RMAN深入解析之--内存中的RMAN
RMAN深入解析之--内存中的RMAN RMAN会在内存中创建一些缓冲区,然后通过这些缓冲区将数据块 写入到备份中。内存的利用与PGA(有时是SGA)的总体大小有关。 内存缓冲区分为输入缓冲区和输出缓冲区。输入缓冲区(input buffer)填充从备份文件中读取数据块;输出
RMAN深入解析之--内存中的RMAN
RMAN会在内存中创建一些缓冲区,然后通过这些缓冲区将数据块 写入到备份中。内存的利用与PGA(有时是SGA)的总体大小有关。
内存缓冲区分为输入缓冲区和输出缓冲区。输入缓冲区(input buffer)填充从备份文件中读取数据块;输出缓冲区(output buffer)则在执行内存对内存的写操作时填充需要备份的数据块,一旦输出缓冲区被填满,输出缓冲区的内容就会被写入到备份位置。
RMAN的内存利用
在磁盘上备份会使用PGA内存空间作为备份缓冲区,PGA内存空间从用于信道进程的内存空间中分配。如果操作系统没有配置本地异步I/O,则可以利用DBWR_IO_SLAVES参数使用I/O丛属来填充内存中的输入缓冲。如果设置DBWR_IO_SLAVES参数为任意的非零值,则RMAN会自动分配4个I/O从属来协调输入缓冲区中数据块加载。为了实现这一功能,RMAN必须利用一个共享内存区域。因此,用于磁盘备份的内存缓冲区会被推入共享池,如果存在大池,则被推入大池。如果没有使用磁带I/O从属,则会在PGA中分配用于磁带输出缓冲区的内存。
查看RMAN备份输入缓冲区的信息:
[oracle@rh6 ~]$ rman target / Recovery Manager: Release 11.2.0.1.0 - Production on Tue Jun 17 18:30:27 2014 Copyright (c) 1982, 2009, Oracle and/or its affiliates. All rights reserved. connected to target database: PROD (DBID=239333010) RMAN> backup database; Starting backup at 17-JUN-14 allocated channel: ORA_DISK_1 channel ORA_DISK_1: SID=43 device type=DISK channel ORA_DISK_1: starting full datafile backup set channel ORA_DISK_1: specifying datafile(s) in backup set input datafile file number=00001 name=/u01/app/oracle/oradata/prod/system01.dbf input datafile file number=00002 name=/u01/app/oracle/oradata/prod/sysaux01.dbf input datafile file number=00005 name=/u01/app/oracle/oradata/prod/example01.dbf input datafile file number=00003 name=/u01/app/oracle/oradata/prod/undotbs01.dbf input datafile file number=00004 name=/u01/app/oracle/oradata/prod/users01.dbf channel ORA_DISK_1: starting piece 1 at 17-JUN-14 channel ORA_DISK_1: finished piece 1 at 17-JUN-14 piece handle=/u01/app/oracle/product/11.2.0/db_1/dbs/04pb386s_1_1 tag=TAG20140617T183051 comment=NONE channel ORA_DISK_1: backup set complete, elapsed time: 00:01:42 channel ORA_DISK_1: starting full datafile backup set channel ORA_DISK_1: specifying datafile(s) in backup set including current control file in backup set including current SPFILE in backup set channel ORA_DISK_1: starting piece 1 at 17-JUN-14 channel ORA_DISK_1: finished piece 1 at 17-JUN-14 piece handle=/u01/app/oracle/product/11.2.0/db_1/dbs/05pb38a3_1_1 tag=TAG20140617T183051 comment=NONE channel ORA_DISK_1: backup set complete, elapsed time: 00:00:01 Finished backup at 17-JUN-14 查看缓冲区信息: sql>select set_count,device_type,type,filename,buffer_size,buffer_count,open_time,close_time 2 from v$backup_async_io 3* order by set_count,type,open_time,close_time SET_COUNT DEVICE_TYP TYPE FILENAME BUFFER_SIZE BUFFER_COUNT OPEN_TIME CLOSE_TIM ---------- ---------- --------- ---------------------------------------- ----------- ------------ --------- --------- 4 DISK AGGREGATE 0 0 17-JUN-14 17-JUN-14 4 DISK INPUT /u01/app/oracle/oradata/prod/example01.d 524288 6 17-JUN-14 17-JUN-14 bf 4 DISK INPUT /u01/app/oracle/oradata/prod/sysaux01.db 524288 6 17-JUN-14 17-JUN-14 f 4 DISK INPUT /u01/app/oracle/oradata/prod/system01.db 524288 6 17-JUN-14 f 4 DISK INPUT /u01/app/oracle/oradata/prod/users01.dbf 524288 6 17-JUN-14 17-JUN-14 4 DISK INPUT /u01/app/oracle/oradata/prod/undotbs01.d 524288 6 17-JUN-14 17-JUN-14 bf 4 DISK OUTPUT /u01/app/oracle/product/11.2.0/db_1/dbs/ 1048576 4 17-JUN-14 04pb386s_1_1 7 rows selected. Elapsed: 00:00:00.02 18:32:19 SYS@ prod>

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Récemment, Xiaomi a lancé un puissant smartphone haut de gamme, le Xiaomi 14Pro, qui présente non seulement un design élégant, mais également une technologie noire interne et externe. Le téléphone offre des performances optimales et d'excellentes capacités multitâches, permettant aux utilisateurs de profiter d'une expérience de téléphonie mobile rapide et fluide. Cependant, les performances seront également affectées par la mémoire. De nombreux utilisateurs souhaitent savoir comment vérifier l’utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro, alors jetons-y un coup d’œil. Comment vérifier l’utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ? Introduction à la façon de vérifier l'utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro. Ouvrez le bouton [Gestion des applications] dans [Paramètres] du téléphone Xiaomi 14Pro. Pour afficher la liste de toutes les applications installées, parcourez la liste et recherchez l'application que vous souhaitez afficher, cliquez dessus pour accéder à la page de détails de l'application. Dans la page de détails de la candidature

Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.

Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.

Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.

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