MSSQL数据库占用内存过大造成服务器死机问题的解决方法
使用MSSQL的站长朋友都会被MSSQL数据库吃内存的能力佩服得五体投地,一个小小的网站,运行若干天之后,MSSQL就会把服务器上所有的内存都吃光,此时你不得不重新启动一下服务器或MSSQL来释放内存,有人认为是MSSQL有内存泄露问题,其实不然,微软给我们了明确说明:
使用MSSQL的站长朋友都会被MSSQL数据库吃内存的能力佩服得五体投地,一个小小的网站,运行若干天之后,MSSQL就会把服务器上所有的内存都吃光,此时你不得不重新启动一下服务器或MSSQL来释放内存,有人认为是MSSQL有内存泄露问题,其实不然,微软给我们了明确说明:
在您启动 SQL Server 之后,SQL Server 内存使用量将会持续稳定上升,即使当服务器上活动很少时也不会下降。另外,任务管理器和性能监视器将显示计算机上可用的物理内存稳定下降,直到可用内存降到 4 至 10 MB 为止。
仅仅出现这种状态不表示内存泄漏。此行为是正常的,并且是 SQL Server 缓冲池的预期行为。
默认情况下,SQL Server 根据操作系统报告的物理内存加载动态增大和收缩其缓冲池(缓存)的大小。只要有足够的内存可用于防止内存页面交换(在 4 至 10 MB 之间),SQL Server 缓冲池就会继续增大。像在与 SQL Server 分配内存位于相同计算机上的其他进程一样,SQL Server 缓冲区管理器将在需要的时候释放内存。SQL Server 每秒可以释放和获取几兆字节的内存,从而使它可以快速适应内存分配变化。
更多信息
您可以通过服务器内存最小值和服务器内存最大值配置选项设置 SQL Server 数据库引擎使用的内存(缓冲池)量的上下限。在设置服务器内存最小值和服务器内存最大值选项之前,请查阅以下 Microsoft 知识库文章中标题为"内存"一节中的参考信息:
319942 HOW TO:Determine Proper SQL Server Configuration Settings(确定正确的 SQL Server 配置设置)
请注意,服务器内存最大值选项只限制 SQL Server 缓冲池的大小。服务器内存最大值选项不限制剩余的未保留内存区域,SQL Server 准备将该区域分配给其他组件,例如扩展存储过程、COM 对象、以及非共享 DLL、EXE 和 MAPI 组件。由于前面的分配,SQL Server 专用字节超过服务器内存最大值配置是很正常的。有关此未保留内存区域中分配的其他信息,请单击下面的文章编号,,以查看 Microsoft 知识库中相应的文章:
316749 PRB:在使用大量数据库时可能没有足够的虚拟内存
参考
SQL Server 联机图书;主题:"服务器内存最小值和最大值的影响";"内存体系结构";"服务器内存选项";"SQL Server 内存池"
下面我们就来实战如何限制MSSQL内存使用:
第一步:打开企业管理双击进入要修改的MSSQL.
第二步:在左侧MSSQL上点击右键,选择属性,弹出SQL Server属性(配置)对话框
第三步:点击内存选项卡.
在这里,你会看到MSSQL默认设置为使用最大内存,也就是你所有的内存,根据你的需要,设置它的最大值吧.
第五步:设置完毕,关闭MSSQL服务再重启,配置即可生效!

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Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.

Selon les informations de ce site Web le 6 mai, Lexar a lancé la mémoire d'overclocking DDR57600CL36 de la série Ares Wings of War. L'ensemble de 16 Go x 2 sera disponible en prévente à 00h00 le 7 mai avec un dépôt de 50 yuans, et le prix est de 50 yuans. 1 299 yuans. La mémoire Lexar Wings of War utilise des puces mémoire Hynix A-die, prend en charge Intel XMP3.0 et fournit les deux préréglages d'overclocking suivants : 7600MT/s : CL36-46-46-961.4V8000MT/s : CL38-48-49 -1001.45V En termes de dissipation thermique, cet ensemble de mémoire est équipé d'un gilet de dissipation thermique tout en aluminium de 1,8 mm d'épaisseur et est équipé du tampon de graisse en silicone thermoconducteur exclusif de PMIC. La mémoire utilise 8 perles LED haute luminosité et prend en charge 13 modes d'éclairage RVB.

