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Es wird berichtet, dass Kioxia und SK Hynix über die Produktion von HBM-Speichern in Japan verhandeln, was ein wichtiger Schritt bei der Wiederbelebung japanischer Halbleiter sein dürfte.
Es wird berichtet, dass Kioxia und SK Hynix über die Produktion von HBM-Speichern in Japan verhandeln, was ein wichtiger Schritt bei der Wiederbelebung japanischer Halbleiter sein dürfte.
Laut Nachrichten dieser Website vom 5. März befinden sich Kioxia und SK Hynix nach Angaben der japanischen Medienagentur Jiji in Gesprächen über die Produktion von HBM-Speichern in Japan.
Dieser Website ist aufgefallen, dass letzten Monat ähnliche Nachrichten veröffentlicht wurden, die damals erwähnte Zusammenarbeit jedoch nichtflüchtige Speicher, also NAND-Flash-Speicher, betraf.
Derzeit ist HBM-Speicher einer der Hotspots im Bereich KI-Halbleiter und das Angebot übersteigt zunehmend die Nachfrage. Am Beispiel von SK Hynix ist geplant, die Produktion von 35.000 Stück pro Monat im zweiten Quartal 2023 auf 120.000 bis 140.000 Stück bis zum Jahresende zu steigern. Allerdings ist das diesjährige HBM-Kontingent bereits ausverkauft. Die Erweiterung der Produktionskapazität in Japan wird SK hynix dabei helfen, die Marktnachfrage zu befriedigen und so die derzeit angespannte Angebots- und Nachfragesituation zu entspannen.
Es wird berichtet, dass die beiden Parteien planen, die bestehenden Fabriken von KIOXIA in Kitakami und Yokkaichi, Japan, zu nutzen, um die Produktion von HBM-Speichern in Japan schnell zu realisieren.
Derzeit ist das Speicherhalbleitergeschäft von Kioxia und seinem Partner Western Digital in Japan auf die Kategorie NAND-Flash-Speicher beschränkt.
AllerdingsIm letzten Jahrhundert dominierten einst japanische Hersteller den DRAM-Speichermarkt, doch aufgrund mangelnder preislicher Wettbewerbsfähigkeit wichen sie nach und nach koreanischen und amerikanischen Herstellern. Mit der Übernahme von Elpida durch Micron im Jahr 2012 zogen sich japanische Hersteller vollständig aus dem Speichermarkt zurück.
„Jiji News Agency“ glaubt, dass, wenn die HBM-Speicherkooperation zwischen Kioxia und SK Hynix wahr wird, Japan die Produktion von fortschrittlichem DRAM-Speicher wieder aufnehmen wird, was ein wichtiger Schritt bei der Wiederbelebung der japanischen Halbleiterindustrie sein wird.
SK Hynix hält indirekt einige Anteile an Kioxia über Bain Capital, den größten Anteilseigner von Kioxia. Der Widerstand von SK Hynix gilt als entscheidender Faktor für das Scheitern der Fusionsverhandlungen zwischen Kioxia und Western Digital im vergangenen Jahr.
Quellen sagten, dass die Einholung der Zustimmung von SK Hynix zwar der Schlüssel zur Förderung der nächsten Runde der Fusionsverhandlungen zwischen KIOXIA und Western Digital sei, „die Zusammenarbeit bei HBM-Speicher jedoch ein unabhängiger Verhandlungsinhalt ist“.
Das obige ist der detaillierte Inhalt vonEs wird berichtet, dass Kioxia und SK Hynix über die Produktion von HBM-Speichern in Japan verhandeln, was ein wichtiger Schritt bei der Wiederbelebung japanischer Halbleiter sein dürfte.. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!
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Quellen sagen, dass die Ausbeute des fünfschichtig gestapelten 3D-DRAM-Speichers von SK Hynix 56,1 % erreicht hat
Jun 24, 2024 pm 01:52 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 24. Juni berichteten die koreanischen Medien BusinessKorea, dass Brancheninsider enthüllten, dass SK Hynix das neueste Forschungspapier zur 3D-DRAM-Technologie auf dem VLSI 2024 Summit veröffentlicht habe, der vom 16. bis 20. Juni in Hawaii, USA, stattfand. In diesem Artikel berichtet SK Hynix, dass die Ausbeute seines fünfschichtig gestapelten 3D-DRAM-Speichers 56,1 % erreicht hat und das 3D-DRAM im Experiment ähnliche Eigenschaften wie aktuelle 2D-DRAMs aufweist. Berichten zufolge stapelt 3D-DRAM die Zellen im Gegensatz zu herkömmlichem DRAM, bei dem die Speicherzellen horizontal angeordnet sind, vertikal, um eine höhere Dichte auf demselben Raum zu erreichen. Allerdings SK Hynix
Quellen zufolge werden Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 gestapelten mobilen Speicher kommerzialisieren
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September berichteten die koreanischen Medien etnews gestern (Ortszeit), dass die „HBM-ähnlichen“ mobilen Speicherprodukte mit Stapelstruktur von Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 kommerzialisiert werden. Quellen zufolge betrachten die beiden koreanischen Speichergiganten gestapelten mobilen Speicher als wichtige zukünftige Einnahmequelle und planen, den „HBM-ähnlichen Speicher“ auf Smartphones, Tablets und Laptops auszudehnen, um End-Side-KI mit Strom zu versorgen. Früheren Berichten auf dieser Website zufolge heißt das Produkt von Samsung Electronics LPWide I/O-Speicher und SK Hynix nennt diese Technologie VFO. Die beiden Unternehmen haben ungefähr den gleichen technischen Weg gewählt, nämlich die Kombination von Fan-Out-Verpackungen und vertikalen Kanälen. Der LPWide I/O-Speicher von Samsung Electronics hat eine Bitbreite von 512
Samsung gab den Abschluss der Verifizierung der 16-Layer-Hybrid-Bonding-Stacking-Prozesstechnologie bekannt, die voraussichtlich in großem Umfang im HBM4-Speicher zum Einsatz kommen wird
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Dem Bericht zufolge sagte Dae Woo Kim, Geschäftsführer von Samsung Electronics, dass Samsung Electronics auf der Jahrestagung 2024 der Korean Microelectronics and Packaging Society die Verifizierung der 16-schichtigen Hybrid-Bonding-HBM-Speichertechnologie abschließen werde. Es wird berichtet, dass diese Technologie die technische Verifizierung bestanden hat. In dem Bericht heißt es außerdem, dass diese technische Überprüfung den Grundstein für die Entwicklung des Speichermarktes in den nächsten Jahren legen werde. DaeWooKim sagte, dass Samsung Electronics erfolgreich einen 16-schichtigen gestapelten HBM3-Speicher auf Basis der Hybrid-Bonding-Technologie hergestellt hat. Das Speichermuster funktioniert in Zukunft normal für die Massenproduktion von HBM4-Speicher. ▲Bildquelle TheElec, wie unten: Im Vergleich zum bestehenden Bonding-Prozess müssen beim Hybrid-Bonding keine Unebenheiten zwischen den DRAM-Speicherschichten hinzugefügt werden, sondern es werden die oberen und unteren Schichten direkt mit Kupfer verbunden.
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Laut Nachrichten vom 9. August stellte SK Hynix auf dem FMS2024-Gipfel seine neuesten Speicherprodukte vor, darunter den universellen Flash-Speicher UFS4.1, dessen Spezifikationen noch nicht offiziell veröffentlicht wurden. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste UFS-Spezifikation im August 2022 UFS4.0. Die theoretische Schnittstellengeschwindigkeit beträgt bis zu 46,4 Gbit/s. Es wird erwartet, dass UFS4.1 die Übertragung weiter verbessern wird Rate. 1. Hynix demonstrierte Allzweck-Flash-Speicherprodukte mit 512 GB und 1 TBUFS4.1, basierend auf 321-Layer-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher. SK Hynix zeigte auch 3,2 Gbit/s V92TbQLC- und 3,6 Gbit/s V9H1TbTLC-Partikel. Hynix präsentiert V7-basiert
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Laut Nachrichten dieser Website vom 9. August und einer Pressemitteilung von SK Hynix gestern Ortszeit stellte das Unternehmen auf dem FMS2024-Gipfel eine Reihe neuer Speicherprodukte vor, darunter USF4.1-Universal-Flash-Speicher, der noch nicht offiziell veröffentlicht wurde Spezifikationen. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste derzeit angekündigte UFS-Spezifikation UFS4.0 im August 2022. UFS4.0 spezifiziert eine theoretische Schnittstellengeschwindigkeit von bis zu 46,4 Gbit/s für jedes Gerät, und USF4.1 soll die Übertragungsrate weiter verbessern. ▲JEDECUFS-Spezifikationsseite SK Hynix demonstrierte zwei UFS4.1-Allzweck-Flash-Speicher mit Kapazitäten von 512 GB bzw. 1 TB, beide basierend auf dem 321-Layer-Stapel-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher.
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Mar 05, 2024 pm 04:00 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 4. März berichteten die koreanischen Medien DealSite, dass SK Hynix und Samsung Electronics die Produktion von HBM-Speichern in diesem Jahr deutlich ausweiten werden. HBM-Speicher weisen jedoch Probleme wie eine geringe Ausbeute auf, was es schwierig macht, mit der Nachfrage im Zusammenhang mit dem KI-Markt Schritt zu halten. HBM-Speicher sind ein heißes Gut auf dem KI-Halbleitermarkt und verwenden Wafer-Level-Packaging (WLP): Mehrschichtige DRAM-Speicherwafer werden über Siliziumlöcher mit dem Basiswafer verbunden dass der gesamte HBM-Stapel verschrottet wird. ▲HBM-Speicherstrukturdiagramm. Bildquelle: SK Hynix nimmt als Beispiel ein 8-schichtiges gestapeltes Produkt. Wenn die Ausbeute jedes Stapels 90 % beträgt, beträgt die Ausbeute des gesamten HBM-Stacks nur 43 % und mehr als die Hälfte des DRAM wird verworfen . Und wenn HBM den 12. Stock erreicht,
Geboren für KI: Samsung kündigt an, den HBM4-Videospeicher im Jahr 2025 in Produktion zu bringen und damit um die Führung im Hochleistungsrechnen zu konkurrieren
Oct 13, 2023 pm 02:17 PM
Der rasante Anstieg der KI-Rechenleistung in den letzten Jahren hat Computerkarten zu einem neuen Ziel für große Hardwarehersteller gemacht. Neben den leistungsstarken GPUs von NVIDIA sind insbesondere Computerkarten von Herstellern wie Samsung Mangelware Auch Hynix und Hynix wollen sich dieses KI-Fest nicht entgehen lassen, insbesondere die von ihnen hergestellten Hochleistungs-Computerkarten, die einen leistungsstarken Grafikspeicher benötigen. Derzeit hat ein leitender Angestellter im Speicherbereich von Samsung ein Dokument herausgegeben, in dem es heißt, dass Samsung dies plant 2025 soll der neueste Speicher in Massenproduktion hergestellt werden. Der HBM4-Videospeicher überholt damit Hynix. Im Jahr 2016 begann Samsung offiziell mit der Massenproduktion von HBM-Videospeichern. Im Vergleich zum GDDR-Videospeicher verfügt der HBM-Videospeicher über eine größere Bandbreite und erreicht dadurch eine höhere Übertragungsleistung. Im Verbrauchermarkt AMDs Radeon
