Il est rapporté que Samsung Electronics a confirmé son investissement dans la ligne de production de mémoire DRAM 1cnm de l'usine Pyeongtaek P4 et vise à la mettre en service en juin de l'année prochaine.

Selon les informations de ce site du 12 août, le média coréen ETNews a rapporté que Samsung Electronics avait confirmé en interne son plan d'investissement pour construire une ligne de production de mémoire DRAM de 1c nm dans l'usine P4 de Pyeongtaek. La ligne de production devrait être mise en service en juin. l'année prochaine. Pyeongtaek P4 est un centre de production intégré de semi-conducteurs divisé en quatre phases. Au début de la planification, la première phase concernait la mémoire flash NAND, la deuxième phase était destinée à la fonderie logique et les troisième et quatrième phases étaient destinées à la mémoire DRAM. Samsung a introduit des équipements de production de DRAM dans la première phase du P4, mais a suspendu la construction de la deuxième phase. La DRAM 1c nm est la sixième génération de technologie de mémoire 20 ~ 10 nm, et les produits 1c nm (ou 1γ nm correspondant) de chaque entreprise n'ont pas encore été officiellement lancés. Les médias coréens ont rapporté que Samsung Electronics prévoyait de démarrer la production de mémoire 1c nm à la fin de cette année.

▲ Samsung Pyeongtaek Factory Selon des rapports précédents sur ce site, Samsung Electronics envisage d'utiliser une puce DRAM de 1c nm pour la mémoire HBM4 qui sera lancée au second semestre de l'année prochaine afin d'améliorer la compétitivité en matière d'efficacité énergétique des produits HBM4 avec un processus DRAM plus avancé et rattrapez HBM SK hynix, le leader dans le domaine.
Considérant que la consommation de plaquettes DRAM de la mémoire HBM est bien supérieure à celle de la mémoire traditionnelle, la construction par Pyeongtaek P4 d'une ligne de production de DRAM 1c nm se prépare également aux besoins de production de HBM4.

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