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Des sources affirment que Samsung Electronics et SK Hynix commercialiseront de la mémoire mobile empilée après 2026

王林
Libérer: 2024-09-03 14:15:37
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Selon les informations de ce site du 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026.

Des sources ont déclaré que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus à l'avenir et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables pour fournir une prise en charge des applications finales. côté IA. Fournir de la motivation.

D'après les rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LP Wide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près le même parcours technique, c'est-à-dire combiner emballage en sortance et canaux verticaux.

La mémoire LP Wide I/O de Samsung Electronics a une largeur de bits de 512 bits, soit 8 fois celle de la mémoire LPDDR existante. Elle a 8 fois la densité d'E/S et 2,6 fois la bande passante d'E/S. par rapport au câblage filaire traditionnel. La mémoire sera techniquement prête au premier trimestre 2025 et prête pour une production de masse entre le second semestre 2025 et la mi-2026.

消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化

Et l'échantillon de vérification de la technologie VFO de SK Hynix raccourcit la longueur du fil à moins de 1/4 de la mémoire traditionnelle et améliore l'efficacité énergétique de 4,9 %. Bien que cette solution entraîne une dissipation thermique supplémentaire de 1,4 %, l'épaisseur du boîtier est réduite de 27 %.

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Le rapport a souligné qu'il n'y a pas encore de conclusion sur la manière dont ces mémoires mobiles empilées seront intégrées au processeur. Les solutions en discussion incluent un emballage 2.5D similaire à HBM ou. Empilement vertical 3D.

Les gens de l'industrie de l'emballage des semi-conducteurs ont déclaré que la façon dont les processeurs mobiles sont conçus et disposés affectera la configuration et les méthodes de connexion de la mémoire mobile empilée. Cela signifie que la nouvelle génération de mémoire mobile sera personnalisée et fournie en fonction des besoins. besoins des partenaires, changeant complètement le paysage du marché de la DRAM mobile.

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source:ithome.com
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