内存管理之页面调度与缺页计算_html/css_WEB-ITnose
一、何为缺页？
说白点：缺页定义为所有内存块最初都是空的，所以第一次用到的页面都产生一次缺页，也就是内存中不存在的待进入的页号话，就会产生缺页。明白了这个之后，对于缺页计算问题就好说了。
二、先进先出调度算法（FIFO）这种调度算法总是淘汰最新进入主存储器的那一页。这种调度算法很简单，按照装入主存储器的那些页的先后顺序排成页号队列，每当进入一个缺页时候，淘汰最早进入的那页。
举个例子：例如依次要访问的页号为：０ １ ２ ３ ２ １ ３ ２ ５ ２ ３ ６ ２ １ ４ ２，现在只有三个主存可供使用如果采用FIFO调度，请模拟 调度过程，并算出缺页中断次数？
０进入，出现缺页中断（１次）此时内存中的页号：０
１进入，出现缺页中断（１次），此时内存中的页号：０１
２进入，出现缺页中断（１次）此时内存中的页号：０１２
３进入，淘汰０，出现缺页中断（１次），３替换０的位置，此时内存中的页号：１２３
２进入，没出现缺页中断情况，因为内存中已经存在页号２，内存中的页号还是：１２３
１进入，内存中存在页号１，没有出现缺页中断，此时内存中的页号是：１２３
３进入，同上，没有出现缺页中断，内存中的页号是：１２３
２进入，同上，没有出现缺页中断，内存中的页号是：１２３
５进入，这时候，对于３１２呆的时间最长的是：１，所以５替换１，出现缺页中断（１次），此时内存中的页号：２３５
２进入，没有出现缺页中断，内存中的页号：２３５
６进入，出现缺页中断（１次），淘汰的页面是２号，内存中的页号３５６
２进入，出现缺页中断（１次），淘汰的页面好是３号，内存中的页号５６２
１进入，出现缺页中断（１次），淘汰的页面号是５号，内存中的页号是６２１
４进入，出现缺页中断（１次），淘汰的页面号是６号，内存中的页号是２１４
２进入，没有出现缺页中断，内存中的页号是２１４
所以，如果采用先进先出的调度算法，共出现缺页中断８次，其内存模拟情况如下表：
| 进入 时间 | ０ | １ | ２ | ３ | ２ | １ | ３ | ２ | ５ | ２ | ３ | ６ | ２ | １ | ４ | ２ |
| 早 | ０ | ０ | ０ | １ | １ | １ | １ | １ | ２ | ２ | ２ | ３ | ５ | ６ | ２ | ２ |
| 中 |
| １ | １ | ２ | ２ | ２ | ２ | ２ | ３ | ３ | ３ | ５ | ６ | ２ | １ | １ |
| 晚 |
|
| ２ | ３ | ３ | ３ | ３ | ３ | ５ | ５ | ５ | ６ | ２ | １ | ４ | ４ |
| 是否 缺页 | 是 | 是 | 是 | 是 | 不是 | 不是 | 不是 | 不是 | 是 | 不是 | 不是 | 是 | 是 | 是 | 是 | 不是 |
*红色的数字，是最新进入内存的页号
对于先进先出模拟过程，不难发现一下特点：
１、第一次进入内存的，肯定出现缺页；
２、没出现缺页的，连续的列是相同的；
３、淘汰的页面是呆在内存中时间最长的；
最近最久未使用调度算法认为：最近经常被使用到的页和可能马上就要被访问，因此不能调出。相反，如果有过去一段时间里没有被访问过的页，在最近的将来也可能暂时不会被访问。所以需要装入新页时，应选择在最近一段时间里最久没有被使用过的页调出。
仍然以上述为例子，采用LRU调度，
首先０进入，缺页（１次），此时内存中的页号按照使用频率的顺序：０
１进入，缺页（１次），此时内存中的页号按照使用频率的顺序：０１
２进入，缺页（１次），此时内存中的页号按照使用频率的顺序：０１２
３进入，缺页（１次），最久未使用为０页号，被３替换，此时内存中的页号按照使用频率的顺序：１２３
２进入，不缺页，此时内存中的页号按照使用频率的顺序：１３２
１进入，不缺页，此时内存中的页号使用频率的顺序：３２１
３进入，不缺页，此时内存中的页号使用频率的顺序：２１３
２进入，不缺页，此时内存中的页号使用频率的顺序：１３２
５进入，缺页（１次），最久未使用的页号是１号，淘汰掉，此时内存中的页号使用频率的顺序：３２５
２进入，不缺页，此时内存中的页号使用频率的顺序：３５２
３进入，不缺页，此时内存中的页号使用频率的顺序：５２３
６进入，缺页（１次），此时内存中的页号使用频率的顺序：２３６
２进入，不缺页，此时内存中的页号使用频率的顺序：３６２
１进入，缺页（１次），最久未使用的页号为３，此时内存中的页号使用频率的顺序：６２１
４进入，缺页（１次），最久未使用的页号为６，此时内存中的页号使用频率的顺序：２１４
２进入，不缺页，此时内存中的页号使用频率的顺序：１４２
所以，采用最近最久未使用的调度算法，其缺页次数：８次
其在内存中的调度模拟如下表所示：
| 使用 频率 | ０ | １ | ２ | ３ | ２ | １ | ３ | ２ | ５ | ２ | ３ | ６ | ２ | １ | ４ | ２ |
| 好久 没用 | ０ | ０ | ０ | １ | １ | ３ | ２ | １ | ３ | ３ | ５ | ２ | ３ | ６ | ２ | １ |
| 中 |
| １ | １ | ２ | ３ | ２ | １ | ３ | ２ | ５ | ２ | ３ | ６ | ２ | １ | ４ |
