Samsung Electronics: Die 4-nm-Knotenausbeute hat sich stabilisiert und die Massenproduktion von HBM3E 12H-Speicher wird im zweiten Quartal beginnen

Laut Nachrichten dieser Website vom 30. April teilte Samsung Electronics die technischen Informationen und Zukunftsaussichten seines Halbleitergeschäfts im heute veröffentlichten Finanzbericht für das erste Quartal mit. Diese Website fasst sie wie folgt zusammen:

System LSI

Samsung sagte, dass sich die Erholung des Gießereigeschäfts im Kristall insgesamt relativ verzögert, die betriebliche Effizienz der Waferfabrik sich jedoch bis zu einem gewissen Grad verbessert hat.

In Bezug auf die Technologie sagte Samsung, dass sich seine 3-nm- und 2-nm-Knotentechnologien reibungslos entwickeln und die Entwicklung der 2-nm-Designinfrastruktur in diesem Quartal abschließen werden, während sich die Ertragsrate bei 4-nm-Knoten allmählich stabilisiert .

Samsung bereitet sich auf eine 4-nm-Technologie vor, die für 3D-ICs geeignet ist, und plant die Entwicklung einer Infrastruktur, die für ausgereifte Knoten wie 14-nm- und 8-nm-Knoten geeignet ist, um den Anforderungen verschiedener Anwendungen gerecht zu werden.

Samsung bestätigte, dass es weiterhin

plant, in der zweiten Jahreshälfte die Massenproduktion der 3-nm-Technologie der zweiten Generation zu erreichen und den Reifegrad der 2-nm-Technologie zu erhöhen. Speicher

Samsung gab bekannt, dass es diesen Monat mit der Massenproduktion von HBM3E 8H-Speichern (8-Layer-Stacking) begonnen hat und plant, noch in diesem Quartal mit der Massenproduktion von HBM3E 12H-Produkten zu beginnen, die eine Single-Stack-Kapazität von 36 GB bieten. Samsung wird das HBM-Angebot weiter erhöhen, um den Anforderungen des Marktes für generative KI gerecht zu werden.

Für herkömmliches DDR5 wird in diesem Quartal auch Samsungs 32-GB-DDR5 basierend auf dem 1-Milliarden-Nanometer-Prozess (12-Nanometer-Ebene) in Massenproduktion hergestellt. Samsung plant einen schnelleren Produktionsanlauf für dieses Produkt, um die Wettbewerbsfähigkeit des Unternehmens auf dem Markt für hochdichte DDR5-Module zu verbessern.

Samsung 1 Milliarde 32 GB DDR5-Speicher wurde im September letzten Jahres auf den Markt gebracht, die Massenproduktion ist für Ende 2023 geplant. Im Bereich NAND-Flash-Speicher hat Samsung außerdem bestätigt, dass die

QLC-Version des V-NAND der 9. Generation im dritten Quartal in Massenproduktion gehen wird

.

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