


Detaillierte Erläuterung der Speicherzuweisung und des Speicherorts von Variablen im Golang-Programm
Titel: Detaillierte Erläuterung der Speicherzuordnung und des Speicherorts von Variablen im Golang-Programm
In Golang sind Variablen die Grundeinheit zum Speichern von Daten im Programm. Beim Schreiben von Golang-Programmen ist es sehr wichtig, die Speicherzuordnung und den Speicherort von Variablen zu verstehen, um die Programmleistung zu optimieren und Speicherlecks zu vermeiden. Dieser Artikel befasst sich mit der Speicherzuordnung und dem Speicherort von Variablen in Golang-Programmen und stellt spezifische Codebeispiele bereit, um den Lesern ein besseres Verständnis zu erleichtern.
1. Speicherzuweisung von Variablen
In Golang hängt die Speicherzuweisung von Variablen hauptsächlich von ihrem Typ ab. Variablentypen in Golang können in Basistypen und zusammengesetzte Typen unterteilt werden. Zu den Grundtypen gehören int, float, string usw. und zu den zusammengesetzten Typen gehören Arrays, Strukturen, Schnittstellen usw. Verschiedene Arten von Variablen werden im Speicher unterschiedlich zugewiesen.
1.1 Speicherzuweisung von Basistypvariablen
Für Basistypvariablen ermittelt Golang den erforderlichen Speicherplatz zur Kompilierungszeit. Beispielsweise benötigt eine Variable vom Typ int 4 Byte Speicherplatz und eine Variable vom Typ float64 benötigt 8 Byte Speicherplatz.
var num int num = 10
Im obigen Beispiel beträgt der Wert der Variablen num 10 und belegt 4 Byte Speicherplatz.
1.2 Speicherzuweisung von Variablen vom zusammengesetzten Typ
Für Variablen vom zusammengesetzten Typ bestimmt Golang den erforderlichen Speicherplatz basierend auf der Struktur des Typs zur Kompilierungszeit. Beispielsweise muss eine Strukturtypvariable die Summe des von allen ihren Feldern benötigten Speicherplatzes belegen.
type Person struct { Name string Age int } var p Person p.Name = "Alice" p.Age = 30
Im obigen Beispiel ist die Variable p eine Strukturvariable vom Typ Person und der belegte Speicherplatz ist die Länge der Zeichenfolge Name plus dem von Age vom Typ int belegten Speicherplatz.
2. Speicherort von Variablen
In Golang kann der Speicherort von Variablen in zwei Typen unterteilt werden: Stapel und Heap. Der Stapel ist eine Last-In-First-Out-Datenstruktur, die zum Speichern lokaler Variablen und Funktionsparameter verwendet wird. Seine Zuweisungs- und Freigabegeschwindigkeit ist hoch. Der Heap ist eine Datenstruktur zur dynamischen Zuweisung von Speicher und dient zum Speichern langlebiger Variablen und Datenstrukturen, die manuell freigegeben werden müssen.
2.1 Zuweisung auf dem Stapel
Für Basistypvariablen und kleine zusammengesetzte Typvariablen weist Golang sie normalerweise auf dem Stapel zu. Auf dem Stapel zugewiesene Variablen werden automatisch freigegeben, wenn die Ausführung der Funktion abgeschlossen ist, sodass keine manuelle Speicherverwaltung erforderlich ist.
func main() { var num int num = 10 fmt.Println(num) }
Im obigen Beispiel wird die Variable num auf dem Stapel der Hauptfunktion zugewiesen. Wenn die Hauptfunktion die Ausführung abschließt, wird die Variable num automatisch freigegeben.
2.2 Zuweisung auf dem Heap
Für große zusammengesetzte Typvariablen und Variablen, die lange existieren müssen, weist Golang sie normalerweise auf dem Heap zu. Auf dem Heap zugewiesene Variablen müssen manuell verwaltet und freigegeben werden, wenn sie nicht benötigt werden, da es sonst zu Speicherverlusten kommt.
func main() { var p *Person p = &Person{Name: "Bob", Age: 25} fmt.Println(p.Name, p.Age) // 手动释放堆上分配的变量 // 如果不手动释放,会造成内存泄漏 p = nil }
Im obigen Beispiel ist die Variable p ein Zeiger auf die Personenstruktur und die Personenstruktur wird auf dem Heap zugewiesen. Setzen Sie die Variable p im Programm manuell auf Null, um den entsprechenden Speicherplatz freizugeben.
Fazit
Dieser Artikel erläutert ausführlich die Speicherzuordnung und den Speicherort von Variablen in Golang-Programmen und bietet außerdem spezifische Codebeispiele, um den Lesern ein besseres Verständnis zu erleichtern. Beim Schreiben eines Golang-Programms kann die rationale Zuweisung von Speicherplatz für Variablen und die Auswahl geeigneter Speicherorte die Programmleistung verbessern und das Risiko von Speicherverlusten verringern. Ich hoffe, dieser Artikel kann den Lesern hilfreich sein.
Das obige ist der detaillierte Inhalt vonDetaillierte Erläuterung der Speicherzuweisung und des Speicherorts von Variablen im Golang-Programm. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!

