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SK Hynix demonstriert den ultraschnellen GDDR7-Videospeicher mit 40 Gbit/s
SK Hynix demonstriert den ultraschnellen GDDR7-Videospeicher mit 40 Gbit/s
Laut Nachrichten dieser Website vom 21. März stellte Samsung auf der GTC 2024 seinen kommenden 28-Gbit/s- und 32-Gbit/s-GDDR7-Videospeicher vor, und Hynix ging noch einen Schritt weiter. Das Unternehmen entwickelt schnellere Videospeichermodule.
Laut HardwareLuxx hat Samsung zuvor behauptet, 37 Gbit/s GDDR7-Videospeicher zu entwickeln, der derzeit der schnellste bekannte Speicher dieser Art ist. Hynix hat sich höhere 40 Gbit/s zum Ziel gesetzt, was zum Leistungsziel für die gesamte G7-Videospeicherserie werden könnte.
Auf dieser Website wurde festgestellt, dass die neue Generation des GDDR7-Speichers auch Optionen mit höherer Kapazität bieten wird. Die dieses Mal angezeigten Versionen umfassen Modelle mit 16 GB und 24 GB (entsprechend 2 GB bzw. 3 GB Videospeicherkapazität). Gemäß den von der JEDEC-Organisation bekannt gegebenen Spezifikationen soll die Geschwindigkeit des GDDR7-Speichers in Zukunft voraussichtlich weiter auf 48 Gbit/s erhöht werden, und die Kapazität wird auch 64 Gbit (8 GB) erreichen, was einen enormen Sprung in der Videospeicherkapazität mit sich bringen wird. Eine standardmäßige 256-Bit-Grafikkartenschnittstelle gepaart mit einem solchen Speicher bietet bis zu 64 GB Grafikspeicher, was eine enorme Verbesserung im Vergleich zum aktuellen Maximum von 16 GB darstellt.
Darüber hinaus demonstrierte SK Hynix auch DDR5 MCR DIMM-Speichermodule mit einer Übertragungsrate von bis zu 8800 MT/s, einer Kapazität von bis zu 64 GB und einer Spannung von 1,1 V.
Derzeit werden die Grafikkarten der NVIDIA RTX 50-Serie, die voraussichtlich Ende des Jahres auf den Markt kommen, die ersten Produkte sein, die GDDR7-Videospeicher verwenden. Berichten zufolge wird diese Grafikkartenserie eine Speichergeschwindigkeit von 28 Gbit/s nutzen, was Spielraum für Geschwindigkeitssteigerungen von mehr als 32 Gbit/s für Produkte der nächsten Generation lässt.
Das obige ist der detaillierte Inhalt vonSK Hynix demonstriert den ultraschnellen GDDR7-Videospeicher mit 40 Gbit/s. Für weitere Informationen folgen Sie bitte anderen verwandten Artikeln auf der PHP chinesischen Website!
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So erhöhen Sie den VRAM in Windows 11
May 05, 2023 pm 04:25 PM
Erhalten Sie Warnungen bezüglich des Grafikkartenspeichers Ihres Computers, wenn Sie grafikintensive Software oder ein neues Spiel verwenden? Um diese Probleme zu vermeiden und ressourcenintensive Spiele oder Anwendungen reibungslos auszuführen, benötigen Sie eine Grafikkarte und einen RAM, die den Spezifikationen entsprechen. Unabhängig davon, ob Ihr Computer alt ist oder ohne ersichtlichen Grund Grafikprobleme hat, können Sie das Problem beheben, indem Sie in bestimmten Situationen einige Parameter anpassen. Die Methode, die wir in diesem Artikel behandeln, besteht darin, den VRAM in Windows 11 zu erhöhen. Dies ist eine der effektivsten Möglichkeiten, das Beste aus Ihrem Computer, insbesondere Ihrer Grafikkarte, herauszuholen. Doch bevor wir näher darauf eingehen, schauen wir uns an, was VRAM ist und was es bewirkt. Also, ohne weitere Umschweife, fangen wir an. Warum den Videospeicher erhöhen? Auf welche Aspekte von Spiele- und Grafiksoftware müssen wir hinweisen?
