Selon les informations de ce site du 18 juin, Samsung Semiconductor a récemment présenté son disque SSD de nouvelle génération de qualité centre de données BM1743 équipé de sa dernière mémoire flash QLC (v7) sur son blog technologique.
Selon TrendForce en avril, dans le domaine des disques SSD de qualité centre de données QLC, seuls Solidigm de Samsung et SK Hynix, qui ont été profondément impliqué dans le domaine depuis de nombreuses années, a passé l'approbation à cette époque de vérification des clients d'entreprise.
Par rapport à la génération précédente v5 QLC V-NAND (remarque sur ce site : Samsung v6 V-NAND n'a pas de produits QLC), la mémoire flash Samsung v7 QLC V-NAND a presque doublé le nombre de couches d'empilement et le stockage la densité a également été grandement améliorée.
Dans le même temps, les performances de lecture et d'écriture séquentielles du v7 QLC V-NAND sont au moins deux fois supérieures à celles du précédent, et la vitesse de lecture aléatoire atteint 4 fois.
Cela signifie que le BM1743 peut fournir bien plus de capacité et de performances que le SSD QLC BM1733a de centre de données de génération précédente basé sur la version v5 QLC V-NAND, répondant aux besoins des centres de données pour un meilleur stockage.
BM1743 comprend deux facteurs de forme : U.2 et E3.S La version U.2 prend en charge PCIe 4.0, a une capacité allant jusqu'à 61,44 To et a le potentiel d'être étendue jusqu'à 122,88 To, tandis que le La version E3.S peut prendre en charge PCIe 5.0.
À titre de comparaison, le BM1733a ne prend en charge que PCIe 3.0 et la capacité maximale n'est que de 15,36 To, soit un quart de 61,44 To.
En termes de fiabilité, l'endurance d'écriture du BM1743 est de 0,26 DWPD et le temps de conservation des données hors tension est de 3 mois ; les deux données du BM1733a sont respectivement de 0,18 DWPD et 1 mois ; Les performances spécifiques de la version U.2 2,5 pouces du
BM1743 sont les suivantes :
Lecture séquentielle | Écriture séquentielle | Lecture aléatoire | Écriture aléatoire |
7200 Mo/s | 200 0 Mo/s | 1 600 000 IOPS | 110 000 IOPS |
Samsung Semiconductor a déclaré que les utilisateurs peuvent utiliser le BM1743 directement dans l'environnement PCIe 3.0 existant pour profiter de son coût total de possession réduit
peuvent également profiter pleinement de la prise en charge du BM1743 pour PCIe ; 4.0. L'amélioration réduit le temps de réponse des tâches de lecture et améliore la capacité de traitement de la charge de l'IA.
La prise en charge de la version BM1743 E3.S apportera de plus grands avantages en termes de performances au centre de données.
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