sqlserver内存释放心得
sqlserver 内存释放心得 SQL Server 2008 或者R2的默认内存分配是2147483647MB, 差不多算是无穷大,对于系统内存的管理策略是有多少占多少。SQLserver会把所有处理过的SQL操作缓存在内存里,这样就不用总去读硬盘了。但是如果长时间运行SQL Server, 系统内存
sqlserver内存释放心得
SQL Server 2008 或者R2的默认内存分配是2147483647MB, 差不多算是无穷大,对于系统内存的管理策略是有多少占多少。SQLserver会把所有处理过的SQL操作缓存在内存里,这样就不用总去读硬盘了。但是如果长时间运行SQL Server, 系统内存被用的差不多,再开启其他程序就有可能会报内存不足。这时候就需要释放内存缓存啦。一般我用以下两种办法:
- 很简单,打开SQL Server configuration Manager,然后把SQL Server(MSSQLSERVER)重启一下,一般默认的instance 就是MSSQLServer,当然你如果装了其他的instance(实例)就选择相应的,例如MSSQLServer(SQLServLatin1), MSSQLServer(ARABIC)。
这种方法最简单有效,但是只能临时的清除SQLServer缓存所占的内存空间,时间长了SQLServer还会把内存占满。而且很重要的是这种方法不能在SQLserver有连接的情况下使用,那样会让正在使用SQLServer的用户暂时无法连接SQLServer,甚至导致程序处错误。而你作为管理员就……
- 第二种方法比较复杂,我也不是SQLServer高手,只是从网上学习得来的一些query:
DBCC FREEPROCCACHE
DBCC FREESESSIONCACHE
DBCC FREESYSTEMCACHE('All')
DBCC DROPCLEANBUFFERS
以上一段一般能释放缓存,(注意引号有的时候因为word文档里打不出英文的引号,最好拷到记事本里编辑一下)但是有的时候不是很管用。因为SQLserver不会因为Cache(缓存)释放了而释放内存,占了茅坑不一定XX。此命令只会让SQLServer不会继续占领新的内存,定期执行一下还可以。关键是还要释放一下内存。
通过以下Query 可以看出当前服务器所占内存情况
SELECT * FROM sys.dm_os_performance_counters
WHERE counter_name IN ('Target Server Memory (KB)','Total Server Memory (KB)')
Target Server Memory(KB)和 Total Server Memory(KB)字面意思所得就是目标和当前SQL Server所占的内存大小。
EXEC sp_configure 'show advanced options', 1
GO
EXEC sp_configure 'max server memory', 256
EXEC ('RECONFIGURE' )
WAITFOR DELAY '00:00:05'
EXEC sp_configure 'max server memory', 2147483647
EXEC ('RECONFIGURE' )
GO
EXEC sp_configure 'show advanced options', 0
GO
其实我用这几句也不是很奏效,时间一长还是可能会有内存不够的情况。
******
总的来说我的管理办法是:
- 装好了SQLServer之后立刻设置最大使用内存
EXEC sp_configure 'show advanced options', 1 -- 这句是打开advanced options
GO
EXEC sp_configure 'max server memory', 9216 -- 设置最大内存为9G,我们server 内存是16G的,留下7G足够了
EXEC ('RECONFIGURE' )
GO
EXEC sp_configure 'show advanced options', 0 --记得用完了把advanced options关掉
GO
- 过一段时间觉得不行了就执行一下
DBCC FREEPROCCACHE
DBCC FREESESSIONCACHE
DBCC FREESYSTEMCACHE('All')
DBCC DROPCLEANBUFFERS
这个清缓存也很头疼,不知道什么时候合适,就这样吧,管他呢,我又不是专家,出了问题大不了来机器不行。或者写个Procedure,用job定期执行。
没办法,SQLServer太霸道了,以上方法不是万全之策,建议还是把SQLServer放到一边单独用吧。

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Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.

Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.

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