


Quellen sagen, dass die Fusionsgespräche zwischen Western Digital und KioXia voraussichtlich Ende April wieder aufgenommen werden
Laut dem japanischen Medium „Asahi Shimbun“ sollen die Fusionsverhandlungen zwischen Western Digital und Kioxia, zwei wichtigen Unternehmen im NAND-Flash-Speicherbereich, voraussichtlich Ende April wieder beginnen.
Laut früheren Berichten auf dieser Website verhandelt Western Digital seit 2021 über eine Fusion mit Kioxia. Es wird jedoch berichtet, dass die letzte Runde der Fusionsverhandlungen zwischen den beiden Parteien aufgrund der Behinderung von SK Hynix, das Anteile an Kioxia hält, gescheitert ist. Später kündigte Western Digital Pläne zur Ausgliederung seines Flash-Speichergeschäfts an und plant, den Umzug in der zweiten Hälfte dieses Jahres abzuschließen.
Einem Umfragebericht des Branchenanalystenunternehmens TrendForce zufolge hatte Western Digital im dritten Quartal 2023 einen Anteil von 16,9 % am NAND-Flash-Speichermarkt, während Kioxia 14,5 % ausmachte. Die Gesamtsumme beider Parteien war ebenso hoch mit 31,4 %, was dem Branchenführer Samsung Electronics Quite entspricht , höher als die 20,2 % zusammen von SK Hynix und seiner Tochtergesellschaft Solidigm.

Laut einer mit der Angelegenheit vertrauten Person gab Western Digital Ende Oktober letzten Jahres bekannt, dass die Fusionsverhandlungen mit Kioxia vollständig beendet wurden. Um den Vorwurf des Insiderhandels zu vermeiden, hat Western Digital beschlossen, eine Lücke von etwa einem halben Jahr einzuräumen. Es wird berichtet, dass die beiden Seiten nach Ablauf dieser Frist die Verhandlungen im April wieder aufnehmen werden.
Das obige ist der detaillierte Inhalt vonQuellen sagen, dass die Fusionsgespräche zwischen Western Digital und KioXia voraussichtlich Ende April wieder aufgenommen werden. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!

Heiße KI -Werkzeuge

Undresser.AI Undress
KI-gestützte App zum Erstellen realistischer Aktfotos

AI Clothes Remover
Online-KI-Tool zum Entfernen von Kleidung aus Fotos.

Undress AI Tool
Ausziehbilder kostenlos

Clothoff.io
KI-Kleiderentferner

AI Hentai Generator
Erstellen Sie kostenlos Ai Hentai.

Heißer Artikel

Heiße Werkzeuge

Notepad++7.3.1
Einfach zu bedienender und kostenloser Code-Editor

SublimeText3 chinesische Version
Chinesische Version, sehr einfach zu bedienen

Senden Sie Studio 13.0.1
Leistungsstarke integrierte PHP-Entwicklungsumgebung

Dreamweaver CS6
Visuelle Webentwicklungstools

SublimeText3 Mac-Version
Codebearbeitungssoftware auf Gottesniveau (SublimeText3)

Heiße Themen



Rufus ist ein hervorragendes Tool zum Erstellen bootfähiger Installationsmedien und viele Leute verwenden es, um eine Neuinstallation von Windows auf ihrem PC durchzuführen. Viele Benutzer haben jedoch Rufus-Fehler unter Windows 11 gemeldet. Diese Fehler hindern Sie daran, Installationsmedien zu erstellen und somit Windows 11 oder ein anderes Betriebssystem zu installieren. Glücklicherweise ist die Behebung dieser Probleme relativ einfach. Im heutigen Tutorial zeigen wir Ihnen die besten Methoden, mit denen Sie dieses Problem beheben können. Warum erhalte ich beim Formatieren in Rufus unter Windows 11 einen unbestimmten Fehler? Dafür gibt es viele Gründe und in den meisten Fällen ist es lediglich ein Softwarefehler, der das Problem verursacht. Du kannst bestehen

Schritte zur Installation von BalenaEtcher unter Windows 11 Hier zeigen wir die schnelle Möglichkeit, BalenaEthcer unter Windows 11 zu installieren, ohne die offizielle Website zu besuchen. 1. Öffnen Sie ein Befehlsterminal (als Administrator), klicken Sie mit der rechten Maustaste auf die Schaltfläche „Start“ und wählen Sie „Terminal (Admin)“. Dadurch wird ein Windows-Terminal mit Administratorrechten geöffnet, um Software zu installieren und andere wichtige Aufgaben als Superuser auszuführen. 2. Installieren Sie BalenaEtcher unter Windows 11. Führen Sie nun auf Ihrem Windows-Terminal einfach den Standard-Windows-Paketmanager aus

Laut Nachrichten dieser Website vom 30. Juli gab Micron heute (Ortszeit) bekannt, dass sein 3DTLC NAND-Flash-Speicher der neunten Generation (Hinweis zur Website: 276 Schichten) in Massenproduktion hergestellt und ausgeliefert wird. Micron gab an, dass sein G9NAND die branchenweit höchste I/O-Übertragungsrate von 3,6 GB/s (d. h. 3600 MT/s Flash-Speicherschnittstellenrate) aufweist, was 50 % höher ist als die bestehenden Konkurrenzprodukte von 2400 MT/s und diese besser erfüllen kann Anforderungen datenintensiver Workloads. Gleichzeitig ist Microns G9NAND hinsichtlich der Schreibbandbreite bzw. Lesebandbreite 99 % bzw. 88 % höher als andere Lösungen auf dem Markt. Dieser Vorteil auf NAND-Partikelebene bringt Leistung und Energieeffizienz für Solid-State-Laufwerke und eingebettete Speicher Lösungen. Darüber hinaus ist Micron 276, wie frühere Generationen von Micron NAND-Flash-Speichern, erhältlich

