin, dass unter dem Chip kein Substrat hinzugefügt wird, wodurch die fertige Mikroschaltung dünner wird.

Diese Website zitierte den koreanischen Medienbericht, dass TSMC seit 2016 eine ähnliche Anordnung zur Integration verschiedener Chips verwendet und diese auf die von Apple angewendet hat Verarbeitung sind in der Produktion, aber Speicherhersteller haben dieser Technologie bisher keine Beachtung geschenkt.

Die vertikale Integration von HBM-Speicherchips kann die Schnittstellenbandbreite erheblich erhöhen, die Kosten sind jedoch hoch. Der von SK Hynix entwickelte „2,5D-Fan-Out“ kann jedoch die Kosten für die Herstellung von DRAM-Chips effektiv senken und wird dies voraussichtlich auch tun Wird in Spielgrafikkarten verwendet. Wird im GDDR-Videospeicher verwendet.

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