Il est rapporté que SK Hynix a commencé l'expansion de l'usine de fabrication de plaquettes M16, dans le but d'augmenter la capacité de production de mémoire DRAM de l'entreprise d'environ 18 %

王林
Libérer: 2024-08-14 20:19:32
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Selon les informations de ce site Web du 14 août, les médias coréens complets "Seoul Economic Daily" (29e le mois dernier) et "Chosun Ilbo" (13e ce mois-ci) ont rapporté que SK Hynix avait commandé des équipements clés à des sociétés d'équipement en amont, dans le but d'augmenter Capacité de mémoire HBM et DRAM générale du M16 Fab. Remarque tirée de ce site : L'usine de fabrication de plaquettes M16 de SK Hynix est située à Icheon, dans la province de Gyeonggi, en Corée du Sud. Elle dispose actuellement d'une capacité de production de DRAM d'environ 100 000 plaquettes de 12 pouces par mois.

消息称 SK 海力士启动 M16 晶圆厂扩产,目标将公司 DRAM 内存产能提升约 18%


▲ Deux reportages des médias coréens sur l'expansion spécifique du campus d'Icheon de SK Hynix sont légèrement différents : le « Séoul Economic Daily » estime qu'il s'agit d'au moins 70 000 wafers par mois, et mentionne également 80 000 wafers par mois ; estime qu'il s'agit de 80 000 à 100 000 plaquettes par mois.
L'agence d'analystes Omdia avait précédemment estimé que la capacité de production de mémoire DRAM de SK Hynix atteindrait 440 000 plaquettes par mois ce trimestre, ce qui équivaut à 18,2 % de la capacité de production globale sur la base d'un taux d'expansion mensuel de 80 000 plaquettes.
Contrairement à Samsung, qui dispose d'une grande quantité d'espace vacant dans l'usine de Pyeongtaek, le seul moyen pour SK Hynix d'augmenter sa capacité de production de DRAM avant l'achèvement de la production en série de l'usine de Cheongju M15X en novembre 2025 est d'utiliser pleinement le reste. espace dans les usines Icheon M16 et M14 et processus de mise à niveau.
Le Séoul Economic Daily a déclaré que SK Hynix avait pour objectif d'achever les tests en laboratoire de la mémoire DRAM 1c nm de nouvelle génération dès ce mois-ci, de lancer la production d'essai de DRAM 1c nm au deuxième trimestre 2025 et de commencer l'installation de l'équipement correspondant au Usine Cheongju M16 d'ici la fin de l'année prochaine.

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source:ithome.com
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