Quellen sagen, dass die Ausbeute des fünfschichtig gestapelten 3D-DRAM-Speichers von SK Hynix 56,1 % erreicht hat
Jun 24, 2024 pm 01:52 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 24. Juni berichteten die koreanischen Medien BusinessKorea, dass Brancheninsider enthüllten, dass SK Hynix das neueste Forschungspapier zur 3D-DRAM-Technologie auf dem VLSI 2024 Summit veröffentlicht habe, der vom 16. bis 20. Juni in Hawaii, USA, stattfand. In diesem Artikel berichtet SK Hynix, dass die Ausbeute seines fünfschichtig gestapelten 3D-DRAM-Speichers 56,1 % erreicht hat und das 3D-DRAM im Experiment ähnliche Eigenschaften wie aktuelle 2D-DRAMs aufweist. Berichten zufolge stapelt 3D-DRAM die Zellen im Gegensatz zu herkömmlichem DRAM, bei dem die Speicherzellen horizontal angeordnet sind, vertikal, um eine höhere Dichte auf demselben Raum zu erreichen. Allerdings SK Hynix
Quellen zufolge werden Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 gestapelten mobilen Speicher kommerzialisieren
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 3. September berichteten die koreanischen Medien etnews gestern (Ortszeit), dass die „HBM-ähnlichen“ mobilen Speicherprodukte mit Stapelstruktur von Samsung Electronics und SK Hynix nach 2026 kommerzialisiert werden. Quellen zufolge betrachten die beiden koreanischen Speichergiganten gestapelten mobilen Speicher als wichtige zukünftige Einnahmequelle und planen, den „HBM-ähnlichen Speicher“ auf Smartphones, Tablets und Laptops auszudehnen, um End-Side-KI mit Strom zu versorgen. Früheren Berichten auf dieser Website zufolge heißt das Produkt von Samsung Electronics LPWide I/O-Speicher und SK Hynix nennt diese Technologie VFO. Die beiden Unternehmen haben ungefähr den gleichen technischen Weg gewählt, nämlich die Kombination von Fan-Out-Verpackungen und vertikalen Kanälen. Der LPWide I/O-Speicher von Samsung Electronics hat eine Bitbreite von 512
Hynix ist der erste, der UFS 4.1-Flash-Speicher demonstriert: basierend auf V9 TLC NAND-Partikeln
Aug 09, 2024 pm 03:33 PM
Laut Nachrichten vom 9. August stellte SK Hynix auf dem FMS2024-Gipfel seine neuesten Speicherprodukte vor, darunter den universellen Flash-Speicher UFS4.1, dessen Spezifikationen noch nicht offiziell veröffentlicht wurden. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste UFS-Spezifikation im August 2022 UFS4.0. Die theoretische Schnittstellengeschwindigkeit beträgt bis zu 46,4 Gbit/s. Es wird erwartet, dass UFS4.1 die Übertragung weiter verbessern wird Rate. 1. Hynix demonstrierte Allzweck-Flash-Speicherprodukte mit 512 GB und 1 TBUFS4.1, basierend auf 321-Layer-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher. SK Hynix zeigte auch 3,2 Gbit/s V92TbQLC- und 3,6 Gbit/s V9H1TbTLC-Partikel. Hynix präsentiert V7-basiert
SK Hynix übernimmt die Führung bei der Demonstration des universellen Flash-Speichers UFS 4.1, der auf V9 TLC NAND-Partikeln basiert
Aug 09, 2024 am 10:42 AM
Laut Nachrichten dieser Website vom 9. August und einer Pressemitteilung von SK Hynix gestern Ortszeit stellte das Unternehmen auf dem FMS2024-Gipfel eine Reihe neuer Speicherprodukte vor, darunter USF4.1-Universal-Flash-Speicher, der noch nicht offiziell veröffentlicht wurde Spezifikationen. Laut der offiziellen Website der JEDEC Solid State Technology Association ist die neueste derzeit angekündigte UFS-Spezifikation UFS4.0 im August 2022. UFS4.0 spezifiziert eine theoretische Schnittstellengeschwindigkeit von bis zu 46,4 Gbit/s für jedes Gerät, und USF4.1 soll die Übertragungsrate weiter verbessern. ▲JEDECUFS-Spezifikationsseite SK Hynix demonstrierte zwei UFS4.1-Allzweck-Flash-Speicher mit Kapazitäten von 512 GB bzw. 1 TB, beide basierend auf dem 321-Layer-Stapel-V91TbTLCNAND-Flash-Speicher.
