mysql的innodb启动过程_MySQL
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fil_init 主要是初始化文件打开指针哈希表,所有打开的文件全记录在 fil_system 之中,构造按名字查找的哈希表 buf_pool_init 内存缓冲池的初始化,对应 buf_pool_ptr 数组之中,还初始化了 adaptive hash index 的内存 log_init 初始化log缓冲区,默认大小为 512*16k, 每个log页面大小为 #define OS_FILE_LOG_BLOCK_SIZE 512 日志文件在创建过程中也是指定不用系统缓存 lock_sys_create 初始化系统锁,就是建了一个HASH表,lock_sys recv_recovery_from_checkpoint_start 开始执行恢复 dict_boot 初始化表结构的缓存,dict_sys,建两个hash表,可以根据表名和表ID查找;初始化系统表,就四个 SYS_TABLES SYS_COLUMNS SYS_INDEXES SYS_FIELDS ;初始化 insert buffer,每一个表空间对应一个;读入上面四个系统表中的内容 trx_sys_init_at_db_start 初初化事务结构体 trx_sys ; Creates the global purge system control structure and inits the history dict_create_or_check_foreign_constraint_tables 创建另外两张系统表 SYS_FOREIGN SYS_FOREIGN_COLS 启动的线程, IO部分共10个,可通过参数配置 1个 insert buffer thread 1个 log thread 4个 aio read thread 4个 aio write thread 1个 lock timeout thread A thread which wakes up threads whose lock wait may have lasted too long 1个 error monitor thread A thread which prints warnings about semaphore waits which have lasted too long 1个 monitor thread A thread which prints the info output by various InnoDB monitors 1个 master thread The master thread controlling the server 1个 thread handle shutdown 1个 handle connections socket 专门用来处理连理的 1个 trx_rollback_or_clean_all_recovered Rollback the uncommitted transactions which have no user session struct st_mysql_plugin *mysql_optional_plugins[]={ builtin_innobase_plugin, builtin_perfschema_plugin, builtin_partition_plugin, 0}; struct st_mysql_plugin *mysql_mandatory_plugins[]={ builtin_binlog_plugin, builtin_mysql_password_plugin, builtin_csv_plugin, builtin_heap_plugin, builtin_myisam_plugin, builtin_myisammrg_plugin, 0};初始化的 binlog memory myisam innodb pefformance_schema partition 作者 spche bitsCN.com

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Bei mechanischen Festplatten oder SATA-Solid-State-Laufwerken werden Sie die erhöhte Software-Laufgeschwindigkeit spüren. Wenn es sich um eine NVME-Festplatte handelt, spüren Sie sie möglicherweise nicht. 1. Importieren Sie die Registrierung in den Desktop und erstellen Sie ein neues Textdokument, kopieren Sie den folgenden Inhalt, fügen Sie ihn ein, speichern Sie ihn als 1.reg, klicken Sie dann mit der rechten Maustaste, um den Computer zusammenzuführen und neu zu starten. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

Wenn Sie beim Drucken von Excel-Arbeitsblättern oder PowerPoint-Präsentationen auf das Problem eines unzureichenden Druckerspeichers stoßen, kann dieser Artikel hilfreich für Sie sein. Möglicherweise erhalten Sie eine ähnliche Fehlermeldung, die besagt, dass der Drucker nicht über genügend Speicher zum Drucken der Seite verfügt. Es gibt jedoch einige Vorschläge, die Sie befolgen können, um dieses Problem zu beheben. Warum ist der Druckerspeicher beim Drucken nicht verfügbar? Nicht genügend Druckerspeicher kann zu einem Fehler führen, bei dem kein Speicher verfügbar ist. Manchmal liegt es daran, dass die Einstellungen des Druckertreibers zu niedrig sind, es kann aber auch andere Gründe haben. Große Dateigröße. Druckertreiber. Veraltet oder beschädigt. Unterbrechung durch installierte Add-ons. Fehlkonfiguration der Druckereinstellungen. Dieses Problem kann auch aufgrund niedriger Speichereinstellungen im Microsoft Windows-Druckertreiber auftreten. Reparaturdruck

Kürzlich hat Xiaomi mit dem Xiaomi 14Pro ein leistungsstarkes High-End-Smartphone herausgebracht, das nicht nur über ein stilvolles Design verfügt, sondern auch über interne und externe schwarze Technologie verfügt. Das Telefon verfügt über Spitzenleistung und hervorragende Multitasking-Fähigkeiten, sodass Benutzer ein schnelles und reibungsloses Mobiltelefonerlebnis genießen können. Die Leistung wird jedoch auch vom Speicher beeinflusst. Viele Benutzer möchten wissen, wie sie die Speichernutzung des Xiaomi 14Pro überprüfen können. Wie überprüfe ich die Speichernutzung auf dem Xiaomi Mi 14Pro? Einführung in die Überprüfung der Speichernutzung des Xiaomi 14Pro. Öffnen Sie die Schaltfläche [Anwendungsverwaltung] in den [Einstellungen] des Xiaomi 14Pro-Telefons. Um die Liste aller installierten Apps anzuzeigen, durchsuchen Sie die Liste und suchen Sie die App, die Sie anzeigen möchten. Klicken Sie darauf, um die Seite mit den App-Details aufzurufen. Auf der Seite mit den Bewerbungsdetails
![Bei Windows-Eingaben kommt es zu Hängenbleiben oder hoher Speicherauslastung [Fix]](https://img.php.cn/upload/article/000/887/227/170835409686241.jpg?x-oss-process=image/resize,m_fill,h_207,w_330)
Die Windows-Eingabeerfahrung ist ein wichtiger Systemdienst, der für die Verarbeitung von Benutzereingaben von verschiedenen Geräten mit menschlicher Schnittstelle verantwortlich ist. Es startet automatisch beim Systemstart und läuft im Hintergrund. Allerdings kann es manchmal vorkommen, dass dieser Dienst automatisch hängt oder zu viel Speicher belegt, was zu einer verringerten Systemleistung führt. Daher ist es wichtig, diesen Prozess rechtzeitig zu überwachen und zu verwalten, um die Systemeffizienz und -stabilität sicherzustellen. In diesem Artikel erfahren Sie, wie Sie Probleme beheben können, bei denen die Windows-Eingabe einfriert oder eine hohe Speicherauslastung verursacht. Der Windows Input Experience Service verfügt über keine Benutzeroberfläche, ist jedoch eng mit der Handhabung grundlegender Systemaufgaben und Funktionen im Zusammenhang mit Eingabegeräten verbunden. Seine Aufgabe besteht darin, dem Windows-System dabei zu helfen, jede vom Benutzer eingegebene Eingabe zu verstehen.

Dem Bericht zufolge sagte Dae Woo Kim, Geschäftsführer von Samsung Electronics, dass Samsung Electronics auf der Jahrestagung 2024 der Korean Microelectronics and Packaging Society die Verifizierung der 16-schichtigen Hybrid-Bonding-HBM-Speichertechnologie abschließen werde. Es wird berichtet, dass diese Technologie die technische Verifizierung bestanden hat. In dem Bericht heißt es außerdem, dass diese technische Überprüfung den Grundstein für die Entwicklung des Speichermarktes in den nächsten Jahren legen werde. DaeWooKim sagte, dass Samsung Electronics erfolgreich einen 16-schichtigen gestapelten HBM3-Speicher auf Basis der Hybrid-Bonding-Technologie hergestellt hat. Das Speichermuster funktioniert in Zukunft normal für die Massenproduktion von HBM4-Speicher. ▲Bildquelle TheElec, wie unten: Im Vergleich zum bestehenden Bonding-Prozess müssen beim Hybrid-Bonding keine Unebenheiten zwischen den DRAM-Speicherschichten hinzugefügt werden, sondern es werden die oberen und unteren Schichten direkt mit Kupfer verbunden.

Wenn unerfahrene Benutzer einen Computer kaufen, sind sie neugierig auf den Unterschied zwischen 8g und 16g Computerspeicher? Soll ich 8g oder 16g wählen? Als Antwort auf dieses Problem wird es Ihnen der Herausgeber heute ausführlich erläutern. Gibt es einen großen Unterschied zwischen 8g und 16g Computerspeicher? 1. Für normale Familien oder normale Arbeiten kann 8G-Laufspeicher die Anforderungen erfüllen, sodass es während der Verwendung keinen großen Unterschied zwischen 8g und 16g gibt. 2. Bei der Verwendung durch Spielebegeisterte beginnen große Spiele derzeit grundsätzlich bei 6 g, wobei 8 g der Mindeststandard ist. Wenn der Bildschirm derzeit 2k groß ist, führt eine höhere Auflösung nicht zu einer höheren Bildratenleistung, sodass zwischen 8g und 16g kein großer Unterschied besteht. 3. Für Benutzer der Audio- und Videobearbeitung wird es offensichtliche Unterschiede zwischen 8g und 16g geben.

Diese Website berichtete am 21. März, dass Micron nach der Veröffentlichung seines vierteljährlichen Finanzberichts eine Telefonkonferenz abgehalten habe. Sanjay Mehrotra, CEO von Micron, sagte auf der Konferenz, dass HBM im Vergleich zu herkömmlichem Speicher deutlich mehr Wafer verbraucht. Micron sagte, dass der derzeit fortschrittlichste HBM3E-Speicher bei der Produktion derselben Kapazität auf demselben Knoten dreimal mehr Wafer verbraucht als Standard-DDR5, und es wird erwartet, dass HBM4 dieses Verhältnis in Zukunft weiter erhöhen wird, wenn die Leistung verbessert und die Verpackungskomplexität zunimmt . Unter Bezugnahme auf frühere Berichte auf dieser Website ist diese hohe Quote teilweise auf die niedrige Ertragsrate von HBM zurückzuführen. HBM-Speicher ist mit mehrschichtigen DRAM-Speicher-TSV-Verbindungen gestapelt. Ein Problem mit einer Schicht bedeutet, dass die gesamte

Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September berichteten die koreanischen Medien etnews gestern (Ortszeit), dass die „HBM-ähnlichen“ mobilen Speicherprodukte mit Stapelstruktur von Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 kommerzialisiert werden. Quellen zufolge betrachten die beiden koreanischen Speichergiganten gestapelten mobilen Speicher als wichtige zukünftige Einnahmequelle und planen, den „HBM-ähnlichen Speicher“ auf Smartphones, Tablets und Laptops auszudehnen, um End-Side-KI mit Strom zu versorgen. Früheren Berichten auf dieser Website zufolge heißt das Produkt von Samsung Electronics LPWide I/O-Speicher und SK Hynix nennt diese Technologie VFO. Die beiden Unternehmen haben ungefähr den gleichen technischen Weg gewählt, nämlich die Kombination von Fan-Out-Verpackungen und vertikalen Kanälen. Der LPWide I/O-Speicher von Samsung Electronics hat eine Bitbreite von 512
