

Microsoft recommande uniquement les SSD pour les applications Android sur Windows 11, pas sur Ryzen 2000
Microsoft a promis une mise à niveau majeure vers Windows 11, et il y a quelques jours, la société a tenu cette promesse. Parmi plusieurs autres fonctionnalités apportées avec cette mise à jour de février, le lancement d'une version préliminaire de l'Amazon App Store est désormais disponible sur le Microsoft Store. L'application Android est désormais disponible en téléchargement sur Windows 11 via l'Amazon Appstore, mais malheureusement, la fonctionnalité n'est disponible qu'aux États-Unis pour le moment. Microsoft a également publié la configuration système minimale requise pour exécuter des applications Android sur Windows 11, la société recommandant uniquement les disques SSD (SSD) comme type de stockage. Bien qu'il n'y ait aucune mention spécifique de SATA III ou NVMe ici, les deux devraient suffire. Voici la configuration requise complète : RAM 8 Go (minimum) 16 Go (recommandé) Type de stockage Disque SSD (SSD) Processeur Intel Core i3 8e génération (minimum) ou supérieur AMD Ryzen 3000 (minimum) ou supérieur Qualcomm Snapdragon 8c (minimum) ou supérieure, l'architecture de processeur x64 ou la plate-forme de machine virtuelle ARM64 doit activer ce paramètre. Pour plus d’informations, accédez à Activer la virtualisation sur les PC Windows 11. Il est intéressant de noter que pour Windows 11 lui-même, Microsoft n'a pas précisé quelle méthode de stockage est préférée et a simplement mentionné « 64 Go » comme exigence. C'est comme si Microsoft pensait qu'exécuter le sous-système Windows sur Android (WSA) pourrait être un peu trop pour une rotation. disque dur. Un autre point intéressant à retenir est l'omission des processeurs Ryzen 2000, car seul le Ryzen 3000 est répertorié dans le tableau des exigences ci-dessus. Les processeurs Ryzen de la série 2000 (et non les APU Ryzen 2000) sont basés sur la microarchitecture Zen+ et Microsoft prend officiellement en charge Windows 11.
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Selon les informations de ce site du 8 août, Samsung a présenté un certain nombre de nouveaux produits SSD lors du Flash Memory Summit (FMS) 2024 - PM1753, BM1743, PM9D3a, PM9E1, et a également testé les QLCV-NAND, TLCV-NAND et TLCV-NAND de neuvième génération. Les technologies CMM-D –DRAM, CMM-HTM, CMM-HPM et CMM-BCXL ont été introduites. Le BM1743 utilise une mémoire flash QLC d'une capacité allant jusqu'à 128 To, une vitesse de lecture continue de 7,5 Go/s, une vitesse d'écriture de 3,5 Go/s, une lecture aléatoire de 1,6 million d'IOPS et une écriture de 45 000 IOPS. Facteur de forme de 2,5 pouces et une interface U.2, et est inactif La consommation d'énergie est réduite à 4 W, et après les mises à jour OTA ultérieures, seulement

Ce site Web a rapporté le 22 juillet qu'ICEDOCK avait lancé le 19 de ce mois le boîtier d'extraction de disque SSD M.2 à quatre baies ExpressSlotMB204MP-B. Le boîtier d'extraction adopte la forme d'une carte d'extension PCIeAIC, nécessite une alimentation auxiliaire PCIe6Pin, a une dimension tridimensionnelle de 204,5 × 21,59 × 126,9 (mm), prend en charge le protocole PCIe5.0 et peut fournir 16 Go/s PCIe5. Bande passante pleine vitesse de 0,0 × 4 pour chaque disque SSD. Le boîtier d'extraction SSD Esidak ExpressSlotMB204MP-B est compatible avec les SSD M.22230/2242/2260/2280. Toutefois, l'épaisseur de chaque face de ces SSD ne doit pas dépasser 1,5 mm.

