De quoi est faite la mémoire d'un ordinateur ?
Dans les ordinateurs, la mémoire est également appelée mémoire principale. Il s'agit d'un espace de stockage qui peut être directement adressé par le processeur. Elle est constituée de dispositifs semi-conducteurs et se compose principalement de banques de mémoire, de circuits de contrôle, de registres d'adresses et de données. registres et circuits de décodage d'adresses Composé de cinq parties.
L'environnement d'exploitation de cet article : système Windows 7, ordinateur Dell G3.
Une partie très importante de la structure informatique est la mémoire. C'est un composant utilisé pour stocker des programmes et des données.
Pour les ordinateurs, seuls ceux dotés de mémoire peuvent avoir une fonction de mémoire et assurer un fonctionnement normal.
Il existe de nombreux types de mémoire. Selon son objectif, elle peut être divisée en mémoire principale et mémoire auxiliaire. La mémoire principale est également appelée mémoire interne (appelée mémoire, et Hong Kong et Taiwan l'appellent mémoire).
La mémoire, également appelée mémoire principale, est un espace de stockage qui peut être directement adressé par le processeur. Elle utilise généralement une mémoire à semi-conducteur. Par rapport à la mémoire auxiliaire, elle présente les caractéristiques d'une petite capacité, d'une lecture et d'une écriture rapides. rapidité et prix élevé.
La mémoire principale (mémoire) d'un ordinateur est principalement composée de cinq parties : banque de mémoire, circuit de contrôle, registre d'adresses, registre de données et circuit de décodage d'adresse.
Indicateurs techniques
Capacité de stockage, le nombre total d'unités de stockage pouvant être hébergées dans une mémoire, la taille de l'espace de stockage, le nombre de mots, le nombre d'octets
Temps d'accès, le temps écoulé entre le démarrage et la fin d'une opération de mémoire. Unité de vitesse de la mémoire principale ns
Cycle de stockage, le temps minimum requis pour démarrer deux opérations consécutives dans la mémoire principale. unité de vitesse ns
La bande passante mémoire est la quantité d'informations accédées par la mémoire par unité de temps. C'est un indicateur technique important pour mesurer le taux de transmission des données. L'unité est b/s (bits/seconde) ou B. /S (octets/seconde).
Une unité de stockage qui stocke un mot machine est généralement appelée unité de stockage de mots, et l'adresse de l'unité correspondante est appelée adresse de mot. L'unité qui stocke un octet est appelée unité de stockage d'octets et l'adresse correspondante est appelée adresse d'octet. Si la plus petite unité adressable d'un ordinateur est une unité de mémoire de mots, l'ordinateur est appelé ordinateur adressable par mot. Si le plus petit bit adressable d’un ordinateur est un octet, l’ordinateur est appelé ordinateur adressable par octet. Un mot machine peut contenir plusieurs octets, une unité de stockage peut donc également contenir plusieurs adresses d'octets adressables individuellement. Par exemple, dans les ordinateurs de la série PDP-11, une unité de stockage de mots binaires de 16 bits peut stocker deux octets et peut être adressée par adresse de mot ou par adresse d'octet. Lors d'un adressage avec des adresses d'octets, l'unité de stockage de 16 bits occupe deux adresses d'octets
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Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.

Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.

Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.