Berichten zufolge haben SK Hynix und Samsung Electronics die Produktion von HBM-Speichern in diesem Jahr erheblich ausgeweitet, die aktuelle Ausbeute beträgt jedoch nur 65 %
Mar 05, 2024 pm 04:00 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 4. März berichteten die koreanischen Medien DealSite, dass SK Hynix und Samsung Electronics die Produktion von HBM-Speichern in diesem Jahr deutlich ausweiten werden. HBM-Speicher weisen jedoch Probleme wie eine geringe Ausbeute auf, was es schwierig macht, mit der Nachfrage im Zusammenhang mit dem KI-Markt Schritt zu halten. HBM-Speicher sind ein heißes Gut auf dem KI-Halbleitermarkt und verwenden Wafer-Level-Packaging (WLP): Mehrschichtige DRAM-Speicherwafer werden über Siliziumlöcher mit dem Basiswafer verbunden dass der gesamte HBM-Stapel verschrottet wird. ▲HBM-Speicherstrukturdiagramm. Bildquelle: SK Hynix nimmt als Beispiel ein 8-schichtiges gestapeltes Produkt. Wenn die Ausbeute jedes Stapels 90 % beträgt, beträgt die Ausbeute des gesamten HBM-Stacks nur 43 % und mehr als die Hälfte des DRAM wird verworfen . Und wenn HBM den 12. Stock erreicht,
Neuer KI-Algorithmus vorgestellt: Stromverbrauch auf 1/50 der herkömmlichen Konfiguration reduziert, Speichernutzung auf 1/10 reduziert
Jun 27, 2024 pm 03:54 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 27. Juni hat ein Forschungsteam der University of California in Santa Cruz eine neue Methode entwickelt, mit der ein großes Sprachmodell mit einer Skala von 1 Milliarde Parametern mit nur 13 W Leistung (entspricht der Leistung) ausgeführt werden kann einer modernen LED-Glühbirne). Zum Vergleich: Eine GPU auf Rechenzentrumsebene, die für große Sprachmodellaufgaben verwendet wird, benötigt etwa 700 W. Unter der KI-Welle liegen die Hauptforschungsrichtungen vieler Unternehmen und Institutionen auf Anwendung und Argumentation, und Indikatoren wie Effizienz werden selten berücksichtigt. Um diese Situation zu entschärfen, eliminierte der Forscher die intensive Technik der Matrixmultiplikation und schlug eine „Ternion“-Lösung vor, die nur drei Werte hat: negativ eins, null oder positiv eins. Das Team erstellte außerdem kundenspezifische Hardware unter Verwendung einer hochgradig angepassten Schaltung, die als feldprogrammierbares Gate-Array (FPGA) bezeichnet wird, um die Nutzung zu maximieren
SK Hynix und Samsung Electronics werden voraussichtlich noch in diesem Jahr mit der Massenproduktion von 1c-Nanometer-DRAM-Speichern beginnen
Apr 09, 2024 pm 05:25 PM
Laut Nachrichten dieser Website vom 9. April berichteten die koreanischen Medien Businesskorea, dass SK Hynix und Samsung Electronics voraussichtlich noch in diesem Jahr mit der Massenproduktion von 1c-Nanometer-DRAM-Speichern beginnen werden. Nach dem Eintritt in den 20-10-nm-Prozess werden Speichergenerationen im Allgemeinen in Form von 1+ Buchstaben bezeichnet. 1cnm entspricht dem 1-Gamma-Ausdruck von Micron und ist die sechste 10+-nm-Prozessgeneration. Samsung bezeichnet die 1-Milliarden-Milliarden-Vorgängergeneration als „12-nm-Klasse“. Samsung erklärte kürzlich auf der Branchenkonferenz Memcon2024, dass es plant, die Massenproduktion des 1-cnm-Prozesses bis Ende dieses Jahres zu erreichen, und kürzlich gaben Branchenquellen bekannt, dass SK Hynix intern einen Fahrplan für die Massenproduktion von 1-cnm-DRAM-Speichern im dritten Quartal formuliert hat . SK hynix plant, sich im Voraus vorzubereiten
