Maison Tutoriel matériel Actualités matérielles Longsys affiche la mémoire de l'ordinateur portable FORESEE LPCAMM2 : jusqu'à 64 Go, 7 500 MT/s

Longsys affiche la mémoire de l'ordinateur portable FORESEE LPCAMM2 : jusqu'à 64 Go, 7 500 MT/s

Jun 05, 2024 pm 02:22 PM
内存 Jiangbolong LPCAMM2

Selon les informations de ce site Web du 16 mai, Longsys, la société mère de la marque Lexar, a annoncé qu'elle présenterait une nouvelle forme de mémoire au CFMS2024 - FORESEE LPCAMM2.

FORESEE LPCAMM2 est équipé de particules LPDDR5/5x, compatibles avec les conceptions 315ball et 496ball, prend en charge des fréquences de 7 500MT/s et plus, et les capacités du produit sont disponibles en options de 16 Go, 32 Go et 64 Go.

江波龙展示 FORESEE LPCAMM2 笔记本内存:最高 64GB、7500MT/s

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En termes de technologie produit, FORESEE LPCAMM2 adopte une nouvelle architecture de conception, emballant 4 x32 particules de mémoire LPDDR5/5x directement sur le connecteur de compression, réalisant un bus mémoire de 128 bits sur un seul module de mémoire , offrant un processus d'emballage plus efficace que les modules de mémoire standard. De plus, sa conception de PCB comporte 10 couches, optimisant l'intégrité du signal (SI) et l'intégrité de la puissance (PI) grâce à un PCB auto-développé, tout en suivant la norme de conception JEDEC JESD318.

江波龙展示 FORESEE LPCAMM2 笔记本内存:最高 64GB、7500MT/s

Longsys a déclaré que par rapport à la forme SODIMM conventionnelle, la forme de petite taille du FORESEE LPCAMM2 (78×34×1,2 mm) peut économiser plus de 60 % de l'espace de l'appareil, avec un volume intégré plus petit. et double canaux La structure permet l'utilisation d'un seul LPCAMM2 au lieu de deux SODIMM, et l'espace économisé peut être utilisé pour compléter et améliorer d'autres composants tels que SSD, GPU, batterie, etc.

江波龙展示 FORESEE LPCAMM2 笔记本内存:最高 64GB、7500MT/sFORESEE LPCAMM2 a également été optimisé en termes de consommation électrique. Par rapport au SODIMM, ce produit est également équipé d'un circuit intégré de gestion de l'alimentation et d'un circuit de régulation de tension, mais la consommation d'énergie est réduite de près de 50 % et l'efficacité énergétique est améliorée de près de 70 %.

Ce site a appris du responsable de Longsys que FORESEE LPCAMM2 a passé avec succès les tests initiaux comprenant le SPD, le matériel, les fonctions, la programmation, le cycle d'alimentation, les performances, la température et la compatibilité, etc.

L'équipe travaille actuellement avec de nombreux partenaires pour mener à bien un travail de vérification conjoint江波龙展示 FORESEE LPCAMM2 笔记本内存:最高 64GB、7500MT/s pour surmonter conjointement les problèmes difficiles lors des premières applications de produits.

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Pour les disques durs mécaniques ou les disques SSD SATA, vous ressentirez l'augmentation de la vitesse d'exécution du logiciel. S'il s'agit d'un disque dur NVME, vous ne la ressentirez peut-être pas. 1. Importez le registre sur le bureau et créez un nouveau document texte, copiez et collez le contenu suivant, enregistrez-le sous 1.reg, puis cliquez avec le bouton droit pour fusionner et redémarrer l'ordinateur. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d

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Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.

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Lorsque les utilisateurs novices achèteront un ordinateur, ils seront curieux de connaître la différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? Dois-je choisir 8g ou 16g ? En réponse à ce problème, l'éditeur va aujourd'hui vous l'expliquer en détail. Y a-t-il une grande différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? 1. Pour les familles ordinaires ou le travail ordinaire, la mémoire courante de 8 Go peut répondre aux exigences, il n'y a donc pas beaucoup de différence entre 8 g et 16 g pendant l'utilisation. 2. Lorsqu'ils sont utilisés par des passionnés de jeux, les jeux à grande échelle commencent actuellement à 6 Go, et 8 Go est la norme minimale. Actuellement, lorsque l'écran est en 2K, une résolution plus élevée n'apportera pas de performances de fréquence d'images plus élevées, il n'y a donc pas de grande différence entre 8g et 16g. 3. Pour les utilisateurs de montage audio et vidéo, il y aura des différences évidentes entre 8g et 16g.

Samsung a annoncé l'achèvement de la vérification de la technologie du processus d'empilement de liaisons hybrides à 16 couches, qui devrait être largement utilisée dans la mémoire HBM4. Samsung a annoncé l'achèvement de la vérification de la technologie du processus d'empilement de liaisons hybrides à 16 couches, qui devrait être largement utilisée dans la mémoire HBM4. Apr 07, 2024 pm 09:19 PM

Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.

Mar 22, 2024 pm 08:16 PM

Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.

Lexar lance le kit de mémoire Ares Wings of War DDR5 7600 16 Go x2 : particules Hynix A-die, 1 299 yuans Lexar lance le kit de mémoire Ares Wings of War DDR5 7600 16 Go x2 : particules Hynix A-die, 1 299 yuans May 07, 2024 am 08:13 AM

Selon les informations de ce site Web le 6 mai, Lexar a lancé la mémoire d'overclocking DDR57600CL36 de la série Ares Wings of War. L'ensemble de 16 Go x 2 sera disponible en prévente à 00h00 le 7 mai avec un dépôt de 50 yuans, et le prix est de 50 yuans. 1 299 yuans. La mémoire Lexar Wings of War utilise des puces mémoire Hynix A-die, prend en charge Intel XMP3.0 et fournit les deux préréglages d'overclocking suivants : 7600MT/s : CL36-46-46-961.4V8000MT/s : CL38-48-49 -1001.45V En termes de dissipation thermique, cet ensemble de mémoire est équipé d'un gilet de dissipation thermique tout en aluminium de 1,8 mm d'épaisseur et est équipé du tampon de graisse en silicone thermoconducteur exclusif de PMIC. La mémoire utilise 8 perles LED haute luminosité et prend en charge 13 modes d'éclairage RVB.

La mémoire installée n'apparaît pas sous Windows 11 La mémoire installée n'apparaît pas sous Windows 11 Mar 10, 2024 am 09:31 AM

Si vous avez installé une nouvelle RAM mais qu'elle n'apparaît pas sur votre ordinateur Windows, cet article vous aidera à résoudre le problème. Habituellement, nous améliorons les performances du système en mettant à niveau la RAM. Cependant, les performances du système dépendent également d'autres matériels tels que le processeur, le SSD, etc. La mise à niveau de la RAM peut également améliorer votre expérience de jeu. Certains utilisateurs ont remarqué que la mémoire installée n'apparaît pas sous Windows 11/10. Si cela vous arrive, vous pouvez utiliser les conseils fournis ici. La RAM installée n'apparaît pas sur Windows 11 Si la RAM installée n'apparaît pas sur votre PC Windows 11/10, les suggestions suivantes vous aideront. La mémoire installée est-elle compatible avec la carte mère de votre ordinateur ? dans la BIO

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