Maison base de données tutoriel mysql 计算SGA各池的内存地址的边界

计算SGA各池的内存地址的边界

Jun 07, 2016 pm 03:28 PM
ht 内存 地址 计算 limite

转载请注明出处 :http://blog.csdn.net/guoyjoe/article/details/18508283 有时我们想知道数据在SGA中的哪个池中,可以用下面的方法计算出各池的内存地址边界。 1、LOG BUFFER池内存地址边界 0x00000060222000 LOG BUFFER池内存 0x0000006682B000(0x000000

转载请注明出处:http://blog.csdn.net/guoyjoe/article/details/18508283


有时我们想知道数据在SGA中的哪个池中,可以用下面的方法计算出各池的内存地址边界。


1、LOG BUFFER池内存地址边界


0x00000060222000 > LOG BUFFER池内存


如下计算:
sys@DTRACE> oradebug setmypid
Statement processed.
sys@DTRACE> oradebug ipc
Information written to trace file.
sys@DTRACE> col value for a80
sys@DTRACE> select value from v$diag_info where name='Default Trace File';


VALUE
--------------------------------------------------------------------------------
/export/home/oracle/diag/rdbms/dtrace/dtrace/trace/dtrace_ora_4103.trc


Area #2 `Redo Buffers' containing Subareas 1-1
Total size 0000000006609000 Minimum Subarea size 00000000
Area Subarea Shmid Stable Addr Actual Addr
2 1 196612 0x00000060222000 0x00000060222000
Subarea size Segment size
0000000006609000 0000000006c00000



2、BUFFER CACHE池内存地址的边界


0x0000000078A22000 > BUFFER CACHE池内存地址




如下计算:
sys@DTRACE> select min(ba),max(ba) from x$bh;


MIN(BA) MAX(BA)
---------------- ----------------
0000000078A22000 000000007FBD6000




3、SHARED POOL池内存地址边界


0x93800000> SHARED POOL池内存地址



如下计算:
gyj@DTRACE> alter session set events 'immediate trace name heapdump level 2';


Session altered.


gyj@DTRACE> col value for a80
gyj@DTRACE> select value from v$diag_info where name='Default Trace File';


VALUE
--------------------------------------------------------------------------------
/export/home/oracle/diag/rdbms/dtrace/dtrace/trace/dtrace_ora_4046.trc




more /export/home/oracle/diag/rdbms/dtrace/dtrace/trace/dtrace_ora_4046.trc
******************************************************
HEAP DUMP heap name="sga heap(1,0)" desc=0x600551a0
extent sz=0xfe0 alt=248 het=32767 rec=9 flg=-126 opc=0
parent=(nil) owner=(nil) nex=(nil) xsz=0x400000 heap=(nil)
fl2=0x20, nex=(nil), dsxvers=1, dsxflg=0x0
dsx first ext=0x9a800000
latch set 1 of 7
durations disabled for this heap
reserved granules for root 57 (granule size 4194304)
EXTENT 0 addr=0x93800000
.............................
EXTENT 5 addr=0x9b800000
Chunk 09b800058 sz= 80 perm "perm " alo=80
Chunk 09b8000a8 sz= 48 R-freeable "reserved stoppe"
Chunk 09b8000d8 sz= 212728 R-free " "
Chunk 09b833fd0 sz= 48 R-freeable "reserved stoppe"
Chunk 09b834000 sz= 2763512 perm "perm " alo=2763512
Chunk 09bad6af8 sz= 1209408 perm "perm " alo=1209408
Chunk 09bbfdf38 sz= 64 freeable "KGI Session Sta"
Chunk 09bbfdf78 sz= 40 freeable "listener addres"
Chunk 09bbfdfa0 sz= 128 freeable "dbgefgHtAddSK-1"
Chunk 09bbfe020 sz= 136 freeable "dbgefgHtAddSK-1"
Chunk 09bbfe0a8 sz= 40 freeable "plwppwp:PLW_STR"
Chunk 09bbfe0d0 sz= 160 freeable "joxs heap "
Chunk 09bbfe170 sz= 32 freeable "PRESENTATION EN"
Chunk 09bbfe190 sz= 2072 freeable "PRESENTATION TA"
Chunk 09bbfe9a8 sz= 1168 freeable "character set m"
Chunk 09bbfee38 sz= 4552 freeable "character set m"
Total heap size = 25165296


看转储的DUMP日志一个区的大小是: xsz=0x400000



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Des sources affirment que Samsung Electronics et SK Hynix commercialiseront de la mémoire mobile empilée après 2026 Des sources affirment que Samsung Electronics et SK Hynix commercialiseront de la mémoire mobile empilée après 2026 Sep 03, 2024 pm 02:15 PM

Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.

Samsung a annoncé l'achèvement de la vérification de la technologie du processus d'empilement de liaisons hybrides à 16 couches, qui devrait être largement utilisée dans la mémoire HBM4. Samsung a annoncé l'achèvement de la vérification de la technologie du processus d'empilement de liaisons hybrides à 16 couches, qui devrait être largement utilisée dans la mémoire HBM4. Apr 07, 2024 pm 09:19 PM

Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.

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Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.

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