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Micron Ruida bringt Übertaktungsspeicherprodukte neu auf den Markt: 16 GB DDR5-6000, CL36-Timing
Micron Ruida bringt Übertaktungsspeicherprodukte neu auf den Markt: 16 GB DDR5-6000, CL36-Timing
Laut Nachrichten dieser Website vom 21. Februar hat Microns Tochtergesellschaft Inrutech heute ihre Produktlinie für Übertaktungsspeicher neu auf den Markt gebracht. Die erste Produktreihe besteht aus 16 GB DDR5-6000-Desktop-Speicher mit CL36-Timing.
Das neue Produkt, das Micron dieses Mal auf den Markt gebracht hat, heißt Crucial DDR5 Pro Memory: Overclocking Edition. Es ist mit einer neuen Weste im Origami-Look ausgestattet und enthält einen Aluminium-Kühlkörper. Die neue Speicherversion unterstützt sowohl die Intel XMP 3.0- als auch die AMD EXPO-Spezifikationen und bietet so eine umfassende Kompatibilität.
▲Independence DDR5 Pro Memory Overclocking Edition
Obwohl die ersten Produkte der neuen Pro-Speicherübertaktungsversion die gleiche Frequenz wie die bestehende Standard-Pro-Serie haben, die höchsten 6000MT/s, wurde das Timing für die Übertaktung optimiert: Das Timing des Standard-Pro-Serie-DDR5-6000-Speichers beträgt CL48-48-48 und die übertaktete Version ist CL36-38-38 (-80), außerdem wird die Speicherspannung von 1,1 V auf 1,35 V erhöht
.Micron sagte, dass die speicherübertaktete Pro-Version die Latenz im Vergleich zur Originalversion um 25 % reduziert, und behauptet, dass sie die laufenden Frames speicherintensiver Spiele wie „Cyberpunk 2077“ und „Rainbow Six: Siege“ bei 1080p verbessern kann und 1440p-Auflösungen.
Pro-Speicherübertaktungsversion wurde im offiziellen Übersee-Store von Yingruida veröffentlicht und wird am 27. dieses Monats offiziell eingeführt.Die Serie wird später in diesem Jahr auch mit 24-GB-Einzelprodukten aktualisiert.
Das obige ist der detaillierte Inhalt vonMicron Ruida bringt Übertaktungsspeicherprodukte neu auf den Markt: 16 GB DDR5-6000, CL36-Timing. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!
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Optimierung des großen Speichers. Was soll ich tun, wenn der Computer auf 16g/32g Speichergeschwindigkeit aktualisiert wird und es keine Änderung gibt?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
Bei mechanischen Festplatten oder SATA-Solid-State-Laufwerken werden Sie die erhöhte Software-Laufgeschwindigkeit spüren. Wenn es sich um eine NVME-Festplatte handelt, spüren Sie sie möglicherweise nicht. 1. Importieren Sie die Registrierung in den Desktop und erstellen Sie ein neues Textdokument, kopieren Sie den folgenden Inhalt, fügen Sie ihn ein, speichern Sie ihn als 1.reg, klicken Sie dann mit der rechten Maustaste, um den Computer zusammenzuführen und neu zu starten. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Mar 18, 2024 pm 02:19 PM
Kürzlich hat Xiaomi mit dem Xiaomi 14Pro ein leistungsstarkes High-End-Smartphone herausgebracht, das nicht nur über ein stilvolles Design verfügt, sondern auch über interne und externe schwarze Technologie verfügt. Das Telefon verfügt über Spitzenleistung und hervorragende Multitasking-Fähigkeiten, sodass Benutzer ein schnelles und reibungsloses Mobiltelefonerlebnis genießen können. Die Leistung wird jedoch auch vom Speicher beeinflusst. Viele Benutzer möchten wissen, wie sie die Speichernutzung des Xiaomi 14Pro überprüfen können. Wie überprüfe ich die Speichernutzung auf dem Xiaomi Mi 14Pro? Einführung in die Überprüfung der Speichernutzung des Xiaomi 14Pro. Öffnen Sie die Schaltfläche [Anwendungsverwaltung] in den [Einstellungen] des Xiaomi 14Pro-Telefons. Um die Liste aller installierten Apps anzuzeigen, durchsuchen Sie die Liste und suchen Sie die App, die Sie anzeigen möchten. Klicken Sie darauf, um die Seite mit den App-Details aufzurufen. Auf der Seite mit den Bewerbungsdetails
