Laut Nachrichten vom 17. Januar werden Apples Upgrades immer schwieriger zu verstehen. Die iPhone 16-Serie wird langsameren QLC-Flash-Speicher verwenden.
Den neuesten Nachrichten aus der Lieferkette zufolge ändert Apple möglicherweise die Speicherkapazität und verwendet keinen dreischichtigen NAND-Flash-Speicher (TLC) mehr, sondern bei Modellen mit Speicherkapazitäten einen vierschichtigen NAND-Flash-Speicher (QLC). von 1 TB oder mehr.
Im Vergleich zu TLC besteht der Vorteil von QLC darin, dass jede Speicherzelle vier Datenbits speichern kann, wodurch bei Verwendung der gleichen Anzahl von Zellen mehr Daten gespeichert werden als bei TLC oder weniger Zellen zum Speichern von mehr Daten verwendet werden. Dies kann die Produktionskosten senken .
Darüber hinaus gilt der QLC-Flash-Speicher als weniger zuverlässig als der TLC-Flash-Speicher und die Lebensdauer beim Schreiben von Daten verringert sich, da jede Zelle öfter geschrieben wird, da jede Zelle ein Bit mehr enthält.
QLC NAND-Flash-Speicher kann 16 verschiedene Ladestufen speichern, während TLC nur 8 Ladestufen speichern kann. Beim Lesen von Daten nimmt der Spielraum mit zunehmender Ladungsmenge ab, was aufgrund des erhöhten Rauschens zu erhöhten Bitfehlern führen kann.
Wenn Apple diesen Plan fortsetzt, kann es bei Nutzern einiger Versionen des iPhone 16 zu langsameren Datenschreibgeschwindigkeiten kommen als bei Nutzern mit geringer Kapazität.
Das obige ist der detaillierte Inhalt vonApple senkt die Kosten durch die Verwendung von QLC-Flash-Speicher anstelle von TLC, bringt aber eine geringere Lebensdauer und Leistung mit sich. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!