Selon les informations de ce site du 7 août, Phison a présenté pleinement sa gamme de produits de disques SSD de classe entreprise Pascari lors du sommet FMS2024. Cette gamme de produits couvre 5 catégories principales et est destinée à diverses applications au niveau de l'entreprise et des centres de données. Voici une brève introduction sur ce site : Série X – Meilleures performances Les SSD de classe entreprise de la série X de Phison sont « conçus pour des exigences d'écriture extrêmes ». En plus de la première famille X200, Phison a également lancé deux produits PCIe 4.0, X100P et X100E, respectivement 1DWPD et 3DWPD, avec des capacités maximales de 32 To Note 1. X100P et

Selon des informations publiées sur ce site Web le 18 juin, Samsung Semiconductor a récemment présenté sur son blog technologique son disque SSD de nouvelle génération de qualité centre de données BM1743, équipé de sa dernière mémoire flash QLC (v7). ▲Disque SSD de qualité centre de données Samsung QLC BM1743 Selon TrendForce en avril, dans le domaine des disques SSD de qualité centre de données QLC, seuls Samsung et Solidigm, une filiale de SK Hynix, avaient réussi la vérification du client d'entreprise à ce temps. Par rapport à la génération précédente v5QLCV-NAND (remarque sur ce site : Samsung v6V-NAND n'a pas de produits QLC), la mémoire flash Samsung v7QLCV-NAND a presque doublé le nombre de couches d'empilement et la densité de stockage a également été considérablement améliorée. Dans le même temps, la fluidité de v7QLCV-NAND

Selon les informations de ce site Web du 28 mars, selon le média taïwanais DIGITIMES, Yangtze Memory a déclaré lors du China Flash Memory Market Summit CFMS2024 que la mémoire flash X3-6070QLC utilisant la technologie Xtacking de troisième génération a atteint une endurance P/E de 4 000 fois. . Remarque tirée de ce site : à la différence de la durée de vie de la garantie, les disques SSD TLC d'origine grand public ont généralement une durée de vie d'effacement et d'écriture d'au moins 3 000 niveaux P/E lors des tests. ▲Source de l'image Le responsable du CFMS du China Flash Memory Market Summit, le même ci-dessous, Huo Zongliang, CTO de Yangtze Memory, a déclaré que l'industrie de la mémoire flash NAND a traversé l'année la plus difficile de 2023 et entrera dans une période de hausse cette année. la demande totale de mémoire flash augmentera à un rythme composé de 2023 à 2027. Le taux peut atteindre 21 %, et la capacité moyenne d'un seul appareil est de

Selon des informations publiées sur ce site Web le 21 juin, à mesure que la taille des entreprises augmente, la quantité de données générées chaque jour augmente également, et il deviendra de plus en plus difficile de sauvegarder et de gérer ces données. Dans le même temps, l’introduction de l’IA générative a encore exacerbé ce problème et posé un énorme défi aux méthodes de stockage traditionnelles. En fait, les disques SSD de 128 To sont en préparation depuis longtemps. Par exemple, Huawei a déjà annoncé qu'il développait un SSD de 128 To, mais ce produit n'est disponible que dans le cadre de sa série OceanStor A800 au niveau Exabyte et ne l'est pas. devrait être disponible jusqu’en 2025. Lors du salon CES2024 au début de cette année, Phison a présenté une variété de SSD et de contrôleurs SSD, y compris sa plate-forme SSD série X2 pour les entreprises, mais cela

Selon les informations de ce site du 15 juillet, selon le compte public WeChat ChannelGate, Kingston lancera une nouvelle génération de disques SSD NVMe d'entrée de gamme, série NV3, en août. Kingston NV3 utilisera toujours la même spécification PCIe4.0×4 que le produit NV2 existant. La vitesse de lecture séquentielle sera augmentée à 6 000 Mo/s et le taux d'écriture séquentielle atteindra également 5 000 Mo/s, ce qui est nettement supérieur au 3 500. /2800 Mo/s de NV2. Les disques SSD NV3 couvriront quatre points de capacité de 500 Go, 1 To, 2 To et 4 To, abandonnant la version 250 Go apparue sur le NV2. Ce site a remarqué que les paramètres du NV3 sont similaires à ceux du KentingBay « KentingBay » précédemment affiché par Kingston au Salon international de l'informatique de Taipei 2024.

Selon les informations de ce site Web du 7 août, Phison a présenté pour la première fois le nouveau contrôle principal PCIe4.0 grand public PS5029-E29T lors du sommet FMS2024 et a lancé le disque SSD de classe entreprise PascariD200V équipé d'une mémoire flash QLC. . Phison a déclaré que le PS5029-E29T est un contrôleur maître SSD PCIe4.0×4 optimisé pour la dernière technologie de mémoire flash NAND, « visant à établir de nouvelles normes d'efficacité énergétique et de performances SSD ». L'E29T adopte une conception sans DRAM, basée sur le processus 12 nm de TSMC, équipé d'un cœur de processeur ARM Cortex R5, dispose de 4 canaux de mémoire flash, prend en charge 16CE, est compatible avec un taux d'interface de mémoire flash de 3 600 MT/s et a une capacité maximale de 8 To. Performance