Mit der branchenweit höchsten Übertragungsrate von 3,6 GB/s kündigt Micron die Massenproduktion von 276-Layer-TLC-NAND-Flash-Speichern der neunten Generation an
Jul 31, 2024 am 08:05 AM
Laut Nachrichten dieser Website vom 30. Juli gab Micron heute (Ortszeit) bekannt, dass sein 3DTLC NAND-Flash-Speicher der neunten Generation (Hinweis zur Website: 276 Schichten) in Massenproduktion hergestellt und ausgeliefert wird. Micron gab an, dass sein G9NAND die branchenweit höchste I/O-Übertragungsrate von 3,6 GB/s (d. h. 3600 MT/s Flash-Speicherschnittstellenrate) aufweist, was 50 % höher ist als die bestehenden Konkurrenzprodukte von 2400 MT/s und diese besser erfüllen kann Anforderungen datenintensiver Workloads. Gleichzeitig ist Microns G9NAND hinsichtlich der Schreibbandbreite bzw. Lesebandbreite 99 % bzw. 88 % höher als andere Lösungen auf dem Markt. Dieser Vorteil auf NAND-Partikelebene bringt Leistung und Energieeffizienz für Solid-State-Laufwerke und eingebettete Speicher Lösungen. Darüber hinaus ist Micron 276, wie frühere Generationen von Micron NAND-Flash-Speichern, erhältlich
Gibt es einen großen Unterschied zwischen 8g- und 16g-Speicher in Computern? (Wählen Sie 8 g oder 16 g Computerspeicher)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
Wenn unerfahrene Benutzer einen Computer kaufen, sind sie neugierig auf den Unterschied zwischen 8g und 16g Computerspeicher? Soll ich 8g oder 16g wählen? Als Antwort auf dieses Problem wird es Ihnen der Herausgeber heute ausführlich erläutern. Gibt es einen großen Unterschied zwischen 8g und 16g Computerspeicher? 1. Für normale Familien oder normale Arbeiten kann 8G-Laufspeicher die Anforderungen erfüllen, sodass es während der Verwendung keinen großen Unterschied zwischen 8g und 16g gibt. 2. Bei der Verwendung durch Spielebegeisterte beginnen große Spiele derzeit grundsätzlich bei 6 g, wobei 8 g der Mindeststandard ist. Wenn der Bildschirm derzeit 2k groß ist, führt eine höhere Auflösung nicht zu einer höheren Bildratenleistung, sodass zwischen 8g und 16g kein großer Unterschied besteht. 3. Für Benutzer der Audio- und Videobearbeitung wird es offensichtliche Unterschiede zwischen 8g und 16g geben.
Samsung gab den Abschluss der Verifizierung der 16-Layer-Hybrid-Bonding-Stacking-Prozesstechnologie bekannt, die voraussichtlich in großem Umfang im HBM4-Speicher zum Einsatz kommen wird
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
Dem Bericht zufolge sagte Dae Woo Kim, Geschäftsführer von Samsung Electronics, dass Samsung Electronics auf der Jahrestagung 2024 der Korean Microelectronics and Packaging Society die Verifizierung der 16-schichtigen Hybrid-Bonding-HBM-Speichertechnologie abschließen werde. Es wird berichtet, dass diese Technologie die technische Verifizierung bestanden hat. In dem Bericht heißt es außerdem, dass diese technische Überprüfung den Grundstein für die Entwicklung des Speichermarktes in den nächsten Jahren legen werde. DaeWooKim sagte, dass Samsung Electronics erfolgreich einen 16-schichtigen gestapelten HBM3-Speicher auf Basis der Hybrid-Bonding-Technologie hergestellt hat. Das Speichermuster funktioniert in Zukunft normal für die Massenproduktion von HBM4-Speicher. ▲Bildquelle TheElec, wie unten: Im Vergleich zum bestehenden Bonding-Prozess müssen beim Hybrid-Bonding keine Unebenheiten zwischen den DRAM-Speicherschichten hinzugefügt werden, sondern es werden die oberen und unteren Schichten direkt mit Kupfer verbunden.