Laut Nachrichten dieser Website vom 3. Juli hat Samsung nach Angaben der koreanischen Medien TheElec erstmals versucht, Molybdän (Mo) in der „Metallverkabelung“ (Metalwiring) seines V-NAND der 9. Generation zu verwenden. Hinweis von dieser Website: Die acht Hauptprozesse im Halbleiterherstellungsprozess sind: Waferherstellung, Oxidation, Fotolithographie, Ätzen, Abscheidung, Testen von Metallverdrahtungen, Verpackung, Metallverdrahtungsprozess, bei dem hauptsächlich verschiedene Methoden verwendet werden, um Milliarden elektronischer Komponenten zu verbinden, um verschiedene Halbleiter (CPU, GPU usw.) zu bilden. ) kann man sagen, dass es „Halbleitern Leben einhaucht“. Quellen zufolge hat Samsung fünf Mo-Abscheidungsmaschinen von Lam Research eingeführt und plant, im nächsten Jahr 20 weitere Geräte auf den Markt zu bringen. Neben Samsung Electronics sind auch Unternehmen wie SK Hynix, Micron und Kioxia dabei

Laut Nachrichten vom 9. August stellte SK Hynix auf dem FMS2024-Gipfel seine neuesten Speicherprodukte vor, darunter den universellen Flash-Speicher UFS4.1, dessen Spezifikationen noch nicht offiziell veröffentlicht wurden. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste UFS-Spezifikation im August 2022 UFS4.0. Die theoretische Schnittstellengeschwindigkeit beträgt bis zu 46,4 Gbit/s. Es wird erwartet, dass UFS4.1 die Übertragung weiter verbessern wird Rate. 1. Hynix demonstrierte Allzweck-Flash-Speicherprodukte mit 512 GB und 1 TBUFS4.1, basierend auf 321-Layer-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher. SK Hynix zeigte auch 3,2 Gbit/s V92TbQLC- und 3,6 Gbit/s V9H1TbTLC-Partikel. Hynix präsentiert V7-basiert

Laut Nachrichten dieser Website hat Western Digital am 14. März das Solid-State-Laufwerk PCSN5000SNVMe auf den Markt gebracht. Dieses Produkt ist mit BICS6 (162-Layer) QLC-Flash-Speicher ausgestattet und ist ein Produkt für OEM-Hersteller. ▲Fotos des Western Digital PCSN5000S-Solid-State-Laufwerks: Das PCSN5000S verwendet die PCIeGen4x4-Schnittstelle und das NVMe2.0-Protokoll und ist mit der neuesten selbstentwickelten Hauptsteuerung von Western Digital ausgestattet. Es verfügt über optionale M.22280/2230-Spezifikationen und drei Kapazitätsversionen 512 GB/1 TB/2 TB. Unterstützt die dynamische SLC-Caching-Technologie nCache4.0. In Bezug auf die Parameter beträgt die maximale sequentielle Lesegeschwindigkeit der drei Kapazitäten von PCSN5000S 6000 MB/s und die maximale sequentielle Schreibrate beträgt 4

Laut einem TrendForce-Umfragebericht hat die KI-Welle erhebliche Auswirkungen auf die Märkte für DRAM-Speicher und NAND-Flash-Speicher. In den Nachrichten dieser Website vom 7. Mai sagte TrendForce heute in seinem neuesten Forschungsbericht, dass die Agentur die Vertragspreiserhöhungen für zwei Arten von Speicherprodukten in diesem Quartal erhöht habe. Konkret schätzte TrendForce ursprünglich, dass der DRAM-Speichervertragspreis im zweiten Quartal 2024 um 3 bis 8 % steigen wird, und schätzt ihn nun auf 13 bis 18 %, bezogen auf NAND-Flash-Speicher, die ursprüngliche Schätzung wird um 13 bis 18 % steigen 18 %, und die neue Schätzung liegt bei 15 %, nur eMMC/UFS weist einen geringeren Anstieg von 10 % auf. ▲Bildquelle TrendForce TrendForce gab an, dass die Agentur ursprünglich damit gerechnet hatte, dies auch weiterhin zu tun

Laut Nachrichten dieser Website vom 9. August und einer Pressemitteilung von SK Hynix gestern Ortszeit stellte das Unternehmen auf dem FMS2024-Gipfel eine Reihe neuer Speicherprodukte vor, darunter USF4.1-Universal-Flash-Speicher, der noch nicht offiziell veröffentlicht wurde Spezifikationen. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste derzeit angekündigte UFS-Spezifikation UFS4.0 im August 2022. UFS4.0 spezifiziert eine theoretische Schnittstellengeschwindigkeit von bis zu 46,4 Gbit/s für jedes Gerät, und USF4.1 soll die Übertragungsrate weiter verbessern. ▲JEDECUFS-Spezifikationsseite SK Hynix demonstrierte zwei UFS4.1-Allzweck-Flash-Speicher mit Kapazitäten von 512 GB bzw. 1 TB, beide basierend auf dem 321-Layer-Stapel-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher.