Selon les informations de ce site le 7 juin, GEIL a lancé sa dernière solution DDR5 au Salon international de l'informatique de Taipei 2024 et a proposé les versions SO-DIMM, CUDIMM, CSODIMM, CAMM2 et LPCAMM2. ▲ Source de l'image : Wccftech Comme le montre l'image, la mémoire CAMM2/LPCAMM2 présentée par Jinbang adopte un design très compact, peut fournir une capacité maximale de 128 Go et une vitesse allant jusqu'à 8533 MT/s. Certains de ces produits peuvent même l'être. stable sur la plateforme AMDAM5 Overclocké à 9000MT/s sans aucun refroidissement auxiliaire. Selon les rapports, la mémoire de la série Polaris RGBDDR5 2024 de Jinbang peut fournir jusqu'à 8 400

Selon un rapport d'enquête TrendForce, la vague de l'IA a un impact significatif sur les marchés de la mémoire DRAM et de la mémoire flash NAND. Dans l'actualité de ce site du 7 mai, TrendForce a déclaré aujourd'hui dans son dernier rapport de recherche que l'agence avait augmenté les augmentations de prix contractuels pour deux types de produits de stockage ce trimestre. Plus précisément, TrendForce avait initialement estimé que le prix du contrat de mémoire DRAM au deuxième trimestre 2024 augmenterait de 3 à 8 %, et l'estime désormais à 13 à 18 % en termes de mémoire flash NAND, l'estimation initiale augmentera de 13 à 8 % ; 18 %, et la nouvelle estimation est de 15 % ~ 20 %, seul eMMC/UFS a une augmentation inférieure de 10 %. ▲Source de l'image TrendForce TrendForce a déclaré que l'agence prévoyait initialement de continuer à

Selon les informations du 6 mai, Vivo a officiellement annoncé aujourd'hui que la nouvelle série VivoX100 serait officiellement lancée à 19h00 le 13 mai. Il est entendu que cette conférence devrait lancer trois modèles, vivoX100s, vivoX100sPro et vivoX100Ultra, ainsi que la technologie d'imagerie Blueprint de la marque d'imagerie auto-développée par Vivo. Le blogueur numérique « Digital Chat Station » a également publié aujourd'hui les rendus officiels, les spécifications de mémoire et la correspondance des couleurs de ces trois modèles. Parmi eux, le X100 adopte un design d'écran droit, tandis que le X100sPro et le X100Ultra ont un design d'écran incurvé. Le blogueur a révélé que le vivoX100 est disponible en quatre couleurs : noir, titane, cyan et blanc. Les spécifications de la mémoire.

Alors que les prix des mémoires phares UHF telles que 7 600 MT/s et 8 000 MT/s sont généralement élevés, Lexar a pris des mesures et a lancé une nouvelle série de mémoires appelée Ares Wings ARES RGB DDR5, avec 7 600 C36 et 8 000 C38 disponibles en deux spécifications. Les ensembles de 16 Go*2 coûtent respectivement 1 299 yuans et 1 499 yuans, ce qui est très rentable. Ce site s'est procuré la version 8000 C38 de Wings of War, et vous apportera ses photos du déballage. L'emballage de la mémoire Lexar Wings ARES RGB DDR5 est bien conçu, utilisant des couleurs noir et rouge accrocheuses avec une impression colorée. Il y a un &quo exclusif dans le coin supérieur gauche de l'emballage.

Selon les informations de ce site Web du 23 juillet, la JEDEC Solid State Technology Association, l'organisme de normalisation de la microélectronique, a annoncé le 22, heure locale, que les spécifications techniques des mémoires DDR5MRDIMM et LPDDR6CAMM seraient bientôt officiellement lancées et a présenté les détails clés de ces deux souvenirs. Le « MR » dans DDR5MRDIMM signifie MultiplexedRank, ce qui signifie que la mémoire prend en charge deux rangs ou plus et peut combiner et transmettre plusieurs signaux de données sur un seul canal sans connexion physique supplémentaire. La connexion peut effectivement augmenter la bande passante. JEDEC a prévu plusieurs générations de mémoire DDR5MRDIMM, dans le but d'augmenter à terme sa bande passante à 12,8 Gbit/s, contre 6,4 Gbit/s actuellement pour la mémoire DDR5RDIMM.