Quellen zufolge werden Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 gestapelten mobilen Speicher kommerzialisieren
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September berichteten die koreanischen Medien etnews gestern (Ortszeit), dass die „HBM-ähnlichen“ mobilen Speicherprodukte mit Stapelstruktur von Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 kommerzialisiert werden. Quellen zufolge betrachten die beiden koreanischen Speichergiganten gestapelten mobilen Speicher als wichtige zukünftige Einnahmequelle und planen, den „HBM-ähnlichen Speicher“ auf Smartphones, Tablets und Laptops auszudehnen, um End-Side-KI mit Strom zu versorgen. Früheren Berichten auf dieser Website zufolge heißt das Produkt von Samsung Electronics LPWide I/O-Speicher und SK Hynix nennt diese Technologie VFO. Die beiden Unternehmen haben ungefähr den gleichen technischen Weg gewählt, nämlich die Kombination von Fan-Out-Verpackungen und vertikalen Kanälen. Der LPWide I/O-Speicher von Samsung Electronics hat eine Bitbreite von 512
Micron: HBM-Speicher verbrauchen das Dreifache des Wafervolumens und die Produktionskapazität ist grundsätzlich für nächstes Jahr gebucht
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
Diese Website berichtete am 21. März, dass Micron nach der Veröffentlichung seines vierteljährlichen Finanzberichts eine Telefonkonferenz abgehalten habe. Sanjay Mehrotra, CEO von Micron, sagte auf der Konferenz, dass HBM im Vergleich zu herkömmlichem Speicher deutlich mehr Wafer verbraucht. Micron sagte, dass der derzeit fortschrittlichste HBM3E-Speicher bei der Produktion derselben Kapazität auf demselben Knoten dreimal mehr Wafer verbraucht als Standard-DDR5, und es wird erwartet, dass HBM4 dieses Verhältnis in Zukunft weiter erhöhen wird, wenn die Leistung verbessert und die Verpackungskomplexität zunimmt . Unter Bezugnahme auf frühere Berichte auf dieser Website ist diese hohe Quote teilweise auf die niedrige Ertragsrate von HBM zurückzuführen. HBM-Speicher ist mit mehrschichtigen DRAM-Speicher-TSV-Verbindungen gestapelt. Ein Problem mit einer Schicht bedeutet, dass die gesamte
Lexar bringt Ares Wings of War DDR5 7600 16 GB x2-Speicherkit auf den Markt: Hynix A-Die-Partikel, 1.299 Yuan
May 07, 2024 am 08:13 AM
Laut Nachrichten dieser Website vom 6. Mai hat Lexar den Übertaktungsspeicher der Ares Wings of War-Serie DDR57600CL36 auf den Markt gebracht. Das 16GBx2-Set wird am 7. Mai um 0:00 Uhr gegen eine Anzahlung von 50 Yuan im Vorverkauf erhältlich sein 1.299 Yuan. Der Lexar Wings of War-Speicher verwendet Hynix A-Die-Speicherchips, unterstützt Intel In Bezug auf die Wärmeableitung ist dieses Speicherset mit einer 1,8 mm dicken Wärmeableitungsweste aus Vollaluminium ausgestattet und mit dem exklusiven wärmeleitenden Silikonfettpad von PMIC ausgestattet. Der Speicher verwendet 8 hochhelle LED-Perlen und unterstützt 13 RGB-Beleuchtungsmodi.
