TSMC prévoit d'agrandir trois usines de traitement de 2 nm d'ici 2025 et devrait démarrer la production de masse

Selon le rapport "Economic Daily" de Taiwan, TSMC a annoncé qu'afin de répondre à la demande du marché pour des processus avancés, l'usine de Kaohsiung planifierait sa production et adopterait une technologie de processus avancée de 2 nm

TSMC a confirmé lors de la conférence de presse d'avril que le L'usine de Kaohsiung utilisera du 28 nm. La ligne de production a été adaptée à une technologie de processus plus avancée, mais le processus vers lequel elle a été modifiée n'a pas été mentionné à l'époque. Les bases de production actuelles de 2 nanomètres de TSMC ont été prévues à Zhuke et Zhongke. Si Kaohsiung est inclus à l'avenir, la société disposera de trois bases de production de 2 nanomètres.

De plus, selon la « Central News Agency » de Taiwan,

TSMC prévoit de produire en masse son procédé de 2 nanomètres en 2025, en utilisant une structure de transistor à nanofeuilles. Dans le même temps, TSMC a développé une solution de rail arrière à 2 nanomètres, adaptée aux applications liées au calcul haute performance. Elle devrait être lancée au second semestre 2025 et produite en série en 2026.

▲ Source de l'image Site officiel de TSMC

Selon des rapports précédents sur ce site, TSMC a également annoncé hier qu'elle coopérerait avec Robert Bosch GmbH, Infineon Technologies AG et NXP Semiconductors NV) qui ont investi conjointement dans le secteur européen des semi-conducteurs. Manufacturing Company (ESMC) à Dresde, en Allemagne, avec un investissement total estimé à plus de 10 milliards d'euros pour fournir des services avancés de fabrication de semi-conducteurs.

TSMC construira l'usine au second semestre 2024 et démarrera la production fin 2027. L'usine sera exploitée par TSMC, qui détiendra une participation de 70 %, Bosch, Infineon et NXP en détiendront chacun 10 %. Il devrait produire 40 000 tranches de 300 mm (12 pouces) par mois après son achèvement, en utilisant la technologie de processus CMOS planaire 28/22 nm et FinFET 16/12 nm de TSMC

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