TSMC : le nœud 2 nm progresse sans problème et les processus N3X et N2 seront lancés au second semestre 2025

Nouvelles de ce site le 24 mai, selon le média taïwanais "MoneyDJ Financial Management Network", les dirigeants de TSMC ont déclaré lors du Forum technologique 2024 de Hsinchu que son nœud de 2 nm utilisant des nanofeuilles Nanosheet (transistors GAA) progressait sans problème.

Zhang Xiaoqiang, directeur général adjoint de TSMC, a déclaré que le processus 2 nm de TSMC progresse « très bien » : les « performances de conversion » actuelles des nanofeuilles ont atteint l'objectif de 90 %, et sur la base du calcul du rendement, elle a également dépassé 80 % .

TSMC estime que son procédé N2 continuera d'être la technologie la plus avancée du secteur de la fonderie lors de son lancement en 2025.

▲ Zhang Xiaoqiang sur le forum. Source : mises à jour officielles de TSMC sur les réseaux sociaux

Selon le média étranger Anandtech, TSMC atteindra la production en série du procédé N2 au cours du second semestre 2025. Au cours de la même période, il amènera également le procédé N3X dans la famille 3 nm pour les applications HPC. .

Le processus N3X a une tension maximale plus élevée de 1,2 V Par rapport au processus N3P, la consommation d'énergie est réduite de 7 % à la même fréquence, les performances sont améliorées de 5 % dans la même zone et la densité. est augmenté de 10% à la même fréquence. Selon des rapports précédents de ce site, ce nœud devrait recevoir une production cinématographique à partir de cette année.

Au second semestre 2026, TSMC produira en masse deux variantes de procédés de la famille 2 nm : N2P et A16.

Par rapport au processus N2, le processus N2P réduira la consommation d'énergie de 5 à 10 % à la même fréquence et densité, et améliorera les performances de 5 à 10 % à la même densité et consommation d'énergie.

Au nœud A16, TSMC introduira officiellement la technologie d'alimentation arrière. Ce processus peut augmenter la fréquence de 8 à 10 % sous la même tension de fonctionnement ; réduire la consommation d'énergie de 15 à 20 % à la même fréquence et augmenter la densité jusqu'à 10 %.

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