| 最近 使用 |
|
| ２ | ３ | ２ | １ | ３ | ２ | ５ | ２ | ３ | ６ | ２ | １ | ４ | ２ |
| 是否 缺页 | 是 | 是 | 是 | 是 | 不是 | 不是 | 不是 | 不是 | 是 | 不是 | 不是 | 是 | 不是 | 是 | 是 | 不是 |
四、小结
多拿笔画画～～～
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Optimisation importante de la mémoire, que dois-je faire si l'ordinateur passe à une vitesse de mémoire de 16 Go/32 Go et qu'il n'y a aucun changement ?
Jun 18, 2024 pm 06:51 PM
Pour les disques durs mécaniques ou les disques SSD SATA, vous ressentirez l'augmentation de la vitesse d'exécution du logiciel. S'il s'agit d'un disque dur NVME, vous ne la ressentirez peut-être pas. 1. Importez le registre sur le bureau et créez un nouveau document texte, copiez et collez le contenu suivant, enregistrez-le sous 1.reg, puis cliquez avec le bouton droit pour fusionner et redémarrer l'ordinateur. WindowsRegistryEditorVersion5.00[HKEY_LOCAL_MACHINE\SYSTEM\CurrentControlSet\Control\SessionManager\MemoryManagement]"DisablePagingExecutive"=d
Comment vérifier l'utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ?
Mar 18, 2024 pm 02:19 PM
Récemment, Xiaomi a lancé un puissant smartphone haut de gamme, le Xiaomi 14Pro, qui présente non seulement un design élégant, mais également une technologie noire interne et externe. Le téléphone offre des performances optimales et d'excellentes capacités multitâches, permettant aux utilisateurs de profiter d'une expérience de téléphonie mobile rapide et fluide. Cependant, les performances seront également affectées par la mémoire. De nombreux utilisateurs souhaitent savoir comment vérifier l’utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro, alors jetons-y un coup d’œil. Comment vérifier l’utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ? Introduction à la façon de vérifier l'utilisation de la mémoire du Xiaomi 14Pro. Ouvrez le bouton [Gestion des applications] dans [Paramètres] du téléphone Xiaomi 14Pro. Pour afficher la liste de toutes les applications installées, parcourez la liste et recherchez l'application que vous souhaitez afficher, cliquez dessus pour accéder à la page de détails de l'application. Dans la page de détails de la candidature
La multiplication matricielle universelle de CUDA : de l'entrée à la maîtrise !
