Maison Problème commun Y a-t-il une différence entre 12+256 et 8+256 ?

Y a-t-il une différence entre 12+256 et 8+256 ?

Aug 15, 2023 am 09:31 AM
内存 内存容量 运行内存

Il y a une différence entre 12+256 et 8+256 : 1. "12+256" signifie que le téléphone mobile a une capacité de mémoire en cours d'exécution de 12 Go et une capacité de mémoire de stockage de 256 Go, tandis que "8+256" signifie que le téléphone mobile a une capacité de mémoire en cours d'exécution de 8 Go et une capacité de stockage de 256 Go; la capacité de mémoire est de 256 Go; 12 Go de mémoire en cours d'exécution peuvent fournir une plus grande capacité de mémoire, tandis que la mémoire en cours d'exécution de 8 Go est un peu inférieure.

Y a-t-il une différence entre 12+256 et 8+256 ?

Le système d'exploitation de ce tutoriel : système Windows 10, ordinateur Dell G3.

Il existe quelques différences dans la configuration de la mémoire entre la mémoire 8+256 et la mémoire 12+256 du téléphone mobile.

  • « 8+256 » signifie que la capacité de mémoire de fonctionnement (RAM) du téléphone est de 8 Go et la capacité de mémoire de stockage (ROM) est de 256 Go. Cela signifie que le téléphone peut exécuter plusieurs applications simultanément et dispose de suffisamment d'espace de stockage pour stocker un grand nombre d'applications, de fichiers multimédias et d'autres données.

  • « 12+256 » signifie que la capacité de mémoire de fonctionnement (RAM) du téléphone mobile est de 12 Go et la capacité de mémoire de stockage (ROM) est de 256 Go. Par rapport à 8 Go de mémoire en cours d'exécution, 12 Go de mémoire en cours d'exécution peuvent fournir une plus grande capacité de mémoire, ce qui peut gérer plus facilement des tâches plus complexes, des tâches multitâches et des jeux hautes performances.

En général, la mémoire 8+256 convient à une utilisation quotidienne par les utilisateurs ordinaires et fournit une mémoire de fonctionnement et un espace de stockage suffisants. La mémoire 12+256 est plus adaptée aux utilisateurs qui ont des exigences plus élevées en matière de performances de téléphone mobile et doivent gérer des tâches complexes et des jeux à grande échelle.

Il convient de noter que la configuration de la mémoire n'est qu'un facteur qui affecte les performances et la capacité de stockage du téléphone mobile, et sera également affectée par le processeur, le niveau d'optimisation et le logiciel. Par conséquent, lors du choix d'un téléphone mobile, outre la configuration de la mémoire, d'autres facteurs doivent également être pris en compte, tels que les performances du processeur, la qualité de l'appareil photo, le système d'exploitation, etc.

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Selon des informations publiées sur ce site Web le 3 septembre, le média coréen etnews a rapporté hier (heure locale) que les produits de mémoire mobile à structure empilée « de type HBM » de Samsung Electronics et SK Hynix seraient commercialisés après 2026. Des sources ont indiqué que les deux géants coréens de la mémoire considèrent la mémoire mobile empilée comme une source importante de revenus futurs et prévoient d'étendre la « mémoire de type HBM » aux smartphones, tablettes et ordinateurs portables afin de fournir de la puissance à l'IA finale. Selon des rapports précédents sur ce site, le produit de Samsung Electronics s'appelle LPWide I/O memory, et SK Hynix appelle cette technologie VFO. Les deux sociétés ont utilisé à peu près la même voie technique, à savoir combiner emballage en sortance et canaux verticaux. La mémoire LPWide I/O de Samsung Electronics a une largeur de 512 bits.

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Selon le rapport, Dae Woo Kim, directeur de Samsung Electronics, a déclaré que lors de la réunion annuelle 2024 de la Korean Microelectronics and Packaging Society, Samsung Electronics terminerait la vérification de la technologie de mémoire HBM à liaison hybride à 16 couches. Il est rapporté que cette technologie a passé avec succès la vérification technique. Le rapport indique également que cette vérification technique jettera les bases du développement du marché de la mémoire dans les prochaines années. DaeWooKim a déclaré que Samsung Electronics avait réussi à fabriquer une mémoire HBM3 empilée à 16 couches basée sur la technologie de liaison hybride. À l'avenir, la technologie de liaison hybride empilée à 16 couches sera utilisée pour la production en série de mémoire HBM4. ▲ Source de l'image TheElec, comme ci-dessous. Par rapport au processus de liaison existant, la liaison hybride n'a pas besoin d'ajouter de bosses entre les couches de mémoire DRAM, mais connecte directement les couches supérieure et inférieure de cuivre au cuivre.

Mar 22, 2024 pm 08:16 PM

Ce site rapportait le 21 mars que Micron avait tenu une conférence téléphonique après la publication de son rapport financier trimestriel. Lors de la conférence, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, a déclaré que par rapport à la mémoire traditionnelle, la HBM consomme beaucoup plus de plaquettes. Micron a déclaré qu'en produisant la même capacité sur le même nœud, la mémoire HBM3E la plus avancée actuelle consomme trois fois plus de tranches que la DDR5 standard, et on s'attend à ce qu'à mesure que les performances s'améliorent et que la complexité de l'emballage s'intensifie, à l'avenir HBM4, ce ratio augmentera encore. . Si l’on se réfère aux rapports précédents sur ce site, ce ratio élevé est en partie dû au faible taux de rendement de HBM. La mémoire HBM est empilée avec des connexions TSV de mémoire DRAM multicouche. Un problème avec une couche signifie que l'ensemble.

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Selon les informations de ce site Web le 6 mai, Lexar a lancé la mémoire d'overclocking DDR57600CL36 de la série Ares Wings of War. L'ensemble de 16 Go x 2 sera disponible en prévente à 00h00 le 7 mai avec un dépôt de 50 yuans, et le prix est de 50 yuans. 1 299 yuans. La mémoire Lexar Wings of War utilise des puces mémoire Hynix A-die, prend en charge Intel XMP3.0 et fournit les deux préréglages d'overclocking suivants : 7600MT/s : CL36-46-46-961.4V8000MT/s : CL38-48-49 -1001.45V En termes de dissipation thermique, cet ensemble de mémoire est équipé d'un gilet de dissipation thermique tout en aluminium de 1,8 mm d'épaisseur et est équipé du tampon de graisse en silicone thermoconducteur exclusif de PMIC. La mémoire utilise 8 perles LED haute luminosité et prend en charge 13 modes d'éclairage RVB.

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1. Ouvrez les paramètres du téléphone et cliquez sur l'option [Autres paramètres]. 2. Cliquez sur [Gestion des tâches récentes]. 3. Activez le commutateur derrière [Afficher les informations sur la mémoire pour les tâches récentes].