Maison Problème commun Quelle est la différence entre le disque dur et la mémoire ? De quels indicateurs de performance disposent-ils ?

Quelle est la différence entre le disque dur et la mémoire ? De quels indicateurs de performance disposent-ils ?

Nov 05, 2020 pm 12:17 PM
内存 性能指标 硬盘

Différences : 1. La mémoire est l'endroit où l'ordinateur fonctionne et le disque dur est utilisé pour stocker les informations temporairement inutilisées ; 2. Les informations dans la mémoire disparaîtront lorsque l'alimentation est coupée, mais les informations dans le disque dur peut être stocké pendant une longue période. Les indicateurs de performances du disque dur incluent la capacité du disque dur, la vitesse du disque dur, la vitesse de rotation du disque dur, l'interface, le cache, la capacité du disque dur sur un seul disque, etc. ; les indicateurs de performances de la mémoire incluent les valeurs de capacité, de fréquence et de latence.

Quelle est la différence entre le disque dur et la mémoire ? De quels indicateurs de performance disposent-ils ?

Mémoire : La mémoire est également appelée mémoire principale L'exécution des programmes dans l'ordinateur s'effectue dans la mémoire. Le processeur de l'ordinateur Les données de calcul requises sont transférées vers la mémoire pour le calcul. Habituellement, la mémoire est divisée en mémoire vive (RAM), mémoire morte (ROM) et cache (CACHE).

Disque dur : Du point de vue du système structurel de l'ordinateur, le disque dur doit être considéré comme la « mémoire externe » de l'ordinateur.

La différence entre la mémoire et le disque dur

Les principales différences entre la mémoire et le disque dur sont les trois points suivants :

1. La mémoire est un ordinateur Sur le lieu d'exploitation, le disque dur est utilisé pour stocker des informations temporairement inutilisées

2 La mémoire est constituée de matériaux semi-conducteurs et le disque dur est constitué de matériaux magnétiques ; 🎜>
3. Dans la mémoire Les informations disparaîtront lorsque l'alimentation est coupée et les informations sur le disque dur peuvent être enregistrées pendant une longue période.

Indicateurs de performances de la mémoire et du disque dur

Indicateurs de performances du disque dur, y compris la capacité du disque dur, la vitesse du disque dur, la vitesse de rotation du disque dur, l'interface, le cache, le disque dur capacité du disque unique, etc.

Paramètres de performances de la mémoire : capacité, fréquence, valeur de latence.

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Comment vérifier l'utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ? Comment vérifier l'utilisation de la mémoire sur Xiaomi Mi 14Pro ? Mar 18, 2024 pm 02:19 PM

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Lorsque vous essayez d'ouvrir une image disque dans VirtualBox, vous pouvez rencontrer une erreur indiquant que le disque dur ne peut pas être enregistré. Cela se produit généralement lorsque le fichier image disque de la VM que vous essayez d'ouvrir a le même UUID qu'un autre fichier image disque virtuel. Dans ce cas, VirtualBox affiche le code d'erreur VBOX_E_OBJECT_NOT_FOUND(0x80bb0001). Si vous rencontrez cette erreur, ne vous inquiétez pas, vous pouvez essayer quelques solutions. Tout d'abord, vous pouvez essayer d'utiliser les outils de ligne de commande de VirtualBox pour modifier l'UUID du fichier image disque, ce qui évitera les conflits. Vous pouvez exécuter la commande `VBoxManageinternal

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Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.

Mar 22, 2024 pm 08:16 PM

Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.

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Selon les informations de ce site Web le 6 mai, Lexar a lancé la mémoire d'overclocking DDR57600CL36 de la série Ares Wings of War. L'ensemble de 16 Go x 2 sera disponible en prévente à 00h00 le 7 mai avec un dépôt de 50 yuans, et le prix est de 50 yuans. 1 299 yuans. La mémoire Lexar Wings of War utilise des puces mémoire Hynix A-die, prend en charge Intel XMP3.0 et fournit les deux préréglages d'overclocking suivants : 7600MT/s : CL36-46-46-961.4V8000MT/s : CL38-48-49 -1001.45V En termes de dissipation thermique, cet ensemble de mémoire est équipé d'un gilet de dissipation thermique tout en aluminium de 1,8 mm d'épaisseur et est équipé du tampon de graisse en silicone thermoconducteur exclusif de PMIC. La mémoire utilise 8 perles LED haute luminosité et prend en charge 13 modes d'éclairage RVB.