Maison Tutoriel matériel Actualités matérielles Gilet de style course, 8000MT/s CL36, Kingston lance la mémoire FURY DDR5 RGB en édition limitée

Gilet de style course, 8000MT/s CL36, Kingston lance la mémoire FURY DDR5 RGB en édition limitée

Jun 25, 2024 am 10:44 AM
内存 Kingston Fury

Selon les informations de ce site le 25 juin, Kingston a officiellement publié une édition limitée spéciale de la mémoire DDR5 RGB de la série FURY Renegade qui a fait ses débuts au Computex 2024 Taipei Computer Show hier soir.

赛车风格马甲、8000MT/s CL36,金士顿推出 FURY 叛逆者 DDR5 RGB 限量版内存

La mémoire Kingston FURYRenegade DDR5 RGB en édition limitée s'inspire des voitures de course et utilise un nouveau gilet de refroidissement aux couleurs rouge et noir.

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Cette mémoire utilise 12 perles de lampe LED indépendantes pour créer de brillants effets d'éclairage RVB. Il existe 18 effets d'éclairage dynamiques prédéfinis, pleins de personnalité. De plus, les utilisateurs peuvent personnaliser via le logiciel FURY CTRL ou le logiciel du fabricant de la carte mère pour créer des écrans d'éclairage uniques.

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En termes de performances, la nouvelle mémoire en édition limitée fournit des spécifications d'ensembles de 48 Go (24 Go x2), jusqu'à une vitesse de 8 000 MT/s, et prend en charge l'overclocking de la mémoire Intel XMP 3.0.

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Les fichiers de configuration d'usine joints à ce site sont les suivants :

Spécifications JEDEC par défaut : DDR5-4800 CL40-39-39 @1.1V

Profil XMP #1 : DDR5-8000 CL36-48-48 @ 1,45 V

Profil XMP n°2 : DDR5-7200 CL38-44-44 @1,45 V

Les réservations sont maintenant ouvertes et seront mises en vente à 10h00 le 26 juin. L'ensemble de 48 Go est au prix de 2 999 yuans.

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Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.

Samsung a annoncé l'achèvement de la vérification de la technologie du processus d'empilement de liaisons hybrides à 16 couches, qui devrait être largement utilisée dans la mémoire HBM4. Samsung a annoncé l'achèvement de la vérification de la technologie du processus d'empilement de liaisons hybrides à 16 couches, qui devrait être largement utilisée dans la mémoire HBM4. Apr 07, 2024 pm 09:19 PM

Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.

Mar 22, 2024 pm 08:16 PM

Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.

La mémoire installée n'apparaît pas sous Windows 11 La mémoire installée n'apparaît pas sous Windows 11 Mar 10, 2024 am 09:31 AM

Si vous avez installé une nouvelle RAM mais qu'elle n'apparaît pas sur votre ordinateur Windows, cet article vous aidera à résoudre le problème. Habituellement, nous améliorons les performances du système en mettant à niveau la RAM. Cependant, les performances du système dépendent également d'autres matériels tels que le processeur, le SSD, etc. La mise à niveau de la RAM peut également améliorer votre expérience de jeu. Certains utilisateurs ont remarqué que la mémoire installée n'apparaît pas sous Windows 11/10. Si cela vous arrive, vous pouvez utiliser les conseils fournis ici. La RAM installée n'apparaît pas sur Windows 11 Si la RAM installée n'apparaît pas sur votre PC Windows 11/10, les suggestions suivantes vous aideront. La mémoire installée est-elle compatible avec la carte mère de votre ordinateur ? dans la BIO

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Selon les informations de ce site Web le 6 mai, Lexar a lancé la mémoire d'overclocking DDR57600CL36 de la série Ares Wings of War. L'ensemble de 16 Go x 2 sera disponible en prévente à 00h00 le 7 mai avec un dépôt de 50 yuans, et le prix est de 50 yuans. 1 299 yuans. La mémoire Lexar Wings of War utilise des puces mémoire Hynix A-die, prend en charge Intel XMP3.0 et fournit les deux préréglages d'overclocking suivants : 7600MT/s : CL36-46-46-961.4V8000MT/s : CL38-48-49 -1001.45V En termes de dissipation thermique, cet ensemble de mémoire est équipé d'un gilet de dissipation thermique tout en aluminium de 1,8 mm d'épaisseur et est équipé du tampon de graisse en silicone thermoconducteur exclusif de PMIC. La mémoire utilise 8 perles LED haute luminosité et prend en charge 13 modes d'éclairage RVB.

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