Maison Tutoriel matériel Actualités matérielles Galerie de photos de la mémoire Lexar God of War Wings ARES RGB DDR5 8000 : Les ailes blanches colorées prennent en charge le RVB

Galerie de photos de la mémoire Lexar God of War Wings ARES RGB DDR5 8000 : Les ailes blanches colorées prennent en charge le RVB

Jun 25, 2024 pm 01:51 PM
内存 Lexa

Les prix des mémoires phares UHF telles que 7 600 MT/s et 8 000 MT/s étant généralement élevés, Lexar a pris des mesures et a lancé une nouvelle série de mémoire appelée Ares Wings ARES RGB DDR5, avec 7 600 C36 et 8 000 C38. deux spécifications. Les prix des ensembles 16 Go*2 sont respectivement de 1 299 yuans et 1 499 yuans, ce qui est très rentable. Ce site s'est procuré la version 8000 C38 de Wings of War, et vous apportera ses photos du déballage.

雷克沙战神之翼 ARES RGB DDR5 8000 内存图赏:炫彩白翼支持 RGB

L'emballage de la mémoire Lexar Wings ARES RGB DDR5 est bien conçu, utilisant des couleurs noir et rouge accrocheuses avec une impression colorée. Il y a une « étiquette dorée » exclusive dans le coin supérieur gauche de l'emballage, qui est certifiée pour utiliser les granulés Hynix A-Die originaux, et la qualité est digne de confiance. Le logo de synchronisation de la lumière du fabricant de carte mère grand public est imprimé ci-dessous, montrant qu'il prend en charge la fonction de synchronisation de la lumière divine RVB.

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Retirez le couvercle extérieur et l'emballage intérieur rouge vif apparaît, avec le logo Lexar imprimé au centre, et la texture est très haut de gamme.

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Ouvrez la deuxième couche de l'emballage et vous verrez 2 nouvelles cartes mémoire posées tranquillement dans la boîte. Il y a deux couches de protection à l'extérieur, une pochette mémoire et des nouilles instantanées, et les détails sont là. lieu.

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La mémoire Lexar Wings ARES RGB DDR5 8000 est recouverte d'un gilet de dissipation thermique en alliage tout aluminium de 1,8 mm d'épaisseur, avec des mesures de 133,3*51,9*8 mm, et sa compatibilité est relativement excellente. Le gilet en métal a une texture noire mate, le dessus est recouvert d'un diffuseur acrylique mat et des bandes décoratives transmettant la lumière de chaque côté.

雷克沙战神之翼 ARES RGB DDR5 8000 内存图赏:炫彩白翼支持 RGB

Ce que nous avons cette fois, c'est une bande double canal DDR5 16 Go*2 8 000 MHz. Selon l'introduction officielle, son gilet de refroidissement est équipé d'un tampon thermique PMIC dédié et utilise une conception de PCB personnalisée à 10 couches pour optimiser la disposition du câblage, améliorant ainsi les performances électriques, l'efficacité de la transmission et les performances de dissipation thermique. De plus, la bande prend en charge la surveillance de la température en temps réel pour améliorer la sécurité et la stabilité de l'overclocking.

雷克沙战神之翼 ARES RGB DDR5 8000 内存图赏:炫彩白翼支持 RGB

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Après avoir allumé l'appareil, la combinaison des 8 perles de lampe LED haute luminosité intégrées et du diffuseur acrylique peut apporter des effets d'éclairage RVB doux et lisses, évitant efficacement les problèmes tels que la casse des couleurs. et une belle expérience visuelle.

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Vous pouvez voir que l'uniformité de la luminosité du RVB est également très bonne lors de l'utilisation d'un éclairage de couleur pure. L'éclairage de bord a une luminosité suffisante et ne contient pas de coins sombres. Il peut fournir d'excellents effets d'éclairage colorés lorsqu'il est placé dans un châssis noir. D'accord, ce qui précède représente les images de déballage de la mémoire Lexar Wings ARES RGB DDR5 8000.

Ce qui précède est le contenu détaillé de. pour plus d'informations, suivez d'autres articles connexes sur le site Web de PHP en chinois!

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Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.

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Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.

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Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.

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Selon les informations de ce site Web le 6 mai, Lexar a lancé la mémoire d'overclocking DDR57600CL36 de la série Ares Wings of War. L'ensemble de 16 Go x 2 sera disponible en prévente à 00h00 le 7 mai avec un dépôt de 50 yuans, et le prix est de 50 yuans. 1 299 yuans. La mémoire Lexar Wings of War utilise des puces mémoire Hynix A-die, prend en charge Intel XMP3.0 et fournit les deux préréglages d'overclocking suivants : 7600MT/s : CL36-46-46-961.4V8000MT/s : CL38-48-49 -1001.45V En termes de dissipation thermique, cet ensemble de mémoire est équipé d'un gilet de dissipation thermique tout en aluminium de 1,8 mm d'épaisseur et est équipé du tampon de graisse en silicone thermoconducteur exclusif de PMIC. La mémoire utilise 8 perles LED haute luminosité et prend en charge 13 modes d'éclairage RVB.

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