


Prenant en charge l'écosystème de modules de mémoire CXL, JEDEC lance la norme d'étiquetage des modules de mémoire JESD405-1B
Selon les informations de ce site du 25 juin, la JEDEC Solid State Technology Association a publié aujourd'hui la norme d'étiquette de module de mémoire JESD405-1B adaptée à la spécification CXL1.1, fournissant une prise en charge standard pour les modules de mémoire standardisationCXL. Les modules de mémoire CXL offrent un moyen simple d'ajouter une grande quantité de mémoire aux systèmes serveur prenant en charge la spécification CXL. Ces modules de mémoire adoptent généralement les spécifications EDSFFE1.S ou E3.S et prennent en charge le remplacement à chaud.
▲Module mémoire Samsung CMM-DCXL
Mian Quddus, président du conseil d'administration de l'association JEDEC, a déclaré : JESD317A et JESD405-1B affirment le soutien actif de JEDEC à l'expansion du marché des solutions CXL. Les documents sont le fruit d'un effort de collaboration entre des dizaines d'entreprises représentant les fournisseurs de solutions de mémoire CXL et les utilisateurs finaux. Les utilisateurs finaux peuvent acheter des modules de mémoire CXL en toute confiance auprès de plusieurs sources (prises en charge par ces deux normes), contribuant ainsi à commercialiser ces solutions au profit de l'ensemble du secteur.
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Pour les disques durs mécaniques ou les disques SSD SATA, vous ressentirez l'augmentation de la vitesse d'exécution du logiciel. S'il s'agit d'un disque dur NVME, vous ne la ressentirez peut-être pas. 1. Importez le registre sur le bureau et créez un nouveau document texte, copiez et collez le contenu suivant, enregistrez-le sous 1.reg, puis cliquez avec le bouton droit pour fusionner et redémarrer l'ordinateur. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
![L'entrée Windows rencontre un blocage ou une utilisation élevée de la mémoire [Réparer]](https://img.php.cn/upload/article/000/887/227/170835409686241.jpg?x-oss-process=image/resize,m_fill,h_207,w_330)
L'expérience de saisie Windows est un service système clé chargé de traiter les entrées utilisateur provenant de divers périphériques d'interface humaine. Il démarre automatiquement au démarrage du système et s'exécute en arrière-plan. Cependant, ce service peut parfois se bloquer automatiquement ou occuper trop de mémoire, ce qui entraîne une réduction des performances du système. Il est donc crucial de surveiller et de gérer ce processus en temps opportun pour garantir l’efficacité et la stabilité du système. Dans cet article, nous expliquerons comment résoudre les problèmes de blocage de l'expérience de saisie Windows ou entraînant une utilisation élevée de la mémoire. Le service Windows Input Experience n'a pas d'interface utilisateur, mais il est étroitement lié à la gestion des tâches système de base et des fonctions liées aux périphériques d'entrée. Son rôle est d'aider le système Windows à comprendre chaque entrée saisie par l'utilisateur.

Récemment, Xiaomi a lancé un puissant smartphone haut de gamme, le Xiaomi 14Pro, qui présente non seulement un design élégant, mais également une technologie noire interne et externe. Le téléphone offre des performances optimales et d'excellentes capacités multitâches, permettant aux utilisateurs de profiter d'une expérience de téléphonie mobile rapide et fluide. Cependant, les performances seront également affectées par la mémoire. De nombreux utilisateurs souhaitent savoir comment vérifier l’utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro, alors jetons-y un coup d’œil. Comment vérifier l’utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ? Introduction à la façon de vérifier l'utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro. Ouvrez le bouton [Gestion des applications] dans [Paramètres] du téléphone Xiaomi 14Pro. Pour afficher la liste de toutes les applications installées, parcourez la liste et recherchez l'application que vous souhaitez afficher, cliquez dessus pour accéder à la page de détails de l'application. Dans la page de détails de la candidature

Lorsque les utilisateurs novices achèteront un ordinateur, ils seront curieux de connaître la différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? Dois-je choisir 8g ou 16g ? En réponse à ce problème, l'éditeur va aujourd'hui vous l'expliquer en détail. Y a-t-il une grande différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? 1. Pour les familles ordinaires ou le travail ordinaire, la mémoire courante de 8 Go peut répondre aux exigences, il n'y a donc pas beaucoup de différence entre 8 g et 16 g pendant l'utilisation. 2. Lorsqu'ils sont utilisés par des passionnés de jeux, les jeux à grande échelle commencent actuellement à 6 Go, et 8 Go est la norme minimale. Actuellement, lorsque l'écran est en 2K, une résolution plus élevée n'apportera pas de performances de fréquence d'images plus élevées, il n'y a donc pas de grande différence entre 8g et 16g. 3. Pour les utilisateurs de montage audio et vidéo, il y aura des différences évidentes entre 8g et 16g.

Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.

Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.

Si vous avez installé une nouvelle RAM mais qu'elle n'apparaît pas sur votre ordinateur Windows, cet article vous aidera à résoudre le problème. Habituellement, nous améliorons les performances du système en mettant à niveau la RAM. Cependant, les performances du système dépendent également d'autres matériels tels que le processeur, le SSD, etc. La mise à niveau de la RAM peut également améliorer votre expérience de jeu. Certains utilisateurs ont remarqué que la mémoire installée n'apparaît pas sous Windows 11/10. Si cela vous arrive, vous pouvez utiliser les conseils fournis ici. La RAM installée n'apparaît pas sur Windows 11 Si la RAM installée n'apparaît pas sur votre PC Windows 11/10, les suggestions suivantes vous aideront. La mémoire installée est-elle compatible avec la carte mère de votre ordinateur ? dans la BIO

Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.
