MySQL的内存表_MySQL
“内存表”顾名思义创建在内存中的表,真是这样吗?其实不然,MySQL的内存表,表结构创建在磁盘上,数据存放在内存中,所以当MySQL启动着的时候,这个表是存在的,数据也是存在的,如果用户有查看这个表的权限,在所有会话里面,都可以访问这个内存表的数据;当MySQL重启后,数据消失,结构还存在。
内存表的创建:
CREATE TABLE test(<br> id int(10),<br> num int(10)<br>) ENGINE=MEMORY DEFAULT CHARSET=utf8;
查看是否创建成功:
show tables;
-- 删除数据<br>delete from test;
或者
-- 清空表<br>truncate table test;
-- 删除表<br>drop table test;
对于我们常用的功能来说,内存有以下特征:
1.对于varchar等变长类型,内存表使用固定的长度来存放;
2.内存表可以有非唯一键;
3.内存表不能包含BLOB或者TEXT列;
4.内存表支持AUTO_INCREMENT列;
5.内存表支持插入延迟,使读取优先;
6.非临时内存表和其它非内存表一样在所有客户端直接共享;
我们使用内存表的时候,需要注意以下几个方面:
1.服务器内存足够大;
2.我们创建的内存表和MySQL内部临时表有所不同:
内存表的数据存放在内存中,而内部临时表(我们的query语句产生的)在恰当的时候存放在内存中,当内部临时表变得很大时,MySQL会自动地把它转化为 在磁盘上存储的表,而我们创建的内存表,却不会自动转换。
3.当我们单独地delete from 某个内存表的时候,不会回收内存;只有当整个表被delete的时候,才会回收内存;
4.在MySQL的主从服务器上,内存表可以被复制
参考资料:
http://dev.mysql.com/doc/refman/5.0/en/memory-storage-engine.html

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![Bei Windows-Eingaben kommt es zu Hängenbleiben oder hoher Speicherauslastung [Fix]](https://img.php.cn/upload/article/000/887/227/170835409686241.jpg?x-oss-process=image/resize,m_fill,h_207,w_330)
Die Windows-Eingabeerfahrung ist ein wichtiger Systemdienst, der für die Verarbeitung von Benutzereingaben von verschiedenen Geräten mit menschlicher Schnittstelle verantwortlich ist. Es startet automatisch beim Systemstart und läuft im Hintergrund. Allerdings kann es manchmal vorkommen, dass dieser Dienst automatisch hängt oder zu viel Speicher belegt, was zu einer verringerten Systemleistung führt. Daher ist es wichtig, diesen Prozess rechtzeitig zu überwachen und zu verwalten, um die Systemeffizienz und -stabilität sicherzustellen. In diesem Artikel erfahren Sie, wie Sie Probleme beheben können, bei denen die Windows-Eingabe einfriert oder eine hohe Speicherauslastung verursacht. Der Windows Input Experience Service verfügt über keine Benutzeroberfläche, ist jedoch eng mit der Handhabung grundlegender Systemaufgaben und Funktionen im Zusammenhang mit Eingabegeräten verbunden. Seine Aufgabe besteht darin, dem Windows-System dabei zu helfen, jede vom Benutzer eingegebene Eingabe zu verstehen.

Wenn unerfahrene Benutzer einen Computer kaufen, sind sie neugierig auf den Unterschied zwischen 8g und 16g Computerspeicher? Soll ich 8g oder 16g wählen? Als Antwort auf dieses Problem wird es Ihnen der Herausgeber heute ausführlich erläutern. Gibt es einen großen Unterschied zwischen 8g und 16g Computerspeicher? 1. Für normale Familien oder normale Arbeiten kann 8G-Laufspeicher die Anforderungen erfüllen, sodass es während der Verwendung keinen großen Unterschied zwischen 8g und 16g gibt. 2. Bei der Verwendung durch Spielebegeisterte beginnen große Spiele derzeit grundsätzlich bei 6 g, wobei 8 g der Mindeststandard ist. Wenn der Bildschirm derzeit 2k groß ist, führt eine höhere Auflösung nicht zu einer höheren Bildratenleistung, sodass zwischen 8g und 16g kein großer Unterschied besteht. 3. Für Benutzer der Audio- und Videobearbeitung wird es offensichtliche Unterschiede zwischen 8g und 16g geben.

Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September berichteten die koreanischen Medien etnews gestern (Ortszeit), dass die „HBM-ähnlichen“ mobilen Speicherprodukte mit Stapelstruktur von Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 kommerzialisiert werden. Quellen zufolge betrachten die beiden koreanischen Speichergiganten gestapelten mobilen Speicher als wichtige zukünftige Einnahmequelle und planen, den „HBM-ähnlichen Speicher“ auf Smartphones, Tablets und Laptops auszudehnen, um End-Side-KI mit Strom zu versorgen. Früheren Berichten auf dieser Website zufolge heißt das Produkt von Samsung Electronics LPWide I/O-Speicher und SK Hynix nennt diese Technologie VFO. Die beiden Unternehmen haben ungefähr den gleichen technischen Weg gewählt, nämlich die Kombination von Fan-Out-Verpackungen und vertikalen Kanälen. Der LPWide I/O-Speicher von Samsung Electronics hat eine Bitbreite von 512

Diese Website berichtete am 21. März, dass Micron nach der Veröffentlichung seines vierteljährlichen Finanzberichts eine Telefonkonferenz abgehalten habe. Sanjay Mehrotra, CEO von Micron, sagte auf der Konferenz, dass HBM im Vergleich zu herkömmlichem Speicher deutlich mehr Wafer verbraucht. Micron sagte, dass der derzeit fortschrittlichste HBM3E-Speicher bei der Produktion derselben Kapazität auf demselben Knoten dreimal mehr Wafer verbraucht als Standard-DDR5, und es wird erwartet, dass HBM4 dieses Verhältnis in Zukunft weiter erhöhen wird, wenn die Leistung verbessert und die Verpackungskomplexität zunimmt . Unter Bezugnahme auf frühere Berichte auf dieser Website ist diese hohe Quote teilweise auf die niedrige Ertragsrate von HBM zurückzuführen. HBM-Speicher ist mit mehrschichtigen DRAM-Speicher-TSV-Verbindungen gestapelt. Ein Problem mit einer Schicht bedeutet, dass die gesamte

Dem Bericht zufolge sagte Dae Woo Kim, Geschäftsführer von Samsung Electronics, dass Samsung Electronics auf der Jahrestagung 2024 der Korean Microelectronics and Packaging Society die Verifizierung der 16-schichtigen Hybrid-Bonding-HBM-Speichertechnologie abschließen werde. Es wird berichtet, dass diese Technologie die technische Verifizierung bestanden hat. In dem Bericht heißt es außerdem, dass diese technische Überprüfung den Grundstein für die Entwicklung des Speichermarktes in den nächsten Jahren legen werde. DaeWooKim sagte, dass Samsung Electronics erfolgreich einen 16-schichtigen gestapelten HBM3-Speicher auf Basis der Hybrid-Bonding-Technologie hergestellt hat. Das Speichermuster funktioniert in Zukunft normal für die Massenproduktion von HBM4-Speicher. ▲Bildquelle TheElec, wie unten: Im Vergleich zum bestehenden Bonding-Prozess müssen beim Hybrid-Bonding keine Unebenheiten zwischen den DRAM-Speicherschichten hinzugefügt werden, sondern es werden die oberen und unteren Schichten direkt mit Kupfer verbunden.

Laut Nachrichten dieser Website vom 6. Mai hat Lexar den Übertaktungsspeicher der Ares Wings of War-Serie DDR57600CL36 auf den Markt gebracht. Das 16GBx2-Set wird am 7. Mai um 0:00 Uhr gegen eine Anzahlung von 50 Yuan im Vorverkauf erhältlich sein 1.299 Yuan. Der Lexar Wings of War-Speicher verwendet Hynix A-Die-Speicherchips, unterstützt Intel In Bezug auf die Wärmeableitung ist dieses Speicherset mit einer 1,8 mm dicken Wärmeableitungsweste aus Vollaluminium ausgestattet und mit dem exklusiven wärmeleitenden Silikonfettpad von PMIC ausgestattet. Der Speicher verwendet 8 hochhelle LED-Perlen und unterstützt 13 RGB-Beleuchtungsmodi.
