Ouvrant la voie à la fabrication de mémoire flash NAND à 1 000 couches, Lam lance une nouvelle génération de technologie de gravure diélectrique à basse température Lam Cyro 3.0

Selon les informations de ce site Web du 1er août, Lam Group Lam Research a annoncé hier le lancement de Lam Cyro 3.0, la technologie de gravure diélectrique à basse température de troisième génération pour la fabrication de mémoire flash 3D NAND. « Lam Cryo 3.0 ouvre la voie à (nos) clients pour obtenir une NAND 3D à 1 000 couches », a déclaré Sesha Varadarajan, vice-président principal de la division produits mondiaux de Lam. La gravure à basse température de Lam a été utilisée dans la production de 5 millions de tranches, et notre dernière technologie constitue une percée dans la production de NAND 3D. Il peut créer des caractéristiques graphiques à rapport d'aspect élevé (High Aspect Ratio) avec une précision de l'ordre de l'angström tout en réduisant l'impact sur l'environnement, et la vitesse de gravure est plus de deux fois supérieure à celle des processus diélectriques traditionnels. Lam Cryo 3.0 est la technologie de gravure dont nos clients ont besoin pour surmonter les obstacles critiques à la fabrication de NAND à l'ère de l'IA. Dans la production de NAND 3D existantes, les couches de cellules mémoire sont reliées par de longs et fins vias verticaux allant du haut vers le bas de l'appareil. Au cours du processus de construction du canal, même de légères erreurs au niveau atomique dans les caractéristiques graphiques et les contours des cibles peuvent avoir un impact négatif sur les performances électriques des nouveaux produits de stockage et affecter le rendement.

Lam Cryo 3.0 combine un réacteur à plasma fermé à haute énergie, une température de fonctionnement bien inférieure à 0℃ et une nouvelle substance de gravure chimique, capable de graver des canaux avec un rapport d'aspect de jusqu'à 50:1 et une profondeur de 10 μm. , tandis que l'écart des dimensions critiques des fonctionnalités de haut en bas est inférieur à 0,1 %.

De plus, par rapport aux processus diélectriques traditionnels, la vitesse de gravure de la technologie Lam Cryo 3.0 est 2,5 fois supérieure à celle de la première, la consommation d'énergie est réduite de 40 % et les émissions sont réduites de 90 %.

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