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Il est rapporté que SK Hynix a commencé l'expansion de l'usine de fabrication de plaquettes M16, dans le but d'augmenter la capacité de production de mémoire DRAM de l'entreprise d'environ 18 %
Il est rapporté que SK Hynix a commencé l'expansion de l'usine de fabrication de plaquettes M16, dans le but d'augmenter la capacité de production de mémoire DRAM de l'entreprise d'environ 18 %
Selon les informations de ce site Web du 14 août, les médias coréens complets "Seoul Economic Daily" (29e le mois dernier) et "Chosun Ilbo" (13e ce mois-ci) ont rapporté que SK Hynix avait commandé des équipements clés à des sociétés d'équipement en amont, dans le but d'augmenter Capacité de mémoire HBM et DRAM générale du M16 Fab. Remarque tirée de ce site : L'usine de fabrication de plaquettes M16 de SK Hynix est située à Icheon, dans la province de Gyeonggi, en Corée du Sud. Elle dispose actuellement d'une capacité de production de DRAM d'environ 100 000 plaquettes de 12 pouces par mois.
▲ Deux reportages des médias coréens sur l'expansion spécifique du campus d'Icheon de SK Hynix sont légèrement différents : le « Séoul Economic Daily » estime qu'il s'agit d'au moins 70 000 wafers par mois, et mentionne également 80 000 wafers par mois ; estime qu'il s'agit de 80 000 à 100 000 plaquettes par mois.
L'agence d'analystes Omdia avait précédemment estimé que la capacité de production de mémoire DRAM de SK Hynix atteindrait 440 000 plaquettes par mois ce trimestre, ce qui équivaut à 18,2 % de la capacité de production globale sur la base d'un taux d'expansion mensuel de 80 000 plaquettes.
Contrairement à Samsung, qui dispose d'une grande quantité d'espace vacant dans l'usine de Pyeongtaek, le seul moyen pour SK Hynix d'augmenter sa capacité de production de DRAM avant l'achèvement de la production en série de l'usine de Cheongju M15X en novembre 2025 est d'utiliser pleinement le reste. espace dans les usines Icheon M16 et M14 et processus de mise à niveau.
Le Séoul Economic Daily a déclaré que SK Hynix avait pour objectif d'achever les tests en laboratoire de la mémoire DRAM 1c nm de nouvelle génération dès ce mois-ci, de lancer la production d'essai de DRAM 1c nm au deuxième trimestre 2025 et de commencer l'installation de l'équipement correspondant au Usine Cheongju M16 d'ici la fin de l'année prochaine.
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Des sources affirment que le rendement de la mémoire DRAM 3D empilée à cinq couches de SK Hynix a atteint 56,1 %
Jun 24, 2024 pm 01:52 PM
Selon des informations publiées sur ce site Web le 24 juin, le média coréen BusinessKorea a rapporté que des initiés de l'industrie avaient révélé que SK Hynix avait publié le dernier document de recherche sur la technologie DRAM 3D lors du sommet VLSI 2024 qui s'est tenu à Hawaï, aux États-Unis, du 16 au 20 juin. Dans cet article, SK Hynix rapporte que le rendement de sa mémoire DRAM 3D empilée à cinq couches a atteint 56,1 % et que la DRAM 3D de l'expérience présente des caractéristiques similaires à la DRAM 2D actuelle. Selon les rapports, contrairement à la DRAM traditionnelle, qui dispose les cellules de mémoire horizontalement, la DRAM 3D empile les cellules verticalement pour obtenir une densité plus élevée dans le même espace. Cependant, SK hynix
Optimisation importante de la mémoire, que dois-je faire si l'ordinateur passe à une vitesse de mémoire de 16 Go/32 Go et qu'il n'y a aucun changement ?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
Pour les disques durs mécaniques ou les disques SSD SATA, vous ressentirez l'augmentation de la vitesse d'exécution du logiciel. S'il s'agit d'un disque dur NVME, vous ne la ressentirez peut-être pas. 1. Importez le registre sur le bureau et créez un nouveau document texte, copiez et collez le contenu suivant, enregistrez-le sous 1.reg, puis cliquez avec le bouton droit pour fusionner et redémarrer l'ordinateur. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Comment vérifier l'utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ?
Mar 18, 2024 pm 02:19 PM
Récemment, Xiaomi a lancé un puissant smartphone haut de gamme, le Xiaomi 14Pro, qui présente non seulement un design élégant, mais également une technologie noire interne et externe. Le téléphone offre des performances optimales et d'excellentes capacités multitâches, permettant aux utilisateurs de profiter d'une expérience de téléphonie mobile rapide et fluide. Cependant, les performances seront également affectées par la mémoire. De nombreux utilisateurs souhaitent savoir comment vérifier l’utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro, alors jetons-y un coup d’œil. Comment vérifier l’utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ? Introduction à la façon de vérifier l'utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro. Ouvrez le bouton [Gestion des applications] dans [Paramètres] du téléphone Xiaomi 14Pro. Pour afficher la liste de toutes les applications installées, parcourez la liste et recherchez l'application que vous souhaitez afficher, cliquez dessus pour accéder à la page de détails de l'application. Dans la page de détails de la candidature
Y a-t-il une grande différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire dans les ordinateurs ? (Choisissez 8 Go ou 16 Go de mémoire informatique)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
Lorsque les utilisateurs novices achèteront un ordinateur, ils seront curieux de connaître la différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? Dois-je choisir 8g ou 16g ? En réponse à ce problème, l'éditeur va aujourd'hui vous l'expliquer en détail. Y a-t-il une grande différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? 1. Pour les familles ordinaires ou le travail ordinaire, la mémoire courante de 8 Go peut répondre aux exigences, il n'y a donc pas beaucoup de différence entre 8 g et 16 g pendant l'utilisation. 2. Lorsqu'ils sont utilisés par des passionnés de jeux, les jeux à grande échelle commencent actuellement à 6 Go, et 8 Go est la norme minimale. Actuellement, lorsque l'écran est en 2K, une résolution plus élevée n'apportera pas de performances de fréquence d'images plus élevées, il n'y a donc pas de grande différence entre 8g et 16g. 3. Pour les utilisateurs de montage audio et vidéo, il y aura des différences évidentes entre 8g et 16g.
Des sources affirment que Samsung Electronics et SK Hynix commercialiseront de la mémoire mobile empilée après 2026
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.
Samsung a annoncé l'achèvement de la vérification de la technologie du processus d'empilement de liaisons hybrides à 16 couches, qui devrait être largement utilisée dans la mémoire HBM4.
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.
La mémoire installée n'apparaît pas sous Windows 11
Mar 10, 2024 am 09:31 AM
Si vous avez installé une nouvelle RAM mais qu'elle n'apparaît pas sur votre ordinateur Windows, cet article vous aidera à résoudre le problème. Habituellement, nous améliorons les performances du système en mettant à niveau la RAM. Cependant, les performances du système dépendent également d'autres matériels tels que le processeur, le SSD, etc. La mise à niveau de la RAM peut également améliorer votre expérience de jeu. Certains utilisateurs ont remarqué que la mémoire installée n'apparaît pas sous Windows 11/10. Si cela vous arrive, vous pouvez utiliser les conseils fournis ici. La RAM installée n'apparaît pas sur Windows 11 Si la RAM installée n'apparaît pas sur votre PC Windows 11/10, les suggestions suivantes vous aideront. La mémoire installée est-elle compatible avec la carte mère de votre ordinateur ? dans la BIO
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.