Heiße KI -Werkzeuge

Undresser.AI Undress
KI-gestützte App zum Erstellen realistischer Aktfotos

AI Clothes Remover
Online-KI-Tool zum Entfernen von Kleidung aus Fotos.

Undress AI Tool
Ausziehbilder kostenlos

Clothoff.io
KI-Kleiderentferner

AI Hentai Generator
Erstellen Sie kostenlos Ai Hentai.

Heißer Artikel

Heiße Werkzeuge

Notepad++7.3.1
Einfach zu bedienender und kostenloser Code-Editor

SublimeText3 chinesische Version
Chinesische Version, sehr einfach zu bedienen

Senden Sie Studio 13.0.1
Leistungsstarke integrierte PHP-Entwicklungsumgebung

Dreamweaver CS6
Visuelle Webentwicklungstools

SublimeText3 Mac-Version
Codebearbeitungssoftware auf Gottesniveau (SublimeText3)

Heiße Themen

Bei mechanischen Festplatten oder SATA-Solid-State-Laufwerken werden Sie die erhöhte Software-Laufgeschwindigkeit spüren. Wenn es sich um eine NVME-Festplatte handelt, spüren Sie sie möglicherweise nicht. 1. Importieren Sie die Registrierung in den Desktop und erstellen Sie ein neues Textdokument, kopieren Sie den folgenden Inhalt, fügen Sie ihn ein, speichern Sie ihn als 1.reg, klicken Sie dann mit der rechten Maustaste, um den Computer zusammenzuführen und neu zu starten. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

Das sichere Lesen und Schreiben von Dateien in Go ist von entscheidender Bedeutung. Zu den Richtlinien gehören: Überprüfen von Dateiberechtigungen, Schließen von Dateien mithilfe von Verzögerungen, Validieren von Dateipfaden, Verwenden von Kontext-Timeouts. Das Befolgen dieser Richtlinien gewährleistet die Sicherheit Ihrer Daten und die Robustheit Ihrer Anwendungen.

Wie konfiguriere ich Verbindungspooling für Go-Datenbankverbindungen? Verwenden Sie den DB-Typ im Datenbank-/SQL-Paket, um eine Datenbankverbindung zu erstellen. Legen Sie MaxOpenConns fest, um die maximale Anzahl gleichzeitiger Verbindungen festzulegen. Legen Sie ConnMaxLifetime fest, um den maximalen Lebenszyklus der Verbindung festzulegen.

Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September berichteten die koreanischen Medien etnews gestern (Ortszeit), dass die „HBM-ähnlichen“ mobilen Speicherprodukte mit Stapelstruktur von Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 kommerzialisiert werden. Quellen zufolge betrachten die beiden koreanischen Speichergiganten gestapelten mobilen Speicher als wichtige zukünftige Einnahmequelle und planen, den „HBM-ähnlichen Speicher“ auf Smartphones, Tablets und Laptops auszudehnen, um End-Side-KI mit Strom zu versorgen. Früheren Berichten auf dieser Website zufolge heißt das Produkt von Samsung Electronics LPWide I/O-Speicher und SK Hynix nennt diese Technologie VFO. Die beiden Unternehmen haben ungefähr den gleichen technischen Weg gewählt, nämlich die Kombination von Fan-Out-Verpackungen und vertikalen Kanälen. Der LPWide I/O-Speicher von Samsung Electronics hat eine Bitbreite von 512

Laut Nachrichten dieser Website vom 7. Juni stellte GEIL seine neueste DDR5-Lösung auf der Taipei International Computer Show 2024 vor und stellte SO-DIMM-, CUDIMM-, CSODIMM-, CAMM2- und LPCAMM2-Versionen zur Auswahl. ▲Bildquelle: Wccftech Wie im Bild gezeigt, verfügt der von Jinbang ausgestellte CAMM2/LPCAMM2-Speicher über ein sehr kompaktes Design, kann eine maximale Kapazität von 128 GB und eine Geschwindigkeit von bis zu 8533 MT/s bieten Stabil auf der AMDAM5-Plattform. Übertaktet auf 9000 MT/s ohne zusätzliche Kühlung. Berichten zufolge kann der Speicher der Polaris RGBDDR5-Serie 2024 von Jinbang bis zu 8400 bereitstellen

Laut Nachrichten dieser Website vom 23. Juli gab die JEDEC Solid State Technology Association, der Standardsetzer für Mikroelektronik, am 22. Ortszeit bekannt, dass die technischen Spezifikationen für DDR5MRDIMM- und LPDDR6CAMM-Speicher bald offiziell eingeführt werden, und stellte die wichtigsten Details dieser beiden vor Erinnerungen. Das „MR“ in DDR5MRDIMM steht für MultiplexedRank, was bedeutet, dass der Speicher zwei oder mehr Ranks unterstützt und mehrere Datensignale auf einem einzigen Kanal ohne zusätzliche physische Daten kombinieren und übertragen kann. Die Verbindung kann die Bandbreite effektiv erhöhen. JEDEC hat mehrere Generationen von DDR5MRDIMM-Speichern geplant, mit dem Ziel, die Bandbreite schließlich auf 12,8 Gbit/s zu erhöhen, verglichen mit den aktuellen 6,4 Gbit/s des DDR5RDIMM-Speichers.

Da die Preise für UHF-Flaggschiff-Speicher wie 7600MT/s und 8000MT/s allgemein hoch sind, hat Lexar Maßnahmen ergriffen. Sie haben eine neue Speicherserie namens Ares Wings ARES RGB DDR5 auf den Markt gebracht, die in zwei Spezifikationen erhältlich ist: 7600 C36 und 8000 C38 Die 16GB*2-Sets kosten 1.299 Yuan bzw. 1.499 Yuan, was sehr kostengünstig ist. Diese Website hat die 8000 C38-Version von Wings of War erhalten und stellt Ihnen die Unboxing-Bilder vor. Die Verpackung des Lexar Wings ARES RGB DDR5-Speichers ist gut gestaltet und verwendet auffällige schwarze und rote Farbschemata mit farbenfrohem Aufdruck. In der oberen linken Ecke der Verpackung befindet sich ein exklusives &quo.

Laut Nachrichten dieser Website vom 12. August berichteten die koreanischen Medien ETNews, dass Samsung Electronics intern seinen Investitionsplan zum Bau einer 1-cnm-DRAM-Speicherproduktionslinie in der P4-Fabrik in Pyeongtaek bestätigt hat. Die Produktionslinie soll im nächsten Juni in Betrieb genommen werden Jahr. Pyeongtaek P4 ist ein umfassendes Halbleiterproduktionszentrum, das in vier Phasen unterteilt ist. In der früheren Planung war die erste Phase für NAND-Flash-Speicher vorgesehen, die zweite Phase für den Logik-Foundry und die dritte und vierte Phase für DRAM-Speicher. Samsung hat in der ersten Phase von P4 DRAM-Produktionsanlagen eingeführt, die zweite Bauphase jedoch auf Eis gelegt. 1cnm DRAM ist der 20~10nm Speicherprozess der sechsten Generation, und die 1cnm (oder entsprechenden 1γnm) Produkte der einzelnen Unternehmen wurden noch nicht offiziell veröffentlicht. Koreanische Medien berichteten, dass Samsung Electronics plant, Ende dieses Jahres mit der Produktion von 1-cnm-Speichern zu beginnen. ▲Samsung Pyeongtaek