Mar 25, 2024 pm 12:30 PM
La multiplication matricielle générale (GEMM) est un élément essentiel de nombreuses applications et algorithmes, et constitue également l'un des indicateurs importants pour évaluer les performances du matériel informatique. Une recherche approfondie et l'optimisation de la mise en œuvre de GEMM peuvent nous aider à mieux comprendre le calcul haute performance et la relation entre les systèmes logiciels et matériels. En informatique, une optimisation efficace de GEMM peut augmenter la vitesse de calcul et économiser des ressources, ce qui est crucial pour améliorer les performances globales d’un système informatique. Une compréhension approfondie du principe de fonctionnement et de la méthode d'optimisation de GEMM nous aidera à mieux utiliser le potentiel du matériel informatique moderne et à fournir des solutions plus efficaces pour diverses tâches informatiques complexes. En optimisant les performances de GEMM
Comment calculer l'addition, la soustraction, la multiplication et la division dans un document Word
Mar 19, 2024 pm 08:13 PM
WORD est un traitement de texte puissant. Nous pouvons utiliser Word pour éditer divers textes. Dans les tableaux Excel, nous maîtrisons les méthodes de calcul d'addition, de soustraction et de multiplicateurs. Ainsi, si nous avons besoin de calculer l'addition de valeurs numériques dans les tableaux Word, Comment soustraire le multiplicateur ? Puis-je utiliser uniquement une calculatrice pour le calculer ? La réponse est bien sûr non, WORD peut aussi le faire. Aujourd'hui, je vais vous apprendre à utiliser des formules pour calculer des opérations de base telles que l'addition, la soustraction, la multiplication et la division dans des tableaux dans des documents Word. Apprenons ensemble. Alors, aujourd'hui, permettez-moi de vous montrer en détail comment calculer l'addition, la soustraction, la multiplication et la division dans un document WORD ? Étape 1 : ouvrez un WORD, cliquez sur [Tableau] sous [Insérer] dans la barre d'outils et insérez un tableau dans le menu déroulant.
Y a-t-il une grande différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire dans les ordinateurs ? (Choisissez 8 Go ou 16 Go de mémoire informatique)
Mar 13, 2024 pm 06:10 PM
Lorsque les utilisateurs novices achèteront un ordinateur, ils seront curieux de connaître la différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? Dois-je choisir 8g ou 16g ? En réponse à ce problème, l'éditeur va aujourd'hui vous l'expliquer en détail. Y a-t-il une grande différence entre 8 Go et 16 Go de mémoire informatique ? 1. Pour les familles ordinaires ou le travail ordinaire, la mémoire courante de 8 Go peut répondre aux exigences, il n'y a donc pas beaucoup de différence entre 8 g et 16 g pendant l'utilisation. 2. Lorsqu'ils sont utilisés par des passionnés de jeux, les jeux à grande échelle commencent actuellement à 6 Go, et 8 Go est la norme minimale. Actuellement, lorsque l'écran est en 2K, une résolution plus élevée n'apportera pas de performances de fréquence d'images plus élevées, il n'y a donc pas de grande différence entre 8g et 16g. 3. Pour les utilisateurs de montage audio et vidéo, il y aura des différences évidentes entre 8g et 16g.
Des sources affirment que Samsung Electronics et SK Hynix commercialiseront de la mémoire mobile empilée après 2026
Sep 03, 2024 pm 02:15 PM
Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.
Samsung a annoncé l'achèvement de la vérification de la technologie du processus d'empilement de liaisons hybrides à 16 couches, qui devrait être largement utilisée dans la mémoire HBM4.
Apr 07, 2024 pm 09:19 PM
Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.
Mar 22, 2024 pm 08:16 PM
Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.
