Heim Hardware-Tutorial Hardware-Neuigkeiten Western Digital bringt PC SN5000S NVMe SSD auf den Markt: QLC-Flash-Speicher, bis zu 2 TB Kapazität

Western Digital bringt PC SN5000S NVMe SSD auf den Markt: QLC-Flash-Speicher, bis zu 2 TB Kapazität

Mar 15, 2024 pm 12:52 PM
固态硬盘 西部数据

Laut Nachrichten dieser Website hat Western Digital am 14. März das NVMe-Solid-State-Laufwerk PC SN5000S auf den Markt gebracht. Dieses Produkt ist mit BICS6 (162-Layer) QLC-Flash-Speicher ausgestattet und ist ein Produkt für OEM-Hersteller. Fotos der Western Digital PC SN5000S SSD Erhältlich in drei Kapazitäten: 512 GB/1 TB/2 TB, unterstützt die dynamische SLC-Caching-Technologie nCache 4.0.

In Bezug auf die Parameter beträgt die maximale sequentielle Lesegeschwindigkeit der drei Kapazitäten des PC SN5000S 6000 MB/s und die maximale sequentielle Schreibrate beträgt jeweils 4200/5400/5600 MB/s (von niedriger Kapazität bis hoher Kapazität dasselbe). unten). Die nominale zufällige Lesegeschwindigkeit der drei beträgt jeweils 500.000 / 750.000 / 750.000 IOPS; die zufällige Schreibgeschwindigkeit beträgt jeweils 850.000 / 900.000 / 900.000 IOPS. 西部数据推出 PC SN5000S NVMe 固态硬盘:QLC 闪存,最大 2TB 容量

In Bezug auf die Garantie gewährt
Western Digital eine 5-Jahres-Garantie mit einer Nennlebensdauer von 150/300/600 TBW, d. h. einem garantierten Schreibvolumen von 300 TB pro TB
.

▲Western Digital PC SN5000S Solid-State-Drive-Kernspezifikationen und -parameter

Beziehen Sie sich auf die bisherigen Prozesse von Western Digital.Diese Website geht davon aus, dass die entsprechenden Einzelhandelsprodukte des PC SN5000S ebenfalls bald auf den Markt kommen werden.

Das obige ist der detaillierte Inhalt vonWestern Digital bringt PC SN5000S NVMe SSD auf den Markt: QLC-Flash-Speicher, bis zu 2 TB Kapazität. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!

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Samsung bringt PM1753 SSD für Rechenzentren auf den Markt: 14,8 GB/s sequentielles Lesen, 3,4 Millionen zufälliges Lesen IOPS Samsung bringt PM1753 SSD für Rechenzentren auf den Markt: 14,8 GB/s sequentielles Lesen, 3,4 Millionen zufälliges Lesen IOPS Aug 08, 2024 pm 04:40 PM

Laut Nachrichten dieser Website vom 8. August stellte Samsung auf dem Flash Memory Summit (FMS) 2024 eine Vielzahl neuer SSD-Produkte vor – PM1753, BM1743, PM9D3a, PM9E1 – und testete auch die neunte Generation QLCV-NAND, TLCV-NAND und CMM-D-DRAM-, CMM-HTM-, CMM-HPM- und CMM-BCXL-Technologien wurden eingeführt. BM1743 verwendet QLC-Flash-Speicher mit einer Kapazität von bis zu 128 TB, einer kontinuierlichen Lesegeschwindigkeit von 7,5 GB/s, einer Schreibgeschwindigkeit von 3,5 GB/s, einer zufälligen Lesegeschwindigkeit von 1,6 Millionen IOPS und einer Schreibgeschwindigkeit von 45.000 IOPS 2,5-Zoll-Formfaktor und eine U.2-Schnittstelle, und im Leerlauf wird der Stromverbrauch auf 4 W reduziert, und zwar nur nach nachfolgenden OTA-Updates

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Diese Website berichtete am 22. Juli, dass ICEDOCK am 19. dieses Monats die Extraktionsbox für M.2-Solid-State-Laufwerke ExpressSlotMB204MP-B mit vier Schächten auf den Markt gebracht hat. Die Extraktionsbox hat die Form einer PCIeAIC-Zusatzkarte, erfordert eine PCIe6Pin-Hilfsstromversorgung, hat eine dreidimensionale Abmessung von 204,5 x 21,59 x 126,9 (mm), unterstützt das PCIe5.0-Protokoll und kann 16 GB/s PCIe5 bereitstellen ,0×4 Full-Speed-Bandbreite für jedes Solid-State-Laufwerk. Die Esidak ExpressSlotMB204MP-B SSD-Extraktionsbox ist mit M.22230/2242/2260/2280 SSDs kompatibel. Allerdings darf die Dicke jeder Seite dieser SSDs 1,5 mm nicht überschreiten.

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Es wird berichtet, dass Kingstons NVMe-Solid-State-Laufwerk NV3 der neuen Generation der Einstiegsklasse im August auf den Markt kommen wird Es wird berichtet, dass Kingstons NVMe-Solid-State-Laufwerk NV3 der neuen Generation der Einstiegsklasse im August auf den Markt kommen wird Jul 17, 2024 pm 08:38 PM

Laut Nachrichten dieser Website vom 15. Juli wird Kingston laut dem öffentlichen WeChat-Konto ChannelGate im August eine neue Generation der NVMe-Solid-State-Drive-Serie NV3 der Einstiegsklasse auf den Markt bringen. Kingston NV3 wird weiterhin die gleiche PCIe4.0×4-Spezifikation wie das bestehende Produkt NV2 verwenden. Die sequentielle Lesegeschwindigkeit wird auf 6000 MB/s erhöht, und die sequentielle Schreibrate wird ebenfalls 5000 MB/s erreichen, was deutlich höher ist als die 3500 /2800 MB/s von NV2. NV3-Solid-State-Laufwerke decken vier Kapazitätspunkte von 500 GB, 1 TB, 2 TB und 4 TB ab und verzichten auf die 250-GB-Version, die auf NV2 erschien. Auf dieser Website wurde festgestellt, dass die Parameter von NV3 denen der KentingBay „KentingBay“ ähneln, die Kingston zuvor auf der Taipei International Computer Show 2024 gezeigt hatte.

Laut News wird Phison „in den kommenden Monaten' eine 128-TB-SSD auf den Markt bringen. Laut News wird Phison „in den kommenden Monaten' eine 128-TB-SSD auf den Markt bringen. Jun 22, 2024 am 08:19 AM

Laut Nachrichten dieser Website vom 21. Juni nimmt mit zunehmender Größe der Unternehmen auch die Menge der täglich generierten Daten zu, und es wird immer schwieriger, diese Daten zu sichern und zu verwalten. Gleichzeitig hat die Einführung der generativen KI dieses Problem weiter verschärft und traditionelle Speichermethoden vor eine große Herausforderung gestellt. Tatsächlich gibt es schon seit langem 128-TB-Solid-State-Laufwerke. Huawei hat beispielsweise bereits angekündigt, eine 128-TB-SSD zu entwickeln, dieses Produkt ist jedoch nur als Teil seiner OceanStor A800-Serie auf Exabyte-Niveau erhältlich voraussichtlich bis 2025 verfügbar sein. Auf der CES2024-Messe Anfang dieses Jahres zeigte Phison eine Vielzahl von SSDs und SSD-Controllern, darunter auch seine SSD-Plattform der X2-Serie für Unternehmen, aber das hier

Der Yangtze Memory QLC-Flash-Speicher X3-6070 hat eine Schreib- und Löschlebensdauer von 4.000 Malen und schließt damit mit TLC-Produkten auf Der Yangtze Memory QLC-Flash-Speicher X3-6070 hat eine Schreib- und Löschlebensdauer von 4.000 Malen und schließt damit mit TLC-Produkten auf Mar 28, 2024 pm 03:26 PM

Laut Nachrichten dieser Website vom 28. März erklärte Yangtze Memory laut taiwanesischen Medien DIGITIMES auf dem China Flash Memory Market Summit CFMS2024, dass der Flash-Speicher X3-6070QLC mit Xtacking-Technologie der dritten Generation eine KGV-Ausdauer von 4.000 Mal erreicht habe . Hinweis von dieser Website: Anders als bei der Garantiedauer weisen Original-TLC-Solid-State-Laufwerke der Verbraucherklasse in Tests im Allgemeinen eine Lösch- und Schreiblebensdauer von mindestens 3.000 P/E-Leveln auf. ▲Bildquelle China Flash Memory Market Summit CFMS-Beamter, derselbe unten Huo Zongliang, CTO von Yangtze Memory, sagte, dass die NAND-Flash-Speicherbranche das schwierigste Jahr 2023 hinter sich habe und in diesem Jahr in eine Aufwärtsphase eintreten werde Der Gesamtbedarf an Flash-Speicher wird von 2023 bis 2027 mit einer durchschnittlichen Rate wachsen. Die Rate kann bis zu 21 % betragen, und die durchschnittliche Kapazität eines einzelnen Geräts beträgt 21